सिलिकॉन चिपकावे वाला परत के क्रॉसलिंक संरचना के एकरूपता पर इन्फ्रारेड रेडिएशन हीटिंग बनाम हॉट-एयर सर्कुलेशन हीटिंग के प्रभाव में का अंतर बा?

I. ताप हस्तांतरण तंत्र आ तापमान क्षेत्र में मौलिक अंतर

1. गरम-हवा परिसंचरण ताप: संवहन–चालन, कोमल आ प्रगतिशील

जइसन कि नोट कइल गइल बा पीटीएफई उच्च तापमान टेप निर्माता, गर्मी के गरम हवा संवहन के माध्यम से चिपकावे वाला परत के सतह पर स्थानांतरित कइल जाला, आ फिर तापीय चालन के माध्यम से सतह से अंदर के ओर संचालित कइल जाला। सिलिकॉन चिपकावे वाला पदार्थ सभ में तापीय चालकता बहुत कम होला (लगभग 0.2 W/m·K), एह से बाहरी आ अंदरूनी हिस्सा के बीच तापमान के ढाल अनिवार्य बा। हालाँकि, ई ढाल अपेक्षाकृत मध्यम होला, ई धीमा ताप दर वाला ग्लोबल बैलेंसड हीटिंग मोड के प्रतिनिधित्व करे ला।

2. अवरक्त विकिरण ताप: विकिरण–अवशोषण, सतह-केंद्रित

इन्फ्रारेड ऊर्जा सिलिकॉन चिपकावे वाला पदार्थ (जइसे कि Si–O) में रासायनिक बंधन सभ द्वारा सोख लिहल जाले। ज्यादातर मामिला में ऊर्जा के बहुत उथला सतह के परत (माइक्रोमीटर से मिलीमीटर के क्रम में) द्वारा तीव्रता से सोख लिहल जाला आ गर्मी में बदल दिहल जाला, जेकरा के बाद में भीतर के ओर ले जाइल जाला, जेकरा से खड़ी 'सतह से आंतरिक' तापमान ढाल बने ला। जब तरंग दैर्ध्य सब्सट्रेट के सोखल चोटी से एकदम मेल खाए तबहिए भीतरी आ बाहरी हिस्सा के एक साथ 'वॉल्यूमेट्रिक' ताप हासिल कइल जा सके ला।

3. तापमान क्षेत्र के विशेषता के तुलना

गरम हवा के परिसंचरण से स्थानिक रूप से अपेक्षाकृत एकरूप तापमान क्षेत्र पैदा होला जे समय के साथ धीरे-धीरे बिकसित होला। दूसर ओर, इन्फ्रारेड रेडिएशन मोटाई के दिशा में बेहद गैर-एकरूप क्षणिक उच्च तापमान वाला क्षेत्र के आसानी से स्थापित क देला।

II. क्रॉसलिंक घनत्व के स्थानिक वितरण एकरूपता

1. गर्म हवा के परिसंचरण: मध्यम ढाल, एक समान क्रॉस-सेक्शन

तापमान में धीरे-धीरे बढ़ती के कारण चिपकावे वाली परत के भीतरी आ बाहरी हिस्सा लगभग एक साथ वल्केनाइजेशन के तापमान रेंज में प्रवेश क सके ला। क्रॉसलिंकिंग रिएक्शन अंतरिक्ष में सिंक्रनाइज़ रूप से आगे बढ़े ले, परिणामस्वरूप मोटाई के दिशा के साथ एक समान क्रॉसलिंक घनत्व बितरण होला, एकरूप समग्र नेटवर्क संरचना के साथ आ ओवर-क्रॉसलिंकिंग भा अंडर-क्रॉसलिंकिंग के कौनों महत्वपूर्ण क्षेत्र ना होला।

2. इन्फ्रारेड विकिरण: सतह ठीक, आंतरिक अंडर-क्यूर्ड, खड़ी ढाल

सतह के तीव्र अवशोषण के कारण सतह के परत तुरंत उच्च तापमान पर पहुँच जाले आ तेजी से पूरा क्रॉसलिंकिंग हो जाले, जेकरा से घना ठीक त्वचा बने ले। ई क्यूर्ड परत थर्मल बैरियर के काम करे ले, अंदरूनी हिस्सा में ताप के हस्तांतरण में बाधा पैदा करे ले आ अंदरूनी हिस्सा के कम तापमान पर लंबा समय ले छोड़े ले। अंतिम परिणाम ढाल संरचना हवे जहाँ क्रॉसलिंक घनत्व सतह से भीतर के ओर बहुत कम हो जाला, बहुत खराब एकरूपता देखावे ला।

3. क्यूर्ड-स्किन इफेक्ट के बारे में बतावल गइल बा

सतह के परत के समय से पहिले क्यूरींग ना खाली ताप के चालन के रोके ला बलुक आयतन में भी लॉक हो जाला, जेकरा चलते आंतरिक क्यूरिग के दौरान बाद के सिकुड़न पर रोक लगावल जाला। एह से संरचनात्मक गैर-एकरूपता अउरी बढ़ जाला आ आंतरिक तनाव के प्रवेश होला।

III के बा। सूक्ष्म नेटवर्क अखंडता आ दोष नियंत्रण के बारे में बतावल गइल बा

1. हॉट-एयर सर्कुलेशन: सिंक्रनाइज़ नेटवर्क डेवलपमेंट, कम दोष

समग्र रूप से धीमा आ एक समान ताप के कारण क्रॉसलिंकिंग रिएक्शन पूरा चिपकावे वाली परत में समकालिक आ प्रगतिशील रूप से आगे बढ़े ला। आणविक श्रृंखला सभ में संरचनात्मक शिथिलता खातिर पर्याप्त समय होला, एक समान रूप से बितरित क्रॉसलिंकिंग बिंदु, बढ़िया से क्रमबद्ध नेटवर्क श्रृंखला आ कम दोष के साथ आदर्श नेटवर्क के निर्माण में आसानी होला, साथ ही साथ कम आंतरिक तनाव भी होला।

2. इन्फ्रारेड विकिरण: चरण अलगाव आ तनाव एकाग्रता के प्रवृत्ति होला

खड़ी तापमान ढाल आ डिफरेंसियल क्यूरींग दर से महत्वपूर्ण तापीय तनाव आ क्यूरींग सिकुड़न के तनाव पैदा हो सके ला। सतह के परत के तेजी से जिलेशन से आयतन के 'फ्रीज' हो जाला; जब बाद में इंटीरियर ठीक हो जाला तब एकर सिकुड़न सतह के परत के कारण बाध्य हो जाला जेकरा चलते इंटरफेस पर तनाव के एकाग्रता ढेर हो जाला आ माइक्रोक्रैक तक के सुरुआत हो जाला। एही बीच, प्रतिक्रियाशील समूह सभ के असमान खपत से क्रॉसलिंक-समृद्ध 'कठोर क्षेत्र' आ क्रॉसलिंक-गरीब 'नरम क्षेत्र' पैदा हो जाला, जेकरा चलते सूक्ष्म अवस्था के अलगाव हो जाला आ नेटवर्क के एकरूपता में बाधा आवे ला।

3. उपोत्पाद या विलायक आउटगैसिंग से हस्तक्षेप

गरम हवा के परिसंचरण के तापमान में हल्का बढ़ती से छोट अणु के उपोत्पाद (जइसे कि अल्कोहल भा संघनन-क्यूअर सिलिकॉन सभ से निकले वाला पानी) के बिस्तार आ वाष्पीकरण के आजादी से होखे के इजाजत मिले ला, बुलबुला के निर्माण से बचावल जा सके ला। हालाँकि, इन्फ्रारेड क्यूरिग में समय से पहिले सतह के क्यूरिग के कारण आउटगैसिंग चैनल सभ के सील होखे के बहुत संभावना होला, बुलबुला भा झरझरा शून्यता पैदा होला जे सीधे क्रॉसलिंक नेटवर्क के मैक्रोस्कोपिक घनत्व से समझौता करे ला।

चतुर्थ के बा। निष्कर्ष: एकरूपता के अंतर आ आवेदन के विकल्प के सार

दुनों क्यूरींग तरीका के क्रॉसलिंक संरचना के एकरूपता पर व्यापक रूप से बिपरीत प्रभाव पड़े ला। गरम हवा के परिसंचरण तापीय चालन से संचालित, नियंत्रित आ मध्यम तापमान के क्षेत्र खातिर दक्षता के व्यापार करे ला, मोटाई के दिशा भर में एक समान क्रॉसलिंक घनत्व आ पूरा सूक्ष्म नेटवर्क सुनिश्चित करे ला। ई उच्च बिस्वासजोगता आ संरचनात्मक एकरूपता के मांग करे वाला एप्लीकेशन सभ खातिर अनिवार्य विकल्प हवे, जइसे कि पॉटिंग आ मोट परत वाला कोटिंग। एकरे बिपरीत, सतह पर ऊर्जा के केंद्रित रिलीज के कारण इन्फ्रारेड रेडिएशन, स्वाभाविक रूप से गैर-एकरूप तापमान आ क्यूरींग फील्ड पैदा करे के प्रवृत्ति रखे ला, आसानी से ढाल क्रॉसलिंक संरचना आ बिबिध दोष पैदा करे ला। एकर प्रोसेसिंग विंडो बेहद संकरी होले, एह से ई मुख्य रूप से पतला कोटिंग्स (माइक्रोन-स्केल) के तेजी से क्यूरिग करे खातिर उपयुक्त बा जहाँ एकरूपता के जरूरत कम होखे। दुनों के बीच के चुनाव अनिवार्य रूप से 'दक्षता' आ 'एकरूपता' के बीच के ट्रेड-ऑफ हवे।

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