PTFE მაღალტემპერატურულ ლენტს აქვს მარილის შესხურების შესანიშნავი წინააღმდეგობა, მაგრამ სუსტი წერტილებია წებოვანი ფენა და მინაბოჭკოვანი სუბსტრატის კიდეები. შეფასების მეთოდები: 1000 სთ ნეიტრალური მარილის სპრეის ტესტი (NSS), ქერქის შეკავების გაზომვა (საჭიროა ≥80%), ვიზუალური დეფექტები (აწევა, ბუშტუკები) და ლითონის სუბსტრატის კოროზია. საზღვაო და მარილიან ნისლიან გარემოში: გამოიყენეთ სილიკონის PSA (არა აკრილის), სრულად გაჟღენთილი PTFE სუბსტრატი, დალუქეთ კიდეები ამინდის მდგრადი დალუქვით და წაისვით პრაიმერი ლითონის ზედაპირებზე.

სილიკონის წნევის მგრძნობიარე წებოები (PSA) PTFE მაღალტემპერატურული ლენტისთვის ძალიან განსხვავდება მაღალი ტემპერატურის დაბერების ეფექტურობით. მეთილფენილ სილიკონის PSA ინარჩუნებს >85% ქერცვლას 250°C/7 დღის შემდეგ, ხოლო სტანდარტული მეთილის ტიპი მცირდება 50-70%-მდე. დანამატებით (ჰიდროსილილაციის) სისტემები გვთავაზობენ ბევრად უკეთეს სტაბილურობას, ვიდრე პეროქსიდით. 200°C+ უწყვეტი მომსახურებისთვის, აირჩიეთ დამატებით გამაგრებული მაღალი ფენილის კლასები.

თერმოგამტარი PTFE წნევით მგრძნობიარე წებოვანი (PSA) ლენტები უნდა ატარებდეს სითბოს, ხოლო წებოვანი დარჩეს. შემავსებლის დამატება აუმჯობესებს თბოგამტარობას, მაგრამ აზიანებს ადჰეზიას. ოპტიმალური ბალანსი იყენებს სფერულ უხეში ნაწილაკებს (როგორც გამტარ ჩონჩხს) შერეულ წვრილ ნაწილაკებთან (სიცარიელის შესავსებად), რაც ინარჩუნებს შემავსებლის მთლიან დატვირთვას პერკოლაციის ზღურბლზე ზემოთ. მოერიდეთ ფანტელებსა და ბოჭკოებს; ისინი კლავენ ტაკს.

PTFE მაღალტემპერატურული ლენტი ემსახურება PV ინდუსტრიას ორ განსხვავებულ როლში: პროცესის მოხმარება (აფერხებს EVA გადახურებას ლამინატორებზე, შედუღების ნიღაბი) და გრძელვადიანი იზოლაცია (ავტობუსის შეფუთვა, შეერთების ყუთის ფიქსაცია). მუდმივი შიდა გამოყენებისთვის, ლენტები უნდა გაიარონ IEC 61215: 1000-2000 სთ ნესტიანი სითბო, UV, თერმული ციკლი (-40°C-დან +85°C-მდე), სილიკონის PSA-ით და შეკუმშვა <1%.

PTFE მაღალტემპერატურული ლენტი, რომელიც გამოიყენება სითბოს დალუქვის დანებსა და დალუქვის ზოლებზე, აწვდის ოთხ ძირითად მნიშვნელობას: ხელს უშლის გამდნარი პლასტმასის ადჰეზიას (აცილებს შეფერხებას), იცავს ძვირადღირებულ დალუქვას, ახდენს სითბოს/წნევის ჰომოგენიზაციას თანმიმდევრული ლუქებისთვის და ამცირებს ფირის ხახუნს. რეკომენდირებულია მინაბოჭკოვანი ლენტი (0,13-0,25 მმ) სილიკონის PSA (≥260°C). ანტისტატიკური შავი ლენტი მაღალსიჩქარიანი ხაზებისთვის.

PTFE წებოვანი ლენტის წყლის ორთქლის ბარიერის თვისება განისაზღვრება პირველ რიგში საფარის დეფექტებით (მიკროპორები, მიკრობზარები, ბოჭკოების ამოწურვა) და არა PTFE-ის შინაგანი ჰიდროფობიურობით. სუფთა PTFE ფილმი გთავაზობთ მხოლოდ საშუალო WVTR-ს. მრავალშრიანი საფარი და ლამელარული შემავსებლები (მიკა, მინის ფანტელები) ქმნის ლაბირინთის ეფექტს, მკვეთრად ამცირებს ორთქლის გადაცემას. მაღალი ტენიანობის დალუქვისთვის, მიუთითეთ მკვრივი საფარი.

PTFE მაღალტემპერატურული წებოვანი ლენტის გაცოცვის წინააღმდეგობა ხანგრძლივი მუდმივი დატვირთვის დროს (განსაკუთრებით 200-260°C) განისაზღვრება ორი ფაქტორით: სილიკონის PSA ჯვარედინი ბმულების სიმკვრივე (უფრო მაღალი ჯვარედინი აფერხებს დინებას) და სუბსტრატის ტიპი (ბოჭკოვანი PTFE გამძლეა PTFE-ს ცივ ცოცხალ ფენას). გადაჯვარედინებული წებო სწრაფად იშლება მაღალ სიცხეზე. სქელი წებოვანი ფენები ზრდის ცოცვის რისკს.

PTFE მაღალი ტემპერატურის ფირებისთვის ხანგრძლივი ჩაძირვის ქვეშ, PTFE სუბსტრატი რჩება ქიმიურად ინერტული, მაგრამ წებოვანი ფენა არის სუსტი წერტილი. წყალი ასუსტებს სილიკონის PSA-ს; მარილიანი წყალი აჩქარებს კოროზიას. აგრესიული ქიმიკატებისთვის საჭიროა ფტორსილიკონის ან პერფტორპოლიეთერის ადჰეზივები - ან წებოვანი PTFE ლენტი. ქერქის სიძლიერის დაკარგვა 40%-მდე წყალში 48 საათის შემდეგ.

PTFE მაღალტემპერატურული ლენტი საჭიროებს სათანადო შენახვას, რათა შეინარჩუნოს მისი წებოვნება, მოქნილობა და გათავისუფლების შესრულება. ძირითადი მოთხოვნები მოიცავს ტემპერატურის კონტროლს (10-30°C), ტენიანობას 60%-ზე ქვემოთ, სინათლის თავიდან აცილება, ქიმიური იზოლაცია, ვერტიკალური განლაგება და ვენტილაცია. დაიცავით FIFO ინვენტარის მართვა და რეგულარულად შეამოწმეთ.

სილიკონის წნევით მგრძნობიარე წებოვანი შუშის გადასვლის ტემპერატურა (Tg) არის დაახლოებით -120°C - გაცილებით დაბალია ვიდრე აკრილის ადჰეზივები. ეს ულტრა დაბალი Tg ინარჩუნებს PTFE მაღალი ტემპერატურის ლენტას მოქნილს და წებოვანს -70°C-ზეც კი, რაც ხელს უშლის მყიფე ბზარს და უზრუნველყოფს საიმედო ადჰეზიას კრიოგენულ აპლიკაციებში.