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Sistemi di reticulazione per adesivi sensibili à a pressione di silicone à alta temperatura: tippi è diffirenzii

Viste: 0     Autore: Editore di u situ Tempu di publicazione: 2026-04-13 Origine: U situ

Inchiesta

U limitu di prestazione superiore di i nastri di Teflon d'alta temperatura di Jiangsu Aokai hè essenzialmente determinatu da u sistema di reticulazione è di curazione di l'adesivu di silicone à alta temperatura sensibili à a pressione utilizatu in u revestimentu. In u prucessu di pruduzzione di i nastri di Teflon à alta temperatura di Aokai, ci sò dui sistemi mainstream: reticulazione di perossidu  è addizione catalizzata da platinu . Questi dui sistemi anu una influenza decisiva nantu à a resistenza di a temperatura, a limpezza è l'efficienza di produzzione di nastri di Teflon à alta temperatura.

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1. Perossidu Crosslinked Tapes Teflon High-Temperatura

In i nastri di Teflon d'alta temperatura di u stadiu iniziale è generale, a reticulazione di radicali liberi iniziata da perossidi hè comunmente aduttatu. Stu tipu di cinta Teflon d'alta temperatura richiede un fornu à alta temperatura sopra à 150 ° C, risultatu in un cunsumu energeticu relativamente altu.

Caratteristiche di u rendiment : i nastri di Teflon à alta temperatura prudutte sottu à stu sistema portanu tracce di residui di sottoproduttu da a reazione. Durante u serviziu à longu andà à alta temperatura, a strata adesiva porta un ligeru risicu di giallu, è a stabilità di a forza di a buccia hè relativamente inferjuri.

Scenarii di l'applicazione : Tali nastri di Teflon à alta temperatura sò più adattati per l'applicazioni anti-stick industriali è l'usi generali di termosigillamentu induve ùn ci sò micca esigenze speciali per a chiarità ottica è a sensibilità di u costu hè una priorità.

2. Platinum-Catalyzed Addition High-Temperature Teflon Tapes

I nastri di Teflon high-end è high-pulizia di alta temperatura sò generalmente aghjurnati à u sistema d'addizione di idrosililazione catalizzata da platinu. Questu hè criticu per i nastri di Teflon à alta temperatura chì necessitanu un cuntrollu precisu di forza di liberazione.

Vantaghji di u core : i nastri di Teflon d'alta temperatura chì utilizanu u sistema di platinu ponu esse guariti rapidamente à 100-130 ° C, migliurà assai l'efficienza di u revestimentu. Siccomu ùn sò generati micca derivati, a capa adesiva hè pura è trasparente. Durante u serviziu à longu andà à 260 ° C, u tassu di residuu adesivu hè estremamente bassu, è ùn corroderà micca i cumpunenti elettronici legati.

Limitazioni di u Prucessu : Durante a produzzione, l'ambiente di l'attellu è a tela di basa di Teflon deve esse estremamente pulita. Altrimenti, l'impurità di traccia ponu facilmente avvelenà u catalizzatore di platinu, purtendu à a curazione incompleta o a perdita di aderenza.

3. Effetti Differenziali di i Metudi di Crosslinking in Teflon High-Temperature Tape Performance

表格

Elementu di paragone

Cinta di Teflon Reticulatu di Perossidu à Alta Temperature

Cinta d'alta temperatura di Teflon di addizione di platinu

Efficienza di pruduzzione

Richiede una cottura à longu andà à alta temperatura; bassa velocità

Curazione rapida à bassa temperatura; altu pruduzzione

Pulitezza

Possibile odore è traccia di emissioni di pisu molekulari

Inodore è senza migrazione; adattatu per imballaggi medichi / alimentari

Resistenza à l'anzianu

A strata adesiva tende à diventà fragile è dura sottu a temperatura alta longu

Tack stabile à alta temperatura è vita di serviziu più longa

Costu è Stabilità

Bassu costu di materia prima; forte anti-interferenza

altu costu di platinu; sensibili à a stabilità di mischju di l'adesivo

In riassuntu, sia aduprate per applicazioni anti-aderenti di termosaldatura o imballaggio di insulazione di cavi, capiscenu u sistema di reticulazione di l'adesivo di silicone sensitivu à a pressione nantu à i nastri di Teflon à alta temperatura determina direttamente u rendiment attuale in cundizioni di travagliu estreme. Per l'applicazioni generali di maschera resistenti à u calore, ponu esse selezziunati sistemi basati in perossu.

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