इ लेख कार्बन फाइबर फ्लैट कंपोजिट उत्पादक मे पीटीएफई उच्च तापमान वाला कपड़ा कें अनुप्रयोगक कें कवर करयत छै. संपीड़न मोल्डिंग: इपोक्सी राल आसंजन रोकय वाला मोल्ड आ prepregs के बीच राखल गेल छै, आसान डिमोल्डिंग सक्षम करय छै; आपसी आसंजन सं बचय कें लेल कईटा पतला पैनल कें बीच सैंडविच कैल गेल छै. वैक्यूम बैग मोल्डिंग: प्रीप्रेग आ ब्रेदर कपड़ा कें बीच पुन: उपयोग करय योग्य रिलीज फिल्म, जे गैस/राल कें गुजरय कें अनुमति देयत छै जखन कि इलाज कें बाद आसान छीलनाय कें सक्षम बनायत छै; बनावट वाला साइड बंधन खुरदरापन मे सुधार कें लेल महीन सतह बनावट कें स्थानांतरित करयत छै, जे सैंडिंग कें समाप्त करयत छै. लगातार उत्पादन: निर्बाध नॉन-स्टिक कन्वेयर बेल्ट हीटिंग/प्रेसिंग जोन कें माध्यम सं प्रीप्रेग कें ले जाय छै; तकिया परत स्थानीयकृत इंडेंटेशन कें कम करयत दबाव कें समान रूप सं वितरित करयत छै.

ई लेख पीटीएफई सतह संशोधन लेली लौ उपचार के व्यवहार्यता के जांच करै छै आरू कोरोना आरू प्लाज्मा उपचार के साथ प्रभाव के तुलना करै छै. व्यवहार्यता: लौ पीटीएफई कें संशोधित कयर सकय छै मुदा औद्योगिक रूप सं बहुत कम उपयोग कैल जायत छै — सुरक्षा जोखिम (पीटीएफई जहरीला एचएफ आ परफ्लूरोआइसोब्यूटाइलीन जारी करयत विघटित भ जायत छै); प्रदर्शन सीमित (सतह ऊर्जा केवल 30-35 mN/m, कमजोर सीमा परत बनाबै छै)। कार्य तंत्र: लौ — क्षणिक उच्च तापमान ऑक्सीकरण (>1000°C), मामूली एचिंग, कुछ ऑक्सीजन समूह; कोरोना — उच्च वोल्टेज निर्वहन स॑ ओजोन/सक्रिय ऑक्सीजन, हल्का ऑक्सीकरण, कम ऊर्जा घनत्व सीएफ बंधन क॑ नै तोड़ी सकै छै; प्लाज्मा — उच्च ऊर्जा वाला कण/इलेक्ट्रॉन/मुक्त कण सीधे सीएफ बंधन क॑ विच्छेद करी क॑ ध्रुवीय समूह (हाइड्रोक्सिल, कार्बोक्सिल, एमिनो) क॑ ग्राफ्ट करी दै छै ।

इ लेख मे कोटिंग मशीन लाइन कें गति आ ओवन कें लंबाई कें मिलान करनाय कें बारे मे जानकारी देल गेल छै ताकि इ सुनिश्चित कैल जा सकय कि ऑर्गेनोसिलिकॉन चिपकय वाला उच्च तापमान पीटीएफई टेप कें लेल लक्ष्य क्यूरींग डिग्री तइक पहुंच जाय. कोर मिलान सिद्धांत: कुल निवास समय t_total = प्रभावी ओवन लंबाई L ÷ लाइन गति v न्यूनतम आवश्यक इलाज समय स कम नहि होबाक चाही. 'तापमान — न्यूनतम इलाज समय' संबंध स्थापित करय वाला डीएससी या चिपकने वाला इलाज परीक्षण कें माध्यम सं इलाज विशेषता प्राप्त करूं. समतुल्य संचयी इलाज मॉडल: ओवन कें क्षेत्रक मे विभाजित करूं, ti=Li/v आ tcure(Ti) कें गणना करूं, ∑(ti/tcure(Ti)) ≥1 सुनिश्चित करूं. गणना प्रक्रिया: लंबाई Li आ तापमान Ti के साथ तापमान क्षेत्र सेट करू; लाइन गति v सेट करूं, प्रत्येक क्षेत्र कें निवास समय आ योगदान अनुपात कें गणना करूं; कुल ≥1 (सुरक्षा मार्जिन 1.1-1.2 अनुशंसित) तक पुनरावृत्ति करू।

ई लेख म॑ मिसाइल इंजन लेली थर्मल इन्सुलेशन क्लैडिंग म॑ पीटीएफई केरऽ कार्य शामिल छै । चारि तंत्र : अंतःतापीय अपघटन — पीटीएफई ~400°C पर टेट्राफ्लोरोइथिलीन (अत्यधिक अंतःतापीय, ~3,000°C दहन गैस एक्सपोजर) मे विबहुलकीकरण करैत अछि, जे भारी गर्मी सोखैत अछि आ दीवारक सतह सँ तापीय ऊर्जा निकालैत अछि । वाष्पीकरण शीतलन आरू गैस फिल्म इन्सुलेशन — अपघटन गैस (टेट्राफ्लोरोइथिलीन) सूक्ष्म-छिद्र के माध्यम स॑ बाहर के तरफ प्रवेश करै छै, सतह के गर्मी क॑ हटाबै छै; बहय वाला गैस फिल्म दीवार सं उच्च तापमान कें दहन गैस कें अलग करय छै, जे दीवार कें पास गर्मी प्रवाह कें >50% कम करय छै; गैस फिल्म सीमा परत केरऽ वेग/तापमान क॑ संशोधित करै छै, जेकरा स॑ कणऽ के कटाव म॑ कमी ​​आबै छै ।

ई लेख म॑ पीटीएफई संरचना आरू गुणऽ प॑ गामा-रे विकिरण केरऽ प्रभाव के बारे म॑ जानकारी देलऽ गेलऽ छै । रासायनिक संरचना में परिवर्तन : गामा किरण सीसी मुख्य श्रृंखला आ सीएफ साइड श्रृंखला (जी-मूल्य 3.0-3.5) के तोड़ैत अछि, जाहि सं श्रृंखला के भारी विच्छेदन आ आणविक भार में कठोर गिरावट होइत अछि ; ऑक्सीजन म॑ मुक्त कण पेरोक्सी कण बनाबै छै जेकरा स॑ एसिल फ्लोराइड आरू कार्बोक्जिलिक एसिड अंत समूह (एचएफ म॑ हाइड्रोलाइजिंग) के परिचय देलऽ जाय छै । संघनित संरचना मे परिवर्तन होइत अछि : स्फटिकता शुरू मे बढ़ैत अछि (कम खुराक, छोट श्रृंखला पुनः व्यवस्थित होइत अछि) तखन गिरैत अछि (अधिक खुराक, दोष क्रिस्टल केँ बाधित करैत अछि); लैमेलर क्रिस्टल छोटऽ-छोटऽ क्रिस्टलाइट्स में विखंडित होय जाय छै जेकरऽ लम्बी दूरी के क्रम गायब होय जाय छै । गुण केरऽ बिगड़ना: ब्रेक प॑ लम्बाइ हवा म॑ 0.1 kGy स॑ घटै छै, ~1kGy प॑ >90% खो जाय छै — सामग्री कठोर आरू भंगुर होय जाय छै; गलनांक 327°C स॑ गिरी क॑ 310°C स॑ नीचें आबी जाय छै; ध्रुवीय समूह ढांकता हुआ स्थिरांक/हानि कनि बढ़बैत अछि; सतह चमक कें नुकसान कें साथ सफेद सं धूसर/कारी मे बदल जायत छै.

ई लेख टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा प॑ पीटीएफई कोटिंग केरऽ क्रिस्टलीयता क॑ नियंत्रित करै के तरीका क॑ कवर करै छै । शीतलन दर नियमन सब सं प्रत्यक्ष आ प्रभावी छै: ठंडा हवा कें पर्दा, शीतलन रोलर या पानी कें टैंक कें माध्यम सं तेजी सं ठंडा करनाय (क्वेंचिंग) — आणविक श्रृंखला क्रमबद्ध व्यवस्था सं पहिले जम जायत छै, जे छोट-छोट अपूर्ण क्रिस्टल बनयत छै; कोटिंग नरम, अनुकूलित नॉन-स्टिक प्रदर्शन के साथ कठोर, कठोरता / पहनने के प्रतिरोध में कनि कम अछि. 10-50°C/घंटा पर ताप संरक्षण अनुभाग कें माध्यम सं धीमा शीतलन (एनीलिंग) या भट्ठी शीतलन — आणविक श्रृंखला पूरा तरह सं पैघ पूर्ण गोलाकार मे व्यवस्थित होयत छै; कोटिंग मे उच्च कठोरता, बकाया पहनने प्रतिरोध, स्थिर आयाम, कम लचीलापन आ बढ़ल भंगुरता छै.

ई लेख म॑ गरम हवा के परिसंचरण सिंटरिंग भट्ठी म॑ टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा के प्रयोग के बारे म॑ जानकारी देलऽ गेलऽ छै । व्यवहार्यता: जाली बेल्ट या ट्रे पर नॉन-स्टिक तकिया कें रूप मे उपयोगी जखन भट्ठी कें तापमान ≤260°C (कम तापमान सुखाय, बाइंडर हटानाय, स्लरी क्यूरिग) — डिमोल्डिंग आ पिकिंग दक्षता मे सुधार करयत छै. मध्यम/उच्च तापमान (300-950°C) पर सख्ती सं निषिद्ध — पीटीएफई विघटित भ जायत छै आ जहरीला एचएफ आ परफ्लूरोआइसोब्यूटाइलीन जारी करयत छै, जे उपकरणक कें जंग खायत छै आ घातक जहर पैदा करयत छै. सुरक्षा सिद्धांत: यदि भट्ठी कें तापमान अस्पष्ट छै या 260°C सं कम गारंटी नहि देल जा सकएय छै, त उपयोग नहि करूं. कोर गुण: निरंतर सेवा -70 ° C से 260 ° C, अल्पकालिक 300 ° C; अत्यधिक नॉन-स्टिक आ रासायनिक जड़ता; उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन; कम घर्षण (~ 0.04); फाइबरग्लास आधार उच्च तन्यता ताकत प्रदान करैत अछि।

ई लेख सिलिकॉन चिपकने वाला परतऽ के क्रॉसलिंक संरचना एकरूपता प॑ अवरक्त विकिरण ताप आरू गर्म-हवा परिसंचरण ताप इलाज विधि के बीच अंतर के तुलना करै छै । ताप हस्तांतरण तंत्र: गर्म-हवा संवहन-चालन पर निर्भर करै छै जेकरा म॑ तापमान म॑ हल्का वृद्धि, छोटऽ आंतरिक/बाहरी तापमान अंतर छै; आईआर म॑ सीमित प्रवेश गहराई छै जेकरा म॑ मजबूत सतह अवशोषण (दस स॑ सैकड़ों माइक्रोमीटर) छै जेकरा स॑ सतह स॑ आंतरिक ढाल खड़ी होय छै । क्रॉसलिंक एकरूपता पर प्रभाव: गर्म-हवा एक समान क्रॉसलिंक घनत्व के साथ अंदर आरू बाहर समकालिक क्यूरींग सक्षम करै छै; आईआर के कारण सतह के परत तेजी स॑ घना 'स्किन फिल्म' बन॑ छै जे ताप चालन आरू आंतरिक श्रृंखला गति म॑ बाधा पहुँचै छै, जेकरा स॑ सतह स॑ आंतरिक भाग म॑ क्रॉसलिंक घनत्व घटै छै ।

इ लेख टेफ्लॉन उच्च तापमान कपड़ा संसेचन उत्पादन लाइन कें लेल विशिष्ट लाइन गति रेंज कें कवर करयत छै. गति सीमा: पारंपरिक पतले उत्पाद (0.08-0.30mm) 0.5-3 मीटर / मिनट पर, 1-3 मीटर / मिनट पर स्थिर; मोटी / बहु-संसेचन उत्पाद (≥0.4 मिमी) 0.3-1 मीटर / मिनट पर; लंबा ओवन वाला उच्च दक्षता वाला लाइन 3-6 मीटर/मिनट तइक पहुंच सकय छै मुदा मांग वाला उपकरण. प्रक्रिया कें बाधाक: सुखाय आ सिंटरिंग कें लेल निवास समय कें आवश्यकता होयत छै (पीटीएफई कें 380-400 डिग्री सेल्सियस पर 1-3 मिनट कें जरूरत छै; अपर्याप्त कारण खराब आसंजन/दरार); गति निश्चित ओवन लंबाई कें तहत न्यूनतम सुखाय/सिंटरिंग समय सं निर्धारित कैल जायत छै. सामग्री बाधा: उच्च ठोस/चिपचिपाहट फैलाव धीरे-धीरे प्रवेश करैत अछि; मोट/घन कपड़ा तरल पदार्थ कें सोखएयत छै आ धीरे-धीरे गर्मी कें स्थानांतरित करएयत छै; चौड़ा कपड़ा किनार-केंद्र रंग अंतर कें प्रवण छै जेकरा गति मे कमी कें आवश्यकता होयत छै. उपकरण आ गुणवत्ता कें ट्रेड-ऑफ: लंबा मल्टी-जोन ओवन बेसि गति कें अनुमति देयत छै.

ई लेख निलंबन बहुलकीकरण बनाम फैलाव बहुलकीकरण द्वारा उत्पादित पीटीएफई पायस के बीच अंतर क॑ कवर करै छै । स्पष्टीकरण: निलंबन बहुलकीकरण सीधा पीटीएफई पायस पैदा नहि क सकैत अछि; असली पीटीएफई पायस केवल फैलाव बहुलकीकरण स आबै छै. 'निलंबन-विधि पायस' वास्तव में जमीन निलंबन-बहुलक राल माइक्रोपाउडर के जलीय निलंबन छै. फैलाव बहुलकीकरण (प्राथमिक पायस): गोलाकार कण (0.1-0.3μm, संकीर्ण वितरण), परफ्लोरिनेटेड सरफैक्टेंट, अत्यंत उच्च आणविक भार (>94% क्रिस्टलीयता), मजबूत फिब्रिलेशन द्वारा स्थिर, लगातार कठोर फिल्म बनाने के लिए 380°C सिंटरिंग के आवश्यकता छै.