सांस लेवे वाला टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला टेप के माइक्रोपोरस संरचना डिजाइन इन्सुलेशन अवुरी नॉन स्टिक गुण के संगे हवा के पारगम्यता के संतुलन कईसे क सकता?

जियांगसूटेफ्लॉनउच्च-तापमानककपड़ानिर्माता–जियांगसूआओकाईनया सामग्री प्रौद्योगिकी कंपनी लिमिटेड याद दिलावत बा कि ई अनिवार्य रूप से छिद्रपूर्ण संरचना आ सतह / थोक कार्यात्मक गुणन के बीच तालमेल के मामला ह।

1.सूक्ष्मछिद्रपूर्ण संरचना आ गुण के बीच टकराव के स्रोत वायु पारगम्यता खातिर खुला छिद्र के एक दोसरा से जोड़ल जरूरी होला, जवना में कुटिल चैनल से गैस गुजरल होला।पारगम्यता दर छिद्र व्यास के वर्ग आ छिद्रता के आनुपातिक होला, आ छिद्र चैनल के मोड़ के विपरीत आनुपातिक होला।

इन्सुलेशन(डैइलेक्ट्रिकस्ट्रेंथ) के बा। सामग्री के घनत्व पर निर्भर करेला।पीटीएफईमैट्रिक्स में हवा (~3kV/मिमी के कम ब्रेकडाउनफील्ड ताकत के साथ) के मिश्रण के बराबर सूक्ष्मजीव पेश कइल, आ खुला छिद्र आंशिक डिस्चार्ज आ रेंगपेज ट्रैकिंग खातिर संभावित रास्ता प्रदान करेला।छिद्रता के अधिकता आ छिद्र के माध्यम से सीधा, ड्रॉपिन टूटल डाउनवोल्टेज ओतने महत्वपूर्ण होला।

वायु पारगम्यता बनाम गैर-छड़ी गुण: 1। गैर-छड़ी के गुणPTFE के बेहद कम सतह ऊर्जा (~ 18mN/m) से उत्पन्न होला आ सतह के चिकनी होला।सूक्ष्मछिद्र सतह के खुरदरापन आ वास्तविक संपर्क क्षेत्र में वृद्धि करेला;पिघल सामग्री या चिपचिपामीडिया हो सकेला एट्रेटथेमाइक्रोपोर, 'यांत्रिक इंटरलॉकिंग' बनावेला जवन कि आसंजन के बजाय पैदा करेला।एह से, सामग्री के एक साथ हवा के पारगम्यता आ सतह के गीलापन आ पैठ के प्रतिरोध हासिल करे के चाहीं।

2.संतुलित डिजाइन के कोर दृष्टिकोण:मेसोस्कोपिक संरचनात्मक पैरामीटर के सिनर्जिस्टिकमॉड्यूलेशन संतुलन के कुंजी दोसरा खातिर एक संपत्ति के बलिदान ना करेला, लेकिन छिद्र आकार, छिद्रता, छिद्र ढाल, मरोड़, आ सतह के उपचार के समन्वय से ट्यून क के एक साथ तीन आवश्यकता के पूरा करेला।

2.1औसत छिद्रव्यास (0.1-2μm) आ संकीर्ण छिद्र आकारवितरण के नियंत्रित करीं इन्सुलेशन खातिर: जब छिद्र के आकार इलेक्ट्रॉन से बहुत छोट होला के मतलब होला मुक्त रास्ताआंशिक डिस्चार्ज खातिर आरंभ के आकार, हवा के अंतराल में टूटल अभी भी पासचेन के नियम के पालन करेला;हालांकि, बेहद महीन सूक्ष्मजीव (सबमाइक्र ऑनस्केल)ब्रेकडाउनवोल्टेज में काफी बढ़ोतरी कर सकेला।अध्ययन से पता चलता कि जब औसत पोरीड मीटर 0.5μm से नीचे के संदेह होखे त 50 माइक्रोन मोटाई के पीटीएफईफिल्म के डीसीब्रेकडाउन ताकत अभी भी 40kV/mm से ऊपर पहुंच सकेला।

नॉन-स्टिकपरफॉर्मेंस खातिर: जब छिद्र आकारगर्म-पिघलने वाला पदार्थ (जइसे कि, पीई,पीपी) के आणविक श्रृंखला त्रिज्या या पिघलना चिपचिपाहट के द्वारा निर्धारित महत्वपूर्ण प्रवेश आकार से छोट होखे, त पिघलल सूक्ष्मजीव के छान ना सकेला सतह पर edPTFEfibril, परिणामस्वरूप बहुत छोट वास्तविक संपर्क क्षेत्र, लेकिन गैर-स्टिक गुण अप्रभावित रहेला।आम तौर पर, सतह के छिद्र 0.5μm से छोट सबसे थोट-पिघलने वाला पदार्थ के प्रवेश के प्रभावी ढंग से रोक सकता।

2.2नियंत्रणछिद्रतासीनामध्यम रेंज(50%–70%) के बा।

औजार के छिद्रपूर्णता (<30%)व्यावहारिक हवा पारगम्यता ना दे सके ला;बहुत ढेर (> 80%) ठोस सामग्री के बहुत ढेर कम क देला, जेकरा चलते इन्सुलेशन आ यांत्रिक गुण सभ में तेज गिरावट हो जाला। एटापोरोसिटी के आसपास 60%, हवा के पारगम्यता (गुर्ली वैल्यू) के 20-100s/100cc के भीतर नियंत्रित कइल जा सके ला, जबकि 0.13 मिमी मोटाई के फिल्म ≥2kV के डाइइलेक्ट्रिक ताकत के बरकरार रख सके ला, जवन कि सबसे थट-सीलिंग इन्सुलेशन के जरूरत के पूरा करे ला।

 .

पीटीएफई के 'नोड-फाइब्रिल'संरचना स्वभावतःशाइटओरट्यूओसिटी (τ≈2.54) के रूप में होला।गैस के घुमावदार रास्ता से गुजरे के चाहीं, जवन हवा टूटे के रास्ता के विस्तार करेला आ सीधे डिस्चार्ज चैनल के गठन के प्रभावी ढंग से दबा देला। उच्च मोड़ से वर्ग संबंध से छिद्र आकार पर उचित पारगम्यता के निर्भरता के कमजोर किरोन तक कम हो जाला, जवना से थोड़ा बड़ छिद्र के अपना इन्सुलेशन विश्वसनीयता के आदान-प्रदान में इस्तेमाल करे के अनुमति मिलेला।

2.4निर्माणअसममित ढालछिद्रसंरचना–घन सतह,छिद्रपूर्णआंतरिक घनसतहचमड़ी परत(मोटाई1-5μm)

हीटकैलेंडरिंग के माध्यम से, अल्पकालिक उच्च तापमान के इंटरिंग, या अल्ट्रा-थिनफ्लोरोपॉलिमर (जइसे कि, टेफ्लॉनएएफ) के साथ कोटिंग के माध्यम से, काम करे वाली वस्तु के साथ सतह के संपर्क सतह के समान सघन फिल्म के रूप में प्राप्त करेला।माइक्रोछिद्र नैनोमीटर पैमाना पर बंद हो जाला या आंशिक रूप से पिघलल आ सील कइल जाला, गैर-स्टिक प्रदर्शन आ बढ़ल इन्सुलेशन हासिल कइल जाला। बल्क में बहुत छिद्रपूर्ण सांस लेवे लायक परत होला: त्वचा के परत के नीचे, सामग्री अभी भी एक दूसरा से जुड़ल सूक्ष्मजीव के बहुत छिद्रपूर्ण नेटवर्क के बरकरार रखेला।गैस्कन त्वचा में अवशिष्ट नैनो आकार के छिद्र के माध्यम से किनारे के माध्यम से पार्श्विक रूप से आ अनुदैर्ध्य रूप से संचारित हो सकेला, अधिक पारगम्यता के बरकरार रखेला।

असर बा: 1। इन्सुलेशन घन परत के प्रधानता होला, गैर-स्टिकपरफॉर्मेंस के बीमा घन परत के लिंग से बेहद कम सतह ऊर्जा आ अल्ट्रा-फाइने पोर, आ वायु पारगम्यता अंतरपरत फैलल पर निर्भर करेला आयनएंडजसंवहन।जब हीट-सीलिंग मशीन पर इस्तेमाल कइल जाला, टेपसतह पिघलल फिल्म से चिपक ना जाला, जबकि नमी आ वाष्पशील पदार्थ के आधा सूक्ष्मछिद्र परत के किनारे से बाहर निकालल जा सकेला।

2.5सतहपोस्ट-इलाज:सुपर-ओलियोफोबिक/हाइड्रोफोबिकसंशोधनबिना पोरब्लॉकेज के प्लाज्माग्राफ्टिंग ऑफफ्लोरीनेटेड मोनोमर या बेहद पतली (<50nm) परफ्लोरिनेटेड परत के वाष्प अवक्षेपण द्वारा, एक कोटिंग के साथ कम सतह ऊर्जा के साथ ही सूक्ष्मजीवों के भीतरी दीवार पर बन सकता बा। एह उपचार से सतह के 'माइक्रो/नैनोडुअल-फोबिसिटी,'गैर-स्टिक गुण के एंटी-गंदगी में अपग्रेड कइल जाला, लगभग हवा के पारगम्यता के नुकसान ना होला।

3.संतुलित डिजाइन खातिर ठेठ प्रदर्शन संकेतक

इष्टतम रूप से डिजाइन कइल गइल सांस लेवे वालापीटीएफटेप (0.13 मिमीमोटी) के एगो उदाहरण के रूप में ले रहल बानी:

4.निष्कर्ष के बा

सांस लेवे लायक टेफ्लॉन उच्च तापमान टेप में सूक्ष्म छिद्रपूर्ण संरचना के संतुलन अनिवार्य रूप से आकृति विज्ञान इंजीनियरिंग के माध्यम से हासिल कइल जाला , तीन गुण के अलग-अलग संरचनात्मक स्तर में वितरित कइल जाला:

इन्सुलेशन आ गैर-स्टिकपरफार्मेंस सतह के नजदीक के घनत्व या अल्ट्रा-फाइनेमाइक्रोपोर द्वारा उपलब्ध करावल जाला;

वायु पारगम्यता के आंतरिक रूप से जुड़ल, कुटिल मैक्रोपोरसनेटवर्क द्वारा संभालल जाला। जइसे-जइसे सतह के छिद्र आकार उपमाइक्रोन रेंज में नियंत्रित होला, आंतरिक छिद्रता आ घुमावदारता ढाल संरचना के साथ सटीक रूप से संयोजित होला, टेप एक साथ व्यापक विनिर्देशन में अच्छा वायु पारगम्यता, इन्सुलेशन, आ गैर-स्टिक प्रदर्शन हासिल कर सकेला।

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