सांस लेवय वाला टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला टेप कें माइक्रोपोरस संरचना डिजाइन इन्सुलेशन आ नॉन-स्टिक गुणक कें साथ हवा कें पारगम्यता कें संतुलन कोना कयर सकय छै?

जियांगसूटेफ्लॉनउच्च-तापमानकपड़ानिर्माता–जियांगसुअओकाईनई सामग्रीप्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड याद दिलाता है कि यह अनिवार्य रूप से छिद्रपूर्ण संरचनाऔर सतह / थोककार्यात्मक गुणों के बीच तालमेल का मामला है |

1.सूक्ष्मछिद्रसंरचना एवं गुणों के बीच टकराव के स्रोत वायु पारगम्यता के लिए खुले छिद्रों को एक दोसरा से जोड़ने की आवश्यकता है, जिसमें कुटिल चैनलों के माध्यम से गैस गुजरने के साथ।

इन्सुलेशन(अवरोधकता) २. सामग्री कें घनत्व पर निर्भर करय छै.पीटीएफईमैट्रिक्स मे हवा (~3kV/mm कें कम ब्रेक डाउनफील्ड ताकत कें साथ) कें मिश्रण कें समतुल्य सूक्ष्मजीवक कें परिचय देनाय, आ खुला छिद्र आंशिक डिस्चार्ज आ रेंगपेज ट्रैकिंग कें लेल संभावित मार्ग प्रदान करय छै.छिद्रक कें अधिकता आ छिद्रक कें माध्यम सं सीधा, ड्रॉपिन टूटय कें डाउनवोल्टेज ओतबे महत्वपूर्ण छै.

वायु पारगम्यताvs.गैर छड़ीगुण: 1। Thenon-stickpropertyoriginatesfromPTFE'sextremelylows surfaceenergy(~18mN/m)andsmooths surface.सूक्ष्मछिद्र सतह के खुरदरापन और वास्तविक संपर्क क्षेत्र में वृद्धि करते हैं;पिघल सामग्री या चिपचिपामीडिया हो सकता है etratethemicropores,forming'mechanicalinterlocking' thatinsteadcausesahesion.अतः, सामग्री कें एक साथ वायु पारगम्यता आ सतह कें गीलापन आ पैठ कें प्रतिरोध प्राप्त करनाय आवश्यक छै.

2.कोरएप्रोचटूबैलेंसडडिजाइन:मेसोस्कोपिकस्ट्रक्चरलपैरामीटर के सिनर्जिस्टिकमॉड्यूलेशन संतुलन के कुंजी दोसर के लेल एकटा संपत्ति के बलिदान नै करैत अछि, मुदा छिद्र आकार, छिद्रता, छिद्र ढाल, मरोड़, आ सतह के उपचार के समन्वयात्मक रूप स ट्यून क के एक संग सब तीन आवश्यकता के पूरा करय के अछि.

2.1औसत छिद्रव्यास (0.1–2μm)और संकीर्ण छिद्र आकारवितरण इन्सुलेशन के लिए नियंत्रित करें: जब छिद्र आकार इलेक्ट्रॉन से बहुत छोटा मतलब मुक्त मार्गआंशिक निर्वहन के लिए आरंभ के आकार, हवा के अंतराल में टूटना अभी भी पासेन के नियम का पालन करता है;हालांकि, अत्यंत महीन सूक्ष्मजीव (उपमाइक्र ऑनस्केल)ब्रेकडाउनवोल्टेज मे काफी वृद्धि क सकैत अछि।अध्ययन से पता चलैत अछि जे जखन औसत पोरीडमीटर 0.5μm स नीचा संदेह होइत अछि, तखन 50-μm मोटी पीटीएफईफिल्म क डीसीब्रेकडाउन ताकत एखनो 40kV/mm स ऊपर पहुंच सकैत अछि।

गैर-स्टिकपरफॉर्मेंस के लेल: जब छिद्र आकारगर्म-पिघलने वाला (जैसे, पीई,पीपी) के घ्राण या पिघलना चिपचिपाहट के आणविक श्रृंखला त्रिज्या द्वारा निर्धारित महत्वपूर्ण प्रवेश आकार से छोट होता है, तो पिघलना सूक्ष्मजीवों को छानने नहीं कर सके | सतह पर edPTFEfibril, परिणामस्वरूपअत्यंत छोट वास्तविक संपर्क क्षेत्र, फिर गैर-छड़ी गुणअनप्रभावित रहता है।सामान्य रूप से, सतह के छिद्र 0.5μm से छोटा प्रभावी रूप से सबसे ज्यादा-पिघलने वाला चिपकने वाला द्वारा प्रवेश को रोक सकते हैं |

2.2नियंत्रणछिद्रतासीनामध्यम श्रेणी(50%–70%)

टूलओछिद्रता (<30%)व्यावहारिक वायु पारगम्यता प्रदान नहि क सकैत अछि;बहुत उच्च (> 80%) ठोस सामग्री कें अत्यधिक कम करय छै, इन्सुलेशन आ यांत्रिक गुणक मे तेज गिरावट कें कारण बनय छै. 60% के आसपास एटापोरोसिटी, वायु पारगम्यता (गुर्ली वैल्यू) के 20-100s/100cc के भीतर नियंत्रित करलऽ जाब॑ सकै छै, जबकि 0.13 मिमी मोटी फिल्म ≥2kV के डायलेक्ट्रिक ताकत क॑ बनाए रखी सकै छै, जेतना हीट-सीलिंग इन्सुलेशन आवश्यकता क॑ पूरा करै छै ।

 2.3Adoptaउच्च-Tortuosity3Dनेटवर्कछिद्रसंरचना (जिआंगसुटेफ्लॉनउच्च-तापमानकपड़ानिर्माता द्वारा उपार्जित)

पीटीएफई कें 'नोड-फाइब्रिल'संरचना स्वभावतःशाइटओर्ट्यूओसिटी (τ≈2.54) कें रूप मे बनय छै.गैस कें घुमावदार मार्गक सं गुजरनाय आवश्यक छै, जे हवा टूटय कें मार्ग कें विस्तार करयत छै आ सीधा-थ्रू डिस्चार्ज चैनल कें गठन कें प्रभावी ढंग सं दबायत छै. उच्च टोर्टुओसिटी वर्ग संबंध स॑ छिद्र आकार प॑ उचित पारगम्यता केरऽ निर्भरता क॑ कमजोर किरोन प॑ भी कम करी दै छै, जेकरा स॑ थोड़ा बड़ऽ छिद्र क॑ अपनऽ इन्सुलेशन विश्वसनीयता के आदान-प्रदान म॑ प्रयोग करलऽ जाय सकै छै ।

2.4निर्माता असममित ढालछिद्रसंरचना–घनसतह,छिद्रपूर्णआंतरिक घनसतहचमड़ी परत(मोटाई1–5μm)

हीट कैलेंडरिंग, अल्पकालिक उच्च तापमान इंटरिंग, या अल्ट्रा-थिनफ्लोरोपॉलिमर (जैसे, टेफ्लॉनएएफ) के साथ कोटिंग के माध्यम से, काम कर रही वस्तु के साथ संपर्क सतह एक सघन फिल्म के समान सतह प्राप्त करता है।माइक्रोछिद्र नैनोमीटर पैमाने पर बंद होते हैं या आंशिक रूप से पिघले और सील कर रहे हैं, गैर-स्टिक प्रदर्शन और बढ़कर इन्सुलेशन प्राप्त कर रहे हैं | बल्के बहुत छिद्रपूर्ण सांस लेने योग्य परत रहता है: त्वचा परत के नीचे, सामग्री अभी भी परस्पर जुड़े सूक्ष्मजीवों के अत्यधिक छिद्रपूर्ण नेटवर्क बनाए रखते हैं।गैस्कन चमड़ी में अवशिष्ट नैनो आकार के छिद्र के माध्यम से किनारों के माध्यम से पार्श्विक और अनुदैर्ध्य रूप से संचारित हो सकता है, अधिक वायु पारगम्यता को बनाए रखते हुए |

प्रभाव : १. इन्सुलेशन घने परत द्वारा प्रबल होता है, गैर-स्टिक प्रदर्शन घने परत के लिंग बेहद कम सतह ऊर्जाऔर अति-सूक्ष्म छिद्र, और वायु पारगम्यता अंतरपरत फैल पर निर्भर करता है | आयनएण्डजसंवहन।जखन गर्मी-सीलिंग मशीन पर प्रयोग कयल जाइत अछि, तखन टेपसतह पिघलल फिल्म पर नहि चिपकैत अछि, जखन कि नमी आ वाष्पशील पदार्थ अर्धसूक्ष्मछिद्र परतक किनारक माध्यम सँ बाहर निकालल जा सकैत अछि |

2.5सतहपोस्ट-उपचार:सुपर-ओलियोफोबिक/हाइड्रोफोबिकसंशोधनबिना पोरब्लॉकेज एक अत्यंत पतली (<50nm) परफ्लोरीनयुक्त परत के वाष्प अवक्षेपण के द्वारा प्लाज्माग्राफ्टिंग,सतह के कम सतह ऊर्जा के साथ लेपनाअर्धसूक्ष्मजीवों के भीतरी दीवारों पर बन सकते हैं।इससे छिद्र चैनलों को बंद करने के बिना चिपचिपा पदार्थों द्वारा उत्पन्न होने को और रोकता है | इ उपचार सतह कें 'सूक्ष्म/नै-नौडुअल-फोबिसिटी,'गैर-स्टिक गुण कें एंटी-गंदगी मे अपग्रेड करय छै, लगभग हवा पारगम्यता कें नुकसान कें साथ.

3.संतुलित डिजाइन के लेल विशिष्ट प्रदर्शन संकेतक

इष्टतम रूप स डिजाइन कएल गेल सांस लेबय योग्यPTFEटेप (0.13 मिमीमोटी) एकटाउदाहरण लेब:

4.निष्कर्ष

सांस लेने योग्य टेफ्लॉन उच्च तापमान टेप मे सूक्ष्म छिद्रपूर्ण संरचना के संतुलन आकृति विज्ञान अभियांत्रिकी के माध्यम से अनिवार्य रूप से प्राप्त किया जाता है , तीन गुणों को अलग-अलग संरचनात्मक स्तरों में वितरित करते हुए:

इन्सुलेशन आ गैर-स्टिकपरफॉर्मेंस सतह के नजदीक घनेस्किन या अल्ट्रा-फाइनेमाइक्रोपोर द्वारा प्रदान कयल जाइत अछि;

वायु पारगम्यता आंतरिक रूप स जुडल, कुटिल मैक्रोछिद्रपूर्ण नेटवर्क द्वारा संभालल जाइत अछि | जैसा-जैसने सतह के छिद्र आकार उपसूक्ष्म श्रेणी में नियंत्रित होता है, आंतरिक छिद्रता और मोड़ ढाल संरचना के साथ सटीक रूप से संयोजित होते हैं, टेप एक साथ अच्छी वायु पारगम्यता, इन्सुलेशन, और गैर-छड़ी प्रदर्शन प्राप्त कर सकते हैं व्यापक विनिर्देशों के पार.

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