1.सूक्ष्मछिद्रसंरचनाएवगुणों के बीच संघर्ष के स्रोत वायुपारगम्यता के लिए खुले छिद्रों के परस्पर संयोजित होने की आवश्यकता होती है, जिसमें घुमावदार चैनलों के माध्यम से गैस गुजरने के साथ।
इन्सुलेशन(अवरोधकशक्ति) २. reliesonthematerial's density.PITFEमैट्रिक्स में वायु (~3kV/mm की कमब्रेकडाउनफील्ड ताकत के साथ) मिश्रण के समतुल्य सूक्ष्मजीवों का परिचय देना,एण्डोपेनछिद्र आंशिक डिस्चार्जऔर रेंगपेजट्रैकिंग के लिए संभावित मार्ग प्रदान करते हैं।उच्च छिद्रता और छिद्रों के माध्यम से सीधा, ड्रॉपिनब्रेक डाउनवोल्टेज के लिए अधिक महत्वपूर्ण।
वायुपारगम्यताvs.non-stickproperty: Thenon-stickpropertyoriginatesfromPTFE'sextremelylows surfaceenergy(~18mN/m)andsmooth surface.Microporesincreasesurfaceroughnessandtheactual contactarea;पिघलते पदार्थ या चिपचिपामीडियामेपेन etratethemicropores,forming'mechanicalinterlocking'thatinsteadcausesadrision.अतः,द्रव्यं एक साथ वायुपारगम्यतां तथा सतहप्रतिरोधं गीलापन तथा प्रवेशप्रतिरोध प्राप्त करना चाहिए।
2.CoreApproachtoBalancedDesign:SynergisticModulationofMesoscopicStructuralParametersThekeytobalance isnotsacrificingone property for another, buttrathertherecoordinately ट्यूनिंग छिद्र आकार, छिद्रता, छिद्र ढाल, घुमावदारता, और सतह उपचार को एक साथ त्रिआवश्यकताओं को पूर्ति करने के लिए।
2.1औसतछिद्रव्यास(0.1–2μm)औरसंकीर्णछिद्रआकारवितरणनियंत्रण Forinsulation: यदा छिद्रस्य आकारः इलेक्ट्रॉनस्य अपेक्षया अत्यल्पः भवति तदा मुक्तमार्गस्य अर्थः भवति यत् आंशिकस्रावस्य कृते आरंभानां आकारः भवति, तदा वायुस्य अन्तरालस्य विच्छेदनं अद्यापि पाशेनस्य नियमस्य अनुसरणं करोति;तथापि, अत्यन्तं सूक्ष्मसूक्ष्मजीवाः (submicr onscale)cansignificantlyincreasethe breakdownvoltage.अध्ययन से पता चलता है कि जब औसत पोरीडमाप 0.5μm से नीचे संदेह होते हैं, तो 50-μm-मोटी PTFEफिल्म की डीसीब्रेकडाउन ताकत अभी भी 40kV/mm से ऊपर पहुँच सकते हैं।
नॉन-स्टिकप्रदर्शनम् : १. जब छिद्र आकार गंभीरप्रवेश आकार से छोटे होता है जो घ्राण की आणविक श्रृंखला त्रिज्याओं द्वारा निर्धारित होता है या गर्म-पिघलने वाला चिपकने वाला पदार्थों (उदाहरण के लिए, पीई, पीपी) के पिघलने वाला चिपचिपाहट के द्वारा निर्धारित होता है, तो पिघलने वाला सूक्ष्मजीवों के छानने नहीं कर सकते हैं।मात्र संपर्क होता है edPTFEfibrilsothesface,resultinginextremelysmallactualcontactarea, sothenon-stickpropertyremainsufected.सामान्यतया,सतहस्य छिद्र0.5μmसे छोटा,सतह-पिघलनेवाला-प्रवेश-प्रवेशं प्रभावी ढंग से रोक सकते हैं।
२.२नियंत्रणछिद्रतायमध्यमपरिधि(५०%–७०%) २.
औजारस्य छिद्रता(<30%)व्यावहारिकवायुपारगम्यता न प्रदातुं शक्नोति;अतिउच्च(>80%)ठोससामग्रीम् अत्यधिकं न्यूनीकरोति, इन्सुलेशन तथा यांत्रिकगुणेषु तीक्ष्णक्षतिं जनयति। 60% के आसपास अटाछिद्रता, वायुपारगम्यता(गुर्लेमूल्य)20-100s/100cc के भीतर नियंत्रित किया जा सकता है, जबकि 0.13 मिमी मोटी फिल्म ≥2kV की ढीलविद्युत ताकत बनाए रख सकते हैं, जो महज-सील इन्सुलेशन आवश्यकताओं को पूरा कर सकते हैं।
PTFEofe'node-fibril'structureonherentlyformshightortuosity(τ≈2.54).गैसकोकुटिलमार्गों से गुजरना होगा, जो वायुभंगमार्ग को विस्तारित करता हैऔर सीधे-धातु-निर्वाहचैनल के गठन को प्रभावी ढंग से दबाता है। उच्च-विच्छेदता-वर्ग-सम्बन्धात् छिद्र-आकार-उचित-पारगम्यता-निर्भरतां-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-कम-अवरोध--विश्वसनीयता-विश्वसनीयता-आदान-प्रदान-प्रयोगस्य अनुमतिं ददाति।
हीटकैलेंडरिंग,अल्पकालिक उच्च-तापमान इन्टरिंग, अथवा अल्ट्रा-थिनफ्लोरोपॉलिमर(उदाहरण, टेफ्लोनएएफ) के साथ लेपने के माध्यम से, कार्यवस्तु के साथ संपर्क सतह एक सघन फिल्म के समान सतह प्राप्त करता है।सूक्ष्मछिद्र नैनोमीटर पैमाने पर बंद होते हैं या आंशिक रूप से पिघलते और सील कर रहे हैं, गैर-स्टिक प्रदर्शन और बढ़े इन्सुलेशन प्राप्त कर रहे हैं। बल्के अत्यधिक छिद्रपूर्ण सांस लेयर रहते हैं: त्वचा परत के नीचे, सामग्री अभी भी परस्पर जुड़े सूक्ष्मजीवों के अत्यधिक छिद्रपूर्ण जाल बनाए रखते हैं।गैस्कन चमड़ी में अवशिष्ट नैनो आकार के छिद्रों के माध्यम से किनारे के माध्यम से पार्श्विक और अनुदैर्ध्य रूप से संचारित हो सकता है, जो अधिक वायुपारगम्यता को बनाए रखते हैं।
प्रभावः : १. इन्सुलेशन घनस्तर द्वारा प्रधान होता है, गैर-छड़ी प्रदर्शन घने परत के लिंग अत्यधिक निम्न सतह ऊर्जा एवं अल्ट्रा-सूक्ष्म छिद्रों द्वारा बीमा किया जाता है, तथा वायु पारगम्यता अंतरस्तर प्रसारित पर निर्भर करता है आयनएण्डजसंवहन।यदा ताप-सीलिंग मशीनेषु प्रयोगः क्रियते, तदा टेपसतहः पिघलितफिल्मं प्रति न चिपकति, यदा आर्मी तथा वाष्पशीलता अर्धसूक्ष्मछिद्रस्तरस्य किनारद्वारा निष्कासिता भवति।
इन्सुलेशनऔरगैर-स्टिक प्रदर्शनं सतहस्य समीपस्थघनत्वस्यअतिसूक्ष्मसूक्ष्मजीवानां द्वारा प्रदत्तं भवति;
वायुपारगम्यता आन्तरिकरूपेण संबद्ध,कुटिलस्थूलछिद्रजालद्वारा नियन्त्रिता भवति। यथावत् सतहस्य छिद्र आकार उपसूक्ष्मपरिधियां नियन्त्रितः भवति, आन्तरिकछिद्रता तथा घुमावदारता ढालसंरचना सह सटीकरूपेण संयोजित होती है, टेप एक साथ विनिर्देशों की विस्तृत श्रेणियों में अच्छी वायु पारगम्यता, इन्सुलेशन, और गैर-स्टिक प्रदर्शन प्राप्त कर सकता है।
