२०२६-०७-२३ ई.
इ लेख मे कोटिंग मशीन लाइन कें गति आ ओवन कें लंबाई कें मिलान करनाय कें बारे मे जानकारी देल गेल छै ताकि इ सुनिश्चित कैल जा सकय कि ऑर्गेनोसिलिकॉन चिपकय वाला उच्च तापमान पीटीएफई टेप कें लेल लक्ष्य क्यूरींग डिग्री तइक पहुंच जाय. कोर मिलान सिद्धांत: कुल निवास समय t_total = प्रभावी ओवन लंबाई L ÷ लाइन गति v न्यूनतम आवश्यक इलाज समय स कम नहि होबाक चाही. 'तापमान — न्यूनतम इलाज समय' संबंध स्थापित करय वाला डीएससी या चिपकने वाला इलाज परीक्षण के माध्यम सं इलाज विशेषता प्राप्त करू. समतुल्य संचयी इलाज मॉडल: ओवन कें क्षेत्र मे विभाजित करूं, ti=Li/v आ tcure(Ti) कें गणना करूं, ∑(ti/tcure(Ti)) ≥1 सुनिश्चित करूं. गणना प्रक्रिया: लंबाई Li आ तापमान Ti के साथ तापमान क्षेत्र सेट करू; लाइन गति v सेट करूं, प्रत्येक क्षेत्र कें निवास समय आ योगदान अनुपात कें गणना करूं; कुल ≥1 (सुरक्षा मार्जिन 1.1-1.2 अनुशंसित) तक पुनरावृत्ति करू।
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२०२६-०७-२२ ई.
ई लेख टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा प॑ पीटीएफई कोटिंग केरऽ क्रिस्टलीयता क॑ नियंत्रित करै के तरीका क॑ कवर करै छै । शीतलन दर नियमन सब सं प्रत्यक्ष आ प्रभावी छै: ठंडा हवा कें पर्दा, शीतलन रोलर या पानी कें टैंक कें माध्यम सं तेजी सं ठंडा करनाय (क्वेंचिंग) — आणविक श्रृंखला क्रमबद्ध व्यवस्था सं पहिले जम जायत छै, जे छोट-छोट अपूर्ण क्रिस्टल बनयत छै; कोटिंग नरम, अनुकूलित नॉन-स्टिक प्रदर्शन के साथ कठोर, कठोरता / पहनने के प्रतिरोध में कनि कम अछि. 10-50°C/घंटा पर ताप संरक्षण अनुभाग कें माध्यम सं धीमा शीतलन (एनीलिंग) या भट्ठी शीतलन — आणविक श्रृंखला पूरा तरह सं पैघ पूर्ण गोलाकार मे व्यवस्थित होयत छै; कोटिंग मे उच्च कठोरता, बकाया पहनने प्रतिरोध, स्थिर आयाम, कम लचीलापन आ बढ़ल भंगुरता छै.
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२०२६-०७-२२ ई.
ई लेख म॑ गरम हवा केरऽ परिसंचरण सिंटरिंग भट्ठी म॑ टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा केरऽ प्रयोग के बारे म॑ जानकारी देलऽ गेलऽ छै । व्यवहार्यता: जाली बेल्ट या ट्रे पर नॉन-स्टिक तकिया कें रूप मे उपयोगी जखन भट्ठी कें तापमान ≤260°C (कम तापमान सुखाय, बाइंडर हटानाय, स्लरी क्यूरिग) — डिमोल्डिंग आ पिकिंग दक्षता मे सुधार करयत छै. मध्यम/उच्च तापमान (300-950°C) पर सख्ती सं निषिद्ध — पीटीएफई विघटित भ जायत छै आ जहरीला एचएफ आ परफ्लूरोआइसोब्यूटाइलीन छोड़यत छै, जे उपकरणक कें जंग खायत छै आ घातक जहर पैदा करयत छै. सुरक्षा सिद्धांत: यदि भट्ठी कें तापमान अस्पष्ट छै या 260°C सं कम गारंटी नहि देल जा सकएय छै, त उपयोग नहि करूं. कोर गुण: निरंतर सेवा -70 ° C से 260 ° C, अल्पकालिक 300 ° C; अत्यधिक नॉन-स्टिक आ रासायनिक जड़ता; उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन; कम घर्षण (~ 0.04); फाइबरग्लास आधार उच्च तन्यता ताकत प्रदान करैत अछि।
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२०२६-०७-२२ ई.
ई लेख सिलिकॉन चिपकने वाला परतऽ के क्रॉसलिंक संरचना एकरूपता प॑ इन्फ्रारेड विकिरण ताप आरू गर्म-हवा परिसंचरण ताप इलाज विधि के बीच अंतर के तुलना करै छै । ताप हस्तांतरण तंत्र: गरम-हवा हल्का तापमान वृद्धि, छोटऽ आंतरिक/बाहरी तापमान अंतर के साथ संवहन-चालन पर निर्भर करै छै; आईआर म॑ सीमित प्रवेश गहराई छै जेकरा म॑ मजबूत सतह अवशोषण (दस स॑ सैकड़ों माइक्रोमीटर) होय छै जेकरा स॑ सतह स॑ आंतरिक ढाल खड़ी होय छै । क्रॉसलिंक एकरूपता पर प्रभाव: गर्म-हवा एक समान क्रॉसलिंक घनत्व के साथ अंदर आरू बाहर समकालिक क्यूरींग सक्षम करै छै; आईआर के कारण सतह परत तेजी स॑ घना 'स्किन फिल्म' बन॑ छै जे गर्मी चालन आरू आंतरिक श्रृंखला गति म॑ बाधा पहुँचै छै, जेकरा स॑ सतह स॑ आंतरिक भाग म॑ क्रॉसलिंक घनत्व घटै छै ।
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२०२६-०७-२१ ई.
ई लेख निलंबन बहुलकीकरण बनाम फैलाव बहुलकीकरण द्वारा उत्पादित पीटीएफई पायस के बीच अंतर क॑ कवर करै छै । स्पष्टीकरण: निलंबन बहुलकीकरण सीधा पीटीएफई पायस पैदा नहि क सकैत अछि; असली पीटीएफई पायस केवल फैलाव बहुलकीकरण स आबै छै. 'निलंबन-विधि पायस' वास्तव में जमीन निलंबन-बहुलक राल माइक्रोपाउडर के जलीय निलंबन छै. फैलाव बहुलकीकरण (प्राथमिक पायस): गोलाकार कण (0.1-0.3μm, संकीर्ण वितरण), परफ्लोरिनेटेड सरफैक्टेंट, अत्यंत उच्च आणविक भार (>94% क्रिस्टलीयता), मजबूत फिब्रिलेशन द्वारा स्थिर, लगातार कठोर फिल्म बनाने के लिए 380°C सिंटरिंग के आवश्यकता छै.
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२०२६-०७-१८ ई.
इ लेख मे टेफ्लॉन टेप कें लेल क्यूरींग प्रक्रिया विंडो सं पेरोक्साइड क्रॉसलिंकिंग एजेंट (बीपीओ आ डीसीपी) कें अपघटन तापमान आ आधा जीवन कें कोना मिलान कैल जै कें बारे मे जानकारी देल गेल छै. कोर डेटा: बीपीओ — ~ 131 ° C पर 1 मिनट आधा जीवन, ~ 92 ° C पर 1 घंटा, ~ 72 ° C पर 10 घंटा; डीसीपी — ~ 171 डिग्री सेल्सियस पर 1 मिनट, ~ 135 डिग्री सेल्सियस पर 1 घंटा, ~ 115 डिग्री सेल्सियस पर 10 घंटा। मिलान तर्क: चिपकने वाला के जरूरत 97-99% क्रॉसलिंकिंग = 5-7 आधा जीवन; इलाज समय = 5-7 × लक्ष्य तापमान पर आधा जीवन। उत्पादन लाइन निवास समय सं तापमान कें वापस गणना करूं या अधिकतम अनुमेय तापमान सं समय कें वापस गणना करूं.
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२०२६-०७-१७ ई.
इ लेख पीटीएफई उच्च तापमान कपड़ा संसेचन उत्पादन लाइन कें लेल विशिष्ट लाइन गति सीमा कें कवर करयत छै. विशिष्ट गति: 2-15 मीटर/मिनट, स्थिर संचालन रेंज 3-8 मीटर/मिनट, पतले कपड़ा/उच्च गति लाइन 10-15 मीटर/मिनट तक। संसेचन पैठ सं बाधाक: कपड़ा कें फाइबर बंडल कें इंटीरियर मे पीटीएफई पायस सं पूरा तरह सं संतृप्त होनाय आवश्यक छै — बहुत अधिक गति सं अपर्याप्त संसेचन, राल कें भूखमरी आ सूखा फाइबर कें कारण बनय छै; पायस चिपचिपाहट, ठोस सांद्रता, कपड़ा बुनाई घनत्व सब पैठ दर कें कम करय छै, जे मोट/घन कपड़ा कें लेल धीमी गति कें आवश्यकता होयत छै. कोटिंग पास: घना दोष मुक्त कोटिंग कें लेल आवश्यक कई पास (2-6+); फर्स्ट पास एंकरिंग कें लेल धीमा, बाद कें पास मध्यम रूप सं बढ़ाएल जा सकय छै.
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२०२६-०७-१७ ई.
ई लेख सिलिकॉन चिपकने वाला परत के क्रॉसलिंक संरचना एकरूपता पर अवरक्त विकिरण ताप आरू गर्म-हवा परिसंचरण ताप के बीच अंतर के तुलना करै छै. ताप हस्तांतरण तंत्र : गरम-हवा संवहन-चालन, कोमल आ प्रगतिशील छै, जे मध्यम तापमान ढाल बनाबै छै; आईआर तीव्र सतह अवशोषण (माइक्रोमीटर स॑ मिलीमीटर) के साथ विकिरण-अवशोषण छै जेकरा स॑ सतह स॑ आंतरिक ढाल खड़ी पैदा होय छै । क्रॉसलिंक घनत्व वितरण पर प्रभाव: गर्म-हवा भीतरी आरू बाहरी भाग क॑ लगभग एक साथ वल्केनाइजेशन तापमान सीमा म॑ प्रवेश करै के अनुमति दै छै, जेकरा स॑ मोटाई के साथ एक समान क्रॉसलिंक घनत्व मिलै छै; आईआर के कारण सतह के परत तुरंत ठीक होय जाय छै आरू घना त्वचा बन॑ छै जे गर्मी हस्तांतरण म॑ बाधा पहुँचै छै, जेकरऽ परिणामस्वरूप सतह स॑ भीतर के तरफ क्रॉसलिंक घनत्व के तेज ढाल घटै छै ।
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२०२६-०७-१७ ई.
ई लेख उच्च सिलिका ग्लास फाइबर कपड़ा केरऽ सिलिका सामग्री आरू अनुप्रयोग परिदृश्य क॑ कवर करै छै । सिलिका सामग्री विनिर्देश: कोर संकेतक SiO2 ≥96% (मानक 96-98%, एसिड लीचिंग आ सिंटरिंग कें माध्यम सं प्रीमियम ग्रेड >99%, शुद्ध क्वार्ट्ज फाइबर कें नजदीक आ रहल छै) छै. निर्माण : ई-ग्लास कपड़ा गैर-सिलिका घटक (बोरॉन ऑक्साइड, सोडियम ऑक्साइड) क॑ घुलै लेली गरम एसिड लीचिंग स॑ गुजरै छै, जेकरा स॑ झरझरा उच्च-सिलिका कंकाल बन॑ छै, जेकरा बाद घनत्व लेली सिंटर करलऽ जाय छै । मूल लाभ: ऑक्सीकरण करय वाला वातावरण मे 900°C पर लगातार सेवा, 1200°C सं ऊपर अल्पकालिक, 1700°C के पास नरमी बिंदु; एचएफ आ गरम फॉस्फोरिक एसिड कें छोड़िक कें अधिकांश एसिड/क्षार कें विरु द्ध रासायनिक स्थिरता; कम ढांकता हुआ स्थिरांक आ उच्च तापमान पर स्थिर इन्सुलेशन।
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२०२६-०७-१६ ई.
ई लेख म॑ टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा के सूक्ष्म संरचनात्मक विशेषता के वर्णन करलऽ गेलऽ छै । सब्सट्रेट कंकाल: उच्च छिद्रता वाला सादा/ट्विल बुनाई मे ग्लास फाइबर बुनाई बनावट (फाइबर बंडल कें भीतर आ वार्प-वेफ्ट नोड्स पर माइक्रोन-स्केल छिद्र) जे पीटीएफई संसेचन कें लेल जगह प्रदान करएयत छै. कोटिंग आकृति विज्ञान: पूर्ण संसेचन कैप्सूलीकरण 'प्रबलित कंक्रीट' संरचना बना रहल छै जतय ग्लास फाइबर सुदृढीकरण चरण छै, पीटीएफई लगातार मैट्रिक्स छै; सिंटरिंग के दौरान बनल महीन रेशे द्वारा परस्पर जुड़ल गांठ (कण) के सतह गांठदार सूक्ष्म संरचना; रासायनिक अक्रियता, नॉन-स्टिक गुण, आ विद्युत इन्सुलेशन कें लेल प्रमुख बाधा कें रूप मे शुद्ध पीटीएफई कें लगातार घना त्वचा परत (कई सं दस माइक्रोन मोटाई)।
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