ऑर्गेनोसिलिकॉन चिपकने वाला परत के क्रॉस-लिंक संरचना के एकरूपता पर इन्फ्रारेड रेडिएशन हीटिंग आ हॉट एयर सर्कुलेशन हीटिंग क्यूरींग विधि के प्रभाव में अंतर

के ताप हस्तांतरण तंत्र आ आवेदन के अंतर टेफ्लॉन कपड़ा इलाज प्रक्रिया में

I. टेफ्लॉन कपड़ा के ताप हस्तांतरण तंत्र आ तापमान क्षेत्र के अंतर

1. गरम हवा के परिसंचरण हीटिंग के बा

तापीय संवहन आ तापीय चालन पर निर्भर हो के सतह से धीरे-धीरे भीतरी हिस्सा में ताप के हस्तांतरण होला। एह ताप के तरीका में तापमान में हल्का बढ़ती, चिपकावे वाली परत के भीतर आ बाहर तापमान में छोट अंतर आ तापमान के एक समान बितरण के बिसेसता होला।

2. इन्फ्रारेड विकिरण ताप के बा

इन्फ्रारेड ऊर्जा के पैठ के गहराई सीमित होला आ दस से सैकड़न माइक्रोमीटर के गहिराई पर सतह के परत द्वारा मजबूती से सोख लिहल जाला जेकरा चलते सामग्री के सतह पर तुरंत ढेर तापमान हो जाला। अंदरूनी हिस्सा के खाली धीमा तापीय चालन के माध्यम से गरम कइल जा सके ला, सतह के तापमान ढेर आ आंतरिक तापमान कम के साथ खड़ा तापमान ढाल बनावल जा सके ला।

II. क्रॉस-लिंक संरचना के एकरूपता पर टेफ्लॉन कपड़ा के कोर प्रभाव

1. क्रॉस-लिंकिंग घनत्व वितरण: गर्म हवा हीटिंग खातिर एक समान, इन्फ्रारेड हीटिंग खातिर ढाल

गरम हवा के ताप से मूल रूप से चिपकावे वाली परत के भीतर आ बाहर सिंक्रनाइज़ क्यूरींग रिएक्शन सभ के सक्षम बनावल जाला, जेकरा से क्रॉस-लिंक नेटवर्क लगातार समग्र घनत्व के साथ एक समान रूप से बढ़े ला। इन्फ्रारेड हीटिंग के तहत सतह के परत तेजी से क्रॉस-लिंकिंग से गुजरे ले आ घना 'स्किन फिलिम' बने ले। ई फिलिम ना खाली भीतर के ओर ताप चालन में बाधा डाले ले बलुक आंतरिक आणविक श्रृंखला सभ के आवाजाही में भी रोक लगावे ले जेकरा चलते सतह से भीतरी हिस्सा ले क्रॉस-लिंकिंग घनत्व में कमी आवे ला आ बाहर के ओर ढेर घनत्व आ भीतर के ओर कम घनत्व वाला ढाल संरचना बने ला।

2. इलाज प्रक्रिया अवुरी त्वचा फिल्म प्रभाव: इन्फ्रारेड हीटिंग दोष के शिकार होखेला

गरम हवा के ताप के क्यूरींग प्रक्रिया के समन्वय होला। संघनन रिएक्शन सभ के उप-उत्पाद जइसे कि अल्कोहल आ पानी चिपकावे वाली परत के अंदरूनी हिस्सा से पूरा तरीका से बाहर निकल सके ला आ घना चिपकावे वाली परत बन सके ला जेह में बहुत कम दोष होखे। एकरे बिपरीत, इन्फ्रारेड ताप के दौरान सतह के परत तुरंत ठीक हो जाले आ फिलिम बने ले। अगर वाष्पित आंतरिक उपोत्पाद सतह के त्वचा के तोड़ देले तब पिनहोल आ बुलबुला रह जाई; अगर ना होखे तब कमजोर इंटरफेस परत बन जाई जेवना से चिपकावे वाली परत के संरचनात्मक एकरूपता आ बंधन ताकत के गंभीर नुकसान होखी।

3. सूक्ष्म नेटवर्क संरचना के अखंडता: इन्फ्रारेड हीटिंग से आंतरिक तनाव पैदा हो सकेला

आणविक श्रृंखला सभ में गरम हवा के ताप के दौरान पर्याप्त रिलैक्सेशन टाइम होला, ई कम अवशिष्ट आंतरिक तनाव के साथ पूरा क्रॉस-लिंक नेटवर्क बनावे ला। इन्फ्रारेड हीटिंग खातिर सबसे पहिले सतह के परत के आकार दिहल जाला। जब बाद के क्यूरिग के दौरान आंतरिक सामग्री सिकुड़ जाले तब ई कठोर बाहरी परत के कारण बाध्य हो जाले, जेकरा से काफी अवशिष्ट आंतरिक तनाव पैदा हो जाला। एकरा से चिपकावे वाला परत के वार्पिंग हो जाला, बंधन के प्रदर्शन में कमी आवेला अवुरी असमान यांत्रिक गुण होखेला।

III के बा। टेफ्लॉन चिपकने वाला टेप के प्रमुख प्रदर्शन अंतर

गरम हवा के परिसंचरण ताप : एक समान तापमान क्षेत्र, लगातार क्रॉस-लिंकिंग घनत्व, कुछ संरचनात्मक दोष आ कम आंतरिक तनाव, एक अभिन्न आ एक समान क्रॉस-लिंक नेटवर्क बनावे ला।

इन्फ्रारेड रेडिएशन हीटिंग : तापमान के बड़हन ढाल, सतह से अंदरूनी हिस्सा में क्रॉस-लिंकिंग घनत्व घटत, बुलबुला आ पिनहोल नियर दोष के शिकार होखे वाला, उच्च आंतरिक तनाव, 'कठोर खोल आ नरम कोर' संरचनात्मक बिसेसता पेश करे ला। उपर के अंतर मूल रूप से दुनों तापन तरीका के अलग-अलग ताप हस्तांतरण तंत्र से उपजल बा।

IV. टेफ्लॉन चिपकने वाला टेप के लिए आवेदन चयन और सुझाव

मोट परत वाला पॉटिंग आ परिशुद्धता वाला इलेक्ट्रॉनिक इन्सुलेशन नियर सख्त एकरूपता के जरूरत वाला परिदृश्य सभ खातिर, एकरे बेहतर एकरूपता के कारण गरम हवा के परिसंचरण के क्यूरिग पसंद कइल जाए वाली प्रक्रिया हवे। रिलीज फिल्म कोटिंग नियर पतला कोट वाला रैपिड क्यूरींग एप्लीकेशन सभ खातिर, इन्फ्रारेड हीटिंग के उच्च-दक्षता वाला फायदा के अपनावल जा सके ला। उत्पादन दक्षता आ उत्पाद के गुणवत्ता के संतुलन बनावे खातिर, संयुक्त 'इन्फ्रारेड + हॉट एयर' प्रक्रिया के सलाह दिहल जाला: सतह के तेजी से सुखावे भा पहिले से गरम करे खातिर इन्फ्रारेड हीटिंग के इस्तेमाल कइल जाला आ एकरूप गहिरा क्यूरींग पूरा करे खातिर गरम हवा के हीटिंग लगावल जाला।

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