PTFE tenperatura altuko oihalak isolamendu elektriko bikaina mantentzen du -180 °C-tik 260 °C-ra: bolumen-erresistentzia > 10¹³ Ω·cm 200 °C-tan, konstante dielektrikoa egonkorra 2.0-2.1. 260 °C-tik gora, PTFE leundu egiten da, 327 °C-tik gora deskonposatzen da, isolamendua behin betiko galduz. 0°C-tik behera, isolamendua hobetzen da, baina estaldura hauskorra bihurtzen da. Egon 260 °C barruan errendimendu fidagarria izateko.

PTFE estalduraren aurretik beira-zuntzezko ehunari aplikatutako gainazaleko akabera-agenteak funtsezkoak dira tenperatura altuko PTFE-oihalaren errendimendurako. Organosilaneko akoplamendu agenteek beira-zuntz ez-organikoaren eta PTFE organikoaren arteko zubi molekularrak sortzen dituzte, zuritzeko indarra <2 N/cm-tik 4-8+ N/cm-ra areagotuz. Tratamendu egokiak beroarekiko erresistentzia (260 °C+), errendimendu dielektrikoa eta erresistentzia kimikoa hobetzen ditu. Tratatu gabeko ehunak delaminazioa, burbuila eta bizitza laburra eragiten du.

Beira-zuntzezko ehundura-ereduak - arrunta, sargakoa edo satinatua - nabarmen eragiten du PTFE tenperatura altuko ehunaren propietateak. Satin ehunak urratzeko erresistentzia handiena (2-3x laua) eta malgutasuna eskaintzen du, tolestura dinamikorako aproposa. Ehun lisoek dimentsio-egonkortasun eta zuritzeko atxikimendu onena eskaintzen dute, aplikazio estatikoetarako egokia. Twill-ek propietate guztiak orekatzen ditu erabilera orokorrerako.

PTFE tenperatura altuko ehunaren estalduraren uniformetasuna lau faktorek zehazten dute: estalduraren formulazioa (partikulen tamaina 0,15-0,35 μm, biskositatea, eduki solidoa), estaldura eta sinterizazio prozesua (esaldura uniformea ​​lortzeko hobetsita), substratuaren kalitatea (ehundura-eredua, aurretratamendua) eta ekoizpen-ingurunea (20-25 °C, <60 °C). Dip + blade prozesu konbinatuak sartzea eta gainazaleko leuntasuna orekatzen ditu.

Garbiketa eta mantentze egokiak tenperatura altuko PTFE ehunaren bizitza luzatzen du. Erabili ondoren eta hoztu ondoren garbitu. Erabili eskuila leunak, detergente neutroak edo alkohola orbanetarako. Inoiz ez erabili azido/alkali indartsuak, lixiba edo metalezko arraskagailuak. Silikonazko olioaren lubrifikazio erregularrak higadura murrizten du. Jarraitu jarraibide hauek estaldura kalteak saihesteko.

Tenperatura handiko PTFE ehunak eta silikonazko ehunak beira-zuntzezko oihala erabiltzen dute oinarri gisa, baina estaldura-materialean desberdinak dira (PTFE erretxina vs silikonazko kautxua). PTFE-k ez-itsaskortasuna, higadura erresistentzia eta 260 °C arteko erresistentzia kimikoa nabarmentzen ditu. Silikonazko ehunak malgutasun handiagoa, isolamendu elektrikoa eta suaren aurkako erresistentzia (230 °C arte) eskaintzen ditu. Aukeratu zure lehentasunaren arabera.

Tenperatura handiko PTFE ehunak erresistentzia kimiko paregabea eskaintzen du, azido sendoak, alkaliak, disolbatzaile organikoak eta gas korrosiboak jasaten dituena. Artikulu honek bere substantzia erresistenteak, mugak (metal alkalino urtuak, agente fluoratzaile indartsuak) eta tenperatura, kontzentrazioa eta estres mekanikoa bezalako faktore nagusiak zehazten ditu.

PTFE inpregnazioa ez da beira-zuntz oihaletara mugatzen. Artikulu honek 7 substratu alternatibo aurkezten ditu: aramida, karbono-zuntza, PBI, metal porotsua, grafitoa, amiantoa (apurka-apurka kenduta) eta zeramikazko betegarriak, prozesuen ezaugarriekin, abantailarekin, mugekin eta aplikazio nagusiekin.

Artikulu honek azaltzen du zergatik alkalinorik gabeko beira-zuntzezko oihala den PTFE tenperatura altuko oihalaren substratu hobetsia. Lotura kimikoak biltzen ditu silano-akoplamendu-agenteen bidez eta funtsezko propietate fisikoen bidez, hala nola egonkortasun termikoa, dimentsio-egonkortasuna eta korrosioarekiko erresistentzia, ingurune gogorretan iraupen luzeko errendimendua bermatuz.

PTFE tenperatura altuko ehunen fabrikatzaile profesional gisa, Jiangsu Aokai New Materials-ek industriaren ezagutza garrantzitsuak partekatzen ditu zurekin. PTFE tenperatura altuko zintak ertzak okertzea eta erortzea oso gutxitan eragiten dira faktore bakar batek, baina zinta desegokiaren hautapenaren ondorio konbinatuen ondorioz.