ह्या लेखांत प्लॅटिनम उत्प्रेरक प्रकार आनी सांद्रताय हांचो अॅडिशन-क्यूअर सिलिकॉन रबराच्या क्रॉसलिंकिंग गतिकीचेर जावपी प्रभाव पळयला. उत्प्रेरक प्रकारः स्पायर उत्प्रेरक (क्लोरोप्लाटिनिक आम्ल, Pt4+) सक्रिय उण्या संयुगात्मक जातींनी उणें करपाची गरज आसता, उत्प्रेरक पूर्व म्हणून काम करता; कार्स्टेड उत्प्रेरक (Divinyltetramethyldisiloxane वांगडा Pt0) थेट उत्प्रेरक चक्रांत प्रवेश करता. प्रकार परिणाम: स्पायर हाणें एस आकाराचो क्युरींग वक्र (सुरवेक मंद, उपरांत वेगवान) आनी चड दिसपी सक्रियता ऊर्जा आशिल्लो स्पश्ट प्रेरणा काळ दाखयता; कार्स्टेड हातूंत प्रेरणा ना, तीक्ष्ण बाह्यतापमान आशिल्लो सुरवातीचो दर चड, सक्रियता ऊर्जा उणी दिसता.

ह्या लेखांत उदयाक येवपी घन अवस्था बॅटरी उद्देगांतल्या टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडा खातीर संभाव्य वापर संद आस्पावला. चार वाठार: सुको विद्दुत्/इलॅक्ट्रॉलायट पड्डो तयार करप — स्वताक आदार दिवपी फिल्मांची गुळगुळीत सोल काडपाक सक्षम करपी गरम रोल दाबपाखातीर (१५०-२५० सॅ.) उच्च तापमानाचे अँटी-स्टिक वाहक पट्टे; अर्द कायमस्वरूपी अँटी-स्टिक थर म्हणून गरम रोलर कव्हरिंग थर; गुळगुळीत फिल्माचो पृश्ठभाग सुनिश्चीत करता, दोश उणे करता, उत्पन्न सुदारता. गरम-दाबन घनीकरणाखातीर रिलीज लायनर आनी कुशनिंग पॅड — सल्फायड/पॉलिमर बॅटरींक गरम समस्थिर/सपाट दाब (100-300° से., धा एमपीए) जाय पडटा; बॅटरी स्टॅक आनी मोल्ड हांचेमदीं दवरिल्लें पीटीएफई कापड चिकटपणा आडायता, सूक्ष्म लवचीकतायेवरवीं एकसारकें दाब वितरण सक्षम करता, तापवपी प्लेटींची राखण करता.

ह्या लेखांत टेफ्लॉन टेपाखातीर सिलिकॉन दाब संवेदनशील चिकटवपी पदार्थांतल्या जेल अंश आनी एकवटीत बळगें हांचेमदल्या परिमाणात्मक पत्रवेव्हाराचो आस्पाव केला. जेल अंश = टॉल्यूइनांत विरगळपी क्रॉसलिंक जाळयेची द्रव्यमान टक्केवारी (Soxhlet extraction, 24hr). उच्च तापमानांतली धरपाची शक्त (१८० सॅ., १ किग्रॅ) हें एकवटीत बळगें. तीन श्रेणी: गंभीर बिंदू सकयल (<60%) — पारकोलेटिंग जाळें ना, शून्यालागीं शक्त दवरप; वेव्हारीक श्रेणी (६०-८५%) — जेल अंशावांगडा एकवटीत बळगें व्यापकपणान वाडटा, ६०%→७०% धरपाचो वेळ मिनटांसावन वरांमेरेन वाडटा, ७०%→८०% ३-१०x वाड दिता; उच्च क्रॉसलिंकिंग (>85%) — फायदो मंद (85%→95% फकत 20-50% वाड), टॅक खूब देंवता, >95% पीएसए गुणधर्म गमावतात.

ह्या लेखांत पराबैंगनी किरणोत्सर्गाखाला पीटीएफई रेणू साखळींतल्या बदलांची तपासणी केल्या. मुखेल साखळी विच्छेदन आनी रेणूभार उणें करप: पराबैंगनी (254nm, 471 kJ/mol) सीसी बंध (347 kJ/mol) मोडून समविघटन जावन CF2-समाप्त मुक्त कण तयार जातात, रेणूभारांत खर देंवती कळाव जाता, कठीणताय आनी लांबाय उणी जाता. मुक्त कण विक्रिया मार्ग: ऑक्सिजनांत पेरोक्सी कण तयार जातात, ऍसिल फ्लोराइड (—COF) आनी कार्बोक्झीलिक आम्ल (—COOH) ह्या निमाण्या गटांत परतून मांडून सीओएफ2 आनी सीओ2 सोडटात (COF2 हायड्रोलायझ जावन एचएफ जाता); जड वातावरणांत विसंगती/पुनसंयोजन चड आसता, पूण साखळी विच्छेदन चड प्रमाणांत उरता.

ह्या लेखांत स्पेससूट उश्णताय निरोधक थरांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाचो उपेग करपाचो आस्पाव केला. पदार्थाचें सार: पीटीएफई लेप आशिल्लें फायबरग्लास कापड, जें एरोस्पेसांत बीटा कपड्याच्या नांवान वळखतात, तातूंत कापडाची लवचीकता आनी पीटीएफई अत्यंत-वातावरण जडताय हांचो मेळ घालता. भुमिका: वाहनाभायर हालचालीच्या एककांत उश्णताय सूक्ष्म उल्कापिंड वस्त्र (TMG) चो सगळ्यांत भायलो थर, थेट निर्वात, अत्यंत तापमान फरक आनी भितरल्या अॅल्युमिनायझ्ड फिल्मांखातीर पयली भौतिक/उश्णीय आडखळ म्हणून सूक्ष्मउल्कापिंड. अत्यंत पर्यावरण संरक्षण: -२०० सॅ.ते +२६० सॅ.मेरेनचो आवांठ (सूर्यमुखी >१२० सॅ. धव्या पृश्ठाचेर सौर किरणोत्सर्ग परावर्तित जाता; नाजूक अॅल्युमिनायझ्ड पॉलीइमायड फिल्मांक खरोशणी आनी फाडपापसून राखण दिता. गती मदत: उण्या घर्शणाचो पीटीएफई पृश्ठभाग सांध्य वांकपाच्या वेळार थर गुंतागुंतूंक आडायता, जाका लागून ईव्हीएची लवचीकता सुनिश्चीत जाता.

ह्या लेखांत लिथियम बॅटरी विद्दुत् सुकवपाच्या कामांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाच्या उपेगाचे फायदे सांगल्यात. वाहक पट्टे वा ओव्हन लायनर म्हणून वापरतात, तातूंत स्लरी चिकटप, गंज आनी विद्दुत् खरोशणी अशे तीन मुळावे प्रस्न सोडयतात. चार फायदे क्षेत्र: इलॅक्ट्रॉडाची गुणवत्ता आनी उत्पन्न — अँटी-स्टिक गुणधर्म पीव्हीडीएफ बाइंडर चिकटप आडायतात जाका लागून सोंपें पुरायपणान सोलप शक्य जाता; १००-१४० सॅ.तापमानाचेर एकसारकी उश्णताय वाहकता फटीं/जळप आडायता; गुळगुळीत पृश्ठभागाचेर खरोशणी आनी पिठो शेडिंग ना जाता; टिकाऊपण आनी कार्यक्षमताय — एनएमपी विरयणाआड आनी इलॅक्ट्रॉलायट वाफ हांचेआड सुज/पिराय नासतना रसायनीक प्रतिकार; अचूक स्थितीखातीर फायबरग्लास थरांतल्यान चड ताण शक्त आनी परिमाणात्मक स्थिरताय; धातूच्या जाळीदार पट्ट्यांपरस उण्यांत उण्या अवशेशान सोंपें निवळ करप.

ह्या लेखांत टेफ्लॉन टेपाखातीर क्युरींग प्रक्रिया जनेलाकडेन पेरॉक्सायड क्रॉसलिंकिंग एजंटांचें (बीपीओ आनी डीसीपी) विघटन तापमान आनी अर्द आयुश्य कशें जुळोवप हाचो आस्पाव केला. मुळावो डेटा: बीपीओ — ~ १३१ सॅ.तापमानाचेर १-मिनिट अर्द आयुश्य, ~९२ सॅ.तापमानाचेर १ तास, ~७२ सॅ. डीसीपी — ~ १७१ सॅ.तापमानाचेर १-मिनिट, ~१३५ सॅ.तापमानाचेर १ तास, ~११५ सॅ.तापमानाचेर १० तास. जुळोवपाचो तर्क: चिकटवपी पदार्थाक ९७-९९% क्रॉसलिंकिंग = ५-७ अर्द आयुश्य जाय; क्युरींग वेळ = लक्ष्य तापमानांत ५-७ × अर्द आयुश्य. उत्पादन लायनीच्या रावपाच्या वेळा वयल्यान तापमानाची फाटीं गणना करप वा चडांत चड परवानगी दिल्ल्या तापमानांतल्यान वेळ फाटीं मेजप.

ह्या लेखांत पीटीएफई उच्च तापमानाच्या कापड संसेचन उत्पादन लायनी खातीर सादारण लायन गती श्रेणीचो आस्पाव केला. सादारण गती: २-१५ मी./मिनिट, स्थिर कार्यक्षेत्र ३-८ मी./मिनिट, पातळ कापड/उच्च गतीची रेखा १०-१५ मी./मिनिट मेरेन. संसेचनाच्या प्रवेशांतल्यान आडमेळीं: कापड तंतू बंडलाच्या भितरल्या भागांत पीटीएफई पायसांनी पुरायपणान संतृप्त आसूंक जाय — चड गतीचेर फावो तें संसेचन, राळ उपाशीपण आनी सुके तंतू निर्माण जातात; पायस चिकटपणा, घन पदार्थांची सांद्रताय, कापडाची विणपाची घनताय हीं सगळीं भितर सरपाचो दर उणो करतात, जाका लागून दाट/दाट कापडांखातीर मंद गती जाय पडटा. लेप पास: दाट दोशमुक्त लेप करपाखातीर जायते पास (2-6+) जाय पडटात; पयलो पास लंगर घालपाखातीर मंद आसता, उपरांतचे पास मध्यम प्रमाणांत वाडोवंक मेळटात.

ह्या लेखांत सिलिकॉन चिकट थराच्या क्रॉसलिंक्ड संरचना एकसारकेपणाचेर अवरक्त किरणोत्सर्ग तापवणी आनी गरम हवेच्या परिभ्रमण तापवणी हांचेमदल्या फरकांची तुळा केल्या. उश्णताय हस्तांतरण यंत्रणा: उश्ण-हवेची संवहन-वाहक, सौम्य आनी प्रगतीशील आसून ताका लागून मध्यम तापमानाचो प्रवणताय निर्माण जाता; आयआर हें किरणोत्सर्ग-शोशण आसून ताचेवांगडा पृश्ठभागाचेर खर शोशण (मायक्रोमीटर ते मिलीमीटर) जावन पृश्ठभागासावन भितरल्या भागांत खडबडीत ग्रेडियेंट तयार जाता. क्रॉसलिंक घनताय वितरणाचेर परिणाम: गरम-हवेक लागून भितरले आनी भायल्या भागांक लागीं लागीं एकाच वेळार वल्कनीकरण तापमानांत प्रवेश मेळटा, जाका लागून दाटायेवांगडा एकसारकी क्रॉसलिंक घनताय मेळटा; आयआर हाका लागून पृश्ठभागाचेर थर क्षणांत बरे जावन दाट कात तयार जाता आनी ताका लागून उश्णताय हस्तांतरणाक आडमेळीं येतात, जाका लागून पृश्ठभागासावन भितरल्यान क्रॉसलिंक घनतेचो तीक्ष्ण ग्रेडियेंट उणो जाता.

ह्या लेखांत उच्च सिलिका आशिल्ल्या कंवचेच्या तंतूच्या कापडाच्या सिलिका प्रमाण आनी उपेगाची परिस्थिती हांचो आस्पाव केला. सिलिका आशयाची विनिर्देश: कोर निर्देशक SiO2 ≥96% (मानक 96-98%, अम्ल लीचिंग आनी सिंटरिंग वरवीं प्रीमियम ग्रेड >99%, शुध्द क्वार्ट्ज तंतू लागीं पावप) आसता. उत्पादन: ई-कंवचेच्या कापडांत गरम आम्ल लीचिंग करून बिगर सिलिका घटक (बोरॉन ऑक्सायड, सोडियम ऑक्सायड) विरगळायतात, जाका लागून पोरस उच्च सिलिका स्कॅलेट तयार जाता, उपरांत घनीकरणाखातीर सिंटर करतात. मुळावे फायदे: ऑक्सिडीभवन करपी वातावरणांत ९०० सॅ.तापमानाचेर सतत सेवा, १२०० सॅ.परस अल्पकाळ, १७०० सॅ. एचएफ आनी गरम फॉस्फोरिक आम्ल सोडून चडशा अम्ल/क्षाराआड रसायनीक स्थिरताय; उण्या तापमानांत विद्दुत् स्थिरांक आनी स्थिर इन्सुलेशन.