एह लेख में कोटिंग मशीन के लाइन के गति आ ओवन के लंबाई के मिलान कइसे कइल जाला ताकि ई सुनिश्चित कइल जा सके कि ऑर्गेनोसिलिकॉन चिपकावे वाला उच्च तापमान वाला पीटीएफई टेप खातिर लक्ष्य क्यूरींग डिग्री तक पहुँच जाव। कोर मिलान सिद्धांत: कुल निवासपीटीएफई पायस एगो अपग्रेड उत्पाद हवे जे परंपरागत पीएफओए युक्त बहुलकीकरण प्रक्रिया सभ के जगह लेवे खातिर बिकसित कइल गइल बा। ई पीटीएफई के मूल गुण सभ के बरकरार रखे ला जबकि पर्यावरण के अनुकूलता आ स्वास्थ्य सुरक्षा में बहुत बढ़ती करे ला।

एह लेख में टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा पर पीटीएफई कोटिंग के क्रिस्टलीयता के नियंत्रित करे के तरीका सभ के बारे में बतावल गइल बा। कूलिंग रेट रेगुलेशन सभसे सीधा आ कारगर होला: ठंडा हवा के पर्दा, कूलिंग रोलर भा पानी के टैंक के माध्यम से तेजी से ठंडा (क्वेंचिंग) — आणविक चेन सभ क्रमबद्ध ब्यवस्था से पहिले जम जालीं, छोट-छोट अपूर्ण क्रिस्टल सभ के निर्माण करे लीं; कोटिंग नरम, अनुकूलित नॉन स्टिक प्रदर्शन के साथ कठोर बा, कठोरता / पहनने के प्रतिरोध में थोड़ा कम हो गईल बा। 10-50°C/घंटा पर ताप संरक्षण खंड के माध्यम से धीमा ठंडा (एनीलिंग) भा भट्ठी से ठंडा कइल — आणविक श्रृंखला सभ पूरा तरीका से बड़हन पूरा स्फेरुलाइट्स में ब्यवस्था हो जालीं; कोटिंग में उच्च कठोरता, बकाया पहनने के प्रतिरोध, स्थिर आयाम, कम लचीलापन आ बढ़ल भंगुरता होला।

एह लेख में गरम हवा के परिसंचरण सिंटरिंग भट्ठी में टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा के लगावे के बारे में बतावल गइल बा। व्यवहार्यता: जाली बेल्ट या ट्रे पर नॉन-स्टिक तकिया के रूप में उपयोगी जब भट्ठी के तापमान ≤260°C (कम-तापमान सुखावे, बाइंडर हटावे, स्लरी क्यूरिग) — डिमोल्डिंग आ पिकिंग दक्षता में सुधार करेला। मध्यम/उच्च तापमान (300-950°C) पर सख्ती से मना कइल गइल बा — पीटीएफई विघटित हो के जहरीला एचएफ आ परफ्लूरोआइसोब्यूटाइलीन छोड़ देला, उपकरण सभ के जंग लगावे ला आ घातक जहर पैदा करे ला। सुरक्षा सिद्धांत: अगर भट्ठी के तापमान अस्पष्ट बा या 260°C से नीचे के गारंटी ना दिहल जा सके, त एकर इस्तेमाल मत करीं। कोर गुण: लगातार सेवा -70 डिग्री सेल्सियस से 260 डिग्री सेल्सियस, अल्पकालिक 300 डिग्री सेल्सियस; चरम नॉन-स्टिक आ रासायनिक जड़ता; बेहतरीन बिजली के इन्सुलेशन बा; कम घर्षण (~ 0.04) के बा; फाइबरग्लास आधार उच्च तन्यता ताकत प्रदान करेला।

ई लेख सिलिकॉन चिपकावे वाला परत सभ के क्रॉसलिंक संरचना एकरूपता पर इन्फ्रारेड रेडिएशन हीटिंग आ हॉट-एयर सर्कुलेशन हीटिंग क्यूरींग तरीका सभ के बीच के अंतर के तुलना करे ला। ताप हस्तांतरण तंत्र: गरम-हवा संवहन-चालन पर निर्भर होले जेह में तापमान में हल्का बढ़ती, छोट आंतरिक/बाहरी तापमान के अंतर होला; आईआर में पैठ के गहराई सीमित होला आ सतह के मजबूत सोखल (दस से सैकड़न माइक्रोमीटर) होला जे सतह से अंदरूनी ढाल के खड़ा होला। क्रॉसलिंक एकरूपता पर परभाव: गरम-हवा एक समान क्रॉसलिंक घनत्व के साथ अंदर आ बाहर सिंक्रनाइज़ क्यूरींग के सक्षम बनावे ले; आईआर के कारण सतह के परत तेजी से घना 'स्किन फिल्म' बने ले जे गर्मी के चालन आ आंतरिक श्रृंखला के गति में बाधा पैदा करे ला, जेकरा चलते सतह से अंदरूनी हिस्सा में क्रॉसलिंक घनत्व घटत रहे ला।

एह लेख में निलंबन बहुलकीकरण बनाम फैलाव बहुलकीकरण से पैदा होखे वाला पीटीएफई पायस सभ के बीच के अंतर के बारे में बतावल गइल बा। स्पष्टीकरण: निलंबन बहुलकीकरण सीधे पीटीएफई पायस पैदा ना कर सकेला; असली पीटीएफई पायस केवल फैलाव बहुलकीकरण से आवेला। 'निलंबन-विधि पायस' वास्तव में पिसल निलंबन-बहुलक राल माइक्रोपाउडर के जलीय निलंबन हवे। फैलाव बहुलकीकरण (प्राथमिक पायस): गोलाकार कण (0.1-0.3μm, संकरी बितरण), परफ्लूरिनेटेड सरफैक्टेंट सभ द्वारा स्थिर कइल गइल, बेहद ढेर आणविक भार (>94% क्रिस्टलीयता), मजबूत फाइब्रिलेशन, लगातार कड़ा फिलिम बनावे खातिर 380°C सिंटरिंग के जरूरत होला।

एह लेख में टेफ्लॉन टेप खातिर क्यूरिग प्रक्रिया विंडो के साथ पेरोक्साइड क्रॉसलिंकिंग एजेंट (बीपीओ आ डीसीपी) के अपघटन तापमान आ आधा जीवन के मिलान कइसे कइल जाला। कोर डेटा: बीपीओ — ~ 131 ° C पर 1 मिनट आधा जीवन, ~ 92 ° C पर 1 घंटा, ~ 72 ° C पर 10 घंटा; डीसीपी — ~ 171 डिग्री सेतर्क: चिपकावे वाला के 97-99% क्रॉसलिंकिंग = 5-7 आधा जीवन के जरूरत होला; इलाज के समय = 5-7 × लक्ष्य तापमान पर आधा जीवन। उत्पादन लाइन निवास समय से तापमान के वापस गणना करीं या अधिकतम अनुमत तापमान से समय के वापस गणना करीं।

एह लेख में पीटीएफई उच्च तापमान वाला कपड़ा संसेचन उत्पादन लाइन खातिर ठेठ लाइन गति रेंज के कवर कइल गइल बा। ठेठ गति: 2-15 मीटर / मिनट, स्थिर संचालन रेंज 3-8 मीटर / मिनट, पतले कपड़ा / उच्च गति लाइन 10-15 मीटर / मिनट तक। संसेचन के पैठ से होखे वाली बाधा: कपड़ा के फाइबर बंडल के इंटीरियर में पीटीएफई पायस से पूरा तरीका से संतृप्त होखे के चाहीं — बहुत तेज गति से अपर्याप्त संसेचन, राल के भूखमरी आ सूखा फाइबर सभ के कारण होला; पायस के चिपचिपाहट, ठोस पदार्थ के एकाग्रता, कपड़ा के बुनाई के घनत्व सभ पैठ दर के कम करे ला, मोट/घन कपड़ा सभ खातिर धीमा गति के जरूरत होला। कोटिंग पास: घना दोष मुक्त कोटिंग खातिर कई गो पास (2-6+) के जरूरत होला; पहिला पास एंकरिंग खातिर धीमा होला, बाद के पास के मध्यम रूप से बढ़ावल जा सके ला।

एह लेख में सिलिकॉन चिपकावे वाला परत के क्रॉसलिंक संरचना एकरूपता पर इन्फ्रारेड रेडिएशन हीटिंग आ हॉट-एयर सर्कुलेशन हीटिंग के बीच के अंतर के तुलना कइल गइल बा। ताप हस्तांतरण के तंत्र: गरम-हवा संवहन-चालक, कोमल आ प्रगतिशील होले, मध्यम तापमान के ढाल पैदा करे ले; आईआर विकिरण-अवशोषण हवे जेह में सतह के तीव्र सोखना (माइक्रोमीटर से मिलीमीटर) होला जे सतह से आंतरिक ढाल के खड़ा बनावे ला। क्रॉसलिंक घनत्व बितरण पर परभाव: गरम-हवा भीतरी आ बाहरी हिस्सा सभ के लगभग एक साथ वल्केनाइजेशन तापमान रेंज में प्रवेश करे के इजाजत देले, जेकरा से मोटाई के साथ एक समान क्रॉसलिंक घनत्व मिले ला; आईआर के कारण सतह के परत तुरंत ठीक हो जाले आ घना त्वचा बने ले जे गर्मी के हस्तांतरण में बाधा पैदा करे ले, जेकरा चलते सतह से भीतर के ओर क्रॉसलिंक घनत्व के तेज ढाल कम हो जाला।

एह लेख में हाई-सिलिका ग्लास फाइबर कपड़ा के सिलिका सामग्री आ आवेदन के परिदृश्य के बारे में बतावल गइल बा। सिलिका सामग्री विनिर्देश: कोर संकेतक SiO2 ≥96% (मानक 96-98%, एसिड लीचिंग आ सिंटरिंग के माध्यम से प्रीमियम ग्रेड >99%, शुद्ध क्वार्ट्ज फाइबर के नजदीक आवत) बा। निर्माण: ई-ग्लास कपड़ा में गैर-सिलिका घटक (बोरॉन ऑक्साइड, सोडियम ऑक्साइड) के घुल जाए खातिर गरम एसिड लीचिंग होला, जेकरा से झरझरा हाई-सिलिका कंकाल बने ला, फिर घनत्व खातिर सिंटर कइल जाला। मूल फायदा: ऑक्सीडाइजिंग वातावरण में 900°C पर लगातार सेवा, 1200°C से ऊपर अल्पकालिक, 1700°C के लगे नरमी बिंदु; एचएफ आ गरम फॉस्फोरिक एसिड के छोड़ के ज्यादातर एसिड/क्षार सभ के खिलाफ रासायनिक स्थिरता; कम ढांकता हुआ स्थिरांक आ उच्च तापमान पर स्थिर इन्सुलेशन।

एह लेख में टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला कपड़ा के सूक्ष्म संरचनात्मक विशेषता के वर्णन कइल गइल बा। सब्सट्रेट कंकाल: सादा/ट्विल बुनाई में ग्लास फाइबर बुनाई के बनावट के साथ उच्च छिद्रता (फाइबर बंडल के भीतर आ वार्प-वेफ्ट नोड पर माइक्रोन-स्केल के छिद्र) पीटीएफई संसेचन खातिर जगह उपलब्ध करावे ला। कोटिंग आकृति बिज्ञान: पूरा संसेचन कैप्सूलीकरण 'प्रबलित कंक्रीट' संरचना के निर्माण जहाँ कांच के रेशा सुदृढीकरण चरण हो रहल बा, पीटीएफई लगातार मैट्रिक्स हवे; सिंटरिंग के दौरान बनल महीन फाइब्रिल सभ से आपस में जुड़ल गांठ (कण) सभ के सतह के गांठदार सूक्ष्म संरचना; रासायनिक जड़ता, नॉन-स्टिक गुण, आ बिजली के इन्सुलेशन खातिर प्रमुख बाधा के रूप में शुद्ध पीटीएफई के लगातार घना त्वचा परत (कई से दस माइक्रोन मोटाई)।