এই প্ৰবন্ধটোৱে ভেকুৱাম আৱৰণ, ভেকুৱাম হিট ট্ৰিটমেণ্ট আৰু অনুৰূপ পৰিৱেশত ব্যৱহৃত পিটিএফই উচ্চ-উষ্ণতাৰ টেপৰ বাবে মূল পৰিৱেশন সূচকসমূহ সামৰি লৈছে। বায়ুমণ্ডলীয় ব্যৱহাৰৰ পৰা মূল প্ৰয়োজনীয়তাসমূহ বহু পৰিমাণে পৃথক: আউটগেছিং অতি জটিল (TML≤1%, CVCM≤0.1%; মহাকাশ/আলোকীয় গ্ৰেডৰ বাবে TML≤0.5%, CVCM≤0.01%); পিটিএফই ছাবষ্ট্ৰেট (২৬০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ) আৰু আঠাযুক্ত স্তৰ দুয়োটাৰে বাবে উষ্ণতা প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা পৰীক্ষা কৰিব লাগিব; বিশেষভাৱে বিশুদ্ধ কম-আউটগেছিং ছিলিকন পিএছএৰ প্ৰয়োজন হয় চাইল'ক্সেন দূষণ ৰোধ কৰিবলৈ; উচ্চ-উষ্ণতাৰ ধৰি ৰখা শক্তিয়ে ক্ৰিপ আৰু এজ লিফটিং ৰোধ কৰে; পৰিষ্কাৰ-পৰিচ্ছন্নতাৰ বাবে কোনো আঁহ ছিঙি পেলোৱা আৰু আয়নিকৰ পৰিমাণ কম হোৱাৰ প্ৰয়োজন; এন্টি-ষ্টেটিক টেপে (পৃষ্ঠৰ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা 106-109 Ω/sq) ESD ক্ষতি ৰোধ কৰে; স্পাটাৰিং/পিইচিভিডি প্ৰক্ৰিয়াৰ বাবে প্লাজমা প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা মূল্যায়ন কৰিব লাগিব; ২% তকৈ কম তাপীয় সংকোচনে মাস্কিঙৰ নিখুঁততা নিশ্চিত কৰে।

এই প্ৰবন্ধটোত পিটিএফই টেপৰ বাবে ছিলিকন চাপ-সংবেদনশীল আঠাৰ কোঠাৰ উষ্ণতা আৰু উচ্চ উষ্ণতাৰ পৰিপক্কতাৰ তুলনা কৰা হৈছে। উচ্চ উষ্ণতাৰ পৰিপক্কতাই (১২০-১৮০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ) শক্তিশালী সংহত শক্তিৰ সৈতে ঘন ক্ৰছলিংকড নেটৱৰ্ক সৃষ্টি কৰে, যাৰ ফলত খোলাৰ পিছত আঠাযুক্ত অৱশিষ্ট ৰোধ হয়। ই প্ৰাইমাৰ কো-কিউৰিঙৰ জৰিয়তে পিটিএফই ছাবষ্ট্ৰেটৰ সৈতে ৰাসায়নিক এংকৰিং বণ্ড গঠন কৰে, যাৰ ফলত ডিলেমিনেচনৰ বিপদ নাইকিয়া হয়। উচ্চ উষ্ণতাৰ পৰিপক্কতাই প্ৰসৱৰ পূৰ্বে কম আণৱিক অস্বাভাৱিক পদাৰ্থও আঁতৰাই পেলায়, যাৰ ফলত প্ৰথম গৰম কৰাৰ সময়ত বুদবুদ আৰু ছিলিকন তেলৰ দূষণ ৰোধ হয়।

এই গাইডে ইনজেকচন মল্ডিং ডিমল্ডিং আৰু এন্টি-ষ্টিক প্ৰয়োগৰ বাবে PTFE উচ্চ-উষ্ণতাৰ টেপ নিৰ্বাচন সামৰি লয়। তাপমাত্ৰা-ভিত্তিক নিৰ্বাচন: সাধাৰণ প্লাষ্টিকৰ বাবে ≤২৬০°C (মানক ছিলিকন পিএছএ টেপ, ০.১৩-০.১৮মিমি); পিচি, পিএ৬৬, পিঅ’এম (উচ্চ উষ্ণতাৰ ছিলিকন আঠা, ০.১৮-০.২৫মিমি)ৰ দৰে উচ্চ উষ্ণতাৰ অভিযান্ত্ৰিক প্লাষ্টিকৰ বাবে ২৬০-৩০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ; গৰম দৌৰবিদৰ ওচৰৰ পিইকে, এলচিপি, পিপিএছৰ বাবে ৩০০-৪০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ (আঠাযুক্ত টেপ বিফল হয়; আঠামুক্ত পিটিএফই কাপোৰ বা পিএফএ ফিল্ম ব্যৱহাৰ কৰক)। সামগ্ৰী-ভিত্তিক নিৰ্বাচন: টেকি সামগ্ৰীৰ বাবে উচ্চ-মুক্তি বিশুদ্ধ পিটিএফই পৃষ্ঠৰ প্ৰয়োজন; কাঁচ/খনিজ ভৰ্তি সামগ্ৰীৰ বাবে গধুৰ-কৰ্তব্যৰ 0.25mm+ পৰিধান-প্ৰতিৰোধী টেপৰ প্ৰয়োজন; ৰাসায়নিকভাৱে প্ৰতিৰোধী আঠা আৰু ঘন ছাবষ্ট্ৰেটৰ প্ৰয়োজন হয়; ষ্টেটিক-সংবেদনশীল এপ্লিকেচনসমূহক এন্টি-ষ্টেটিক ক'লা PTFE টেপৰ প্ৰয়োজন।

পিটিএফই-আৱৰণযুক্ত ফাইবাৰগ্লাছ কাপোৰৰ তাপ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা, নন-ষ্টিক বৈশিষ্ট্য আৰু কম ঘৰ্ষণৰ বাবে ৰবৰ প্ৰক্ৰিয়াকৰণত বহুলভাৱে ব্যৱহাৰ কৰা হয়। মূল প্ৰয়োগসমূহ হ'ল: প্লেট/ভেকুয়াম ভলকেনাইজেচন আৰু টায়াৰ মল্ডিঙৰ বাবে ৰিলিজ লাইনাৰ; মুকলি মিল, কেলেণ্ডাৰ, আৰু শীতল লাইনৰ বাবে নন-ষ্টিক কনভেয়ৰ বেল্ট; অৰ্ধ-সমাপ্ত ৰবৰ সংৰক্ষণৰ বাবে ইন্টাৰলিভ কাপোৰ; ছিলিকন আৰু ফ্ল'ৰ'ৰাবাৰৰ বিশেষ পৰিচালনা; আৰু পোষ্ট-কিউৰিঙৰ বাবে অভেন ট্ৰে। সুবিধাসমূহৰ ভিতৰত আছে ছাইৰ আঠাযুক্ততা নাইকিয়া কৰা, ৰিলিজ এজেণ্টৰ ব্যৱহাৰ হ্ৰাস কৰা, ৰোলাৰ ৰেপিং ৰোধ কৰা, আৰু মসৃণ ডিমল্ডিং নিশ্চিত কৰা।

ৰাসায়নিক পাইপ/পাত্ৰ এন্টি-ক'ৰ'জন, নন-ষ্টিক, আৰু ছিলিং সুৰক্ষাৰ বাবে পিটিএফই টেপৰ বাবে মিল থকা ছাবষ্ট্ৰেট, আঠাযুক্ত ব্যৱস্থা, আৰু ৰাসায়নিক মাধ্যমৰ প্ৰয়োজন হয়। এচিড/ক্ষাৰকৰ সৈতে ২০০-২৬০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত ছিলিকন পিএছএ বাঞ্ছনীয়; এক্ৰিলিক পিএছএই জৈৱিক দ্রাৱক প্ৰতিৰোধ কৰে কিন্তু উষ্ণতা ≤150°C লৈ সীমিত কৰে। HF ৰ বাবে >৮০% ক্ষাৰক, বা ক্ল'ৰিন ট্ৰাইফ্ল'ৰাইড উতলাই, কেৱল PTFE-আৱৰণ ব্যৱহাৰ কৰক (কোনো জৈৱিক আঠা নাই)। জটিল: আঠাটোৱেই আটাইতকৈ দুৰ্বল লিংক, পিটিএফই নিজেই নহয়।

পিটিএফই টেপ ধৰি ৰখা শক্তি আৱৰণ আৰু কিউৰিং প্ৰক্ৰিয়া অনুকূলনৰ জৰিয়তে উন্নত কৰা হয়। আৱৰণ: প্ৰাইমাৰ স্তৰ (০.৫-২μm চাইলেন প্ৰাইমাৰে আঠাযুক্ত খোলা ৰোধ কৰে), আঠাৰ বেধ ৩০-৬০μm (শক্তি ধৰি ৰখাৰ বাবে অনুকূল), ভেকুৱাম ডিফেমিং, আৰু ৫-১০μm পৰিশোধন। কুৰিং: পদক্ষেপ অনুসৰি উত্তাপ (৮০-১০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ দ্রাৱক আঁতৰোৱা → ১২০-১৪০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ আকৃতি → ১৫০-২২০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ গভীৰ ক্ৰছলিংকিং), পষ্ট-কিউৰিং (চাপ শিথিল কৰিবলৈ ২৪-৪৮ ঘণ্টাৰ বাবে ৪০-৬০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছ), আৰু ছাবষ্ট্ৰেটৰ সংকোচনৰ পৰা আভ্যন্তৰীণ চাপ ৰোধ কৰিবলৈ কম টান পৰিবহণ। পিটিএফইৰ কম পৃষ্ঠ শক্তিৰ বাবে প্ৰাইমাৰটো অতি প্ৰয়োজনীয়।

পিটিএফই উচ্চ উষ্ণতাৰ টেপে অৰ্ধপৰিবাহী নিৰ্মাণত এটা জটিল পদাৰ্থ হিচাপে কাম কৰে, সাধাৰণ উদ্দেশ্যৰ ব্যৱহাৰযোগ্য নহয়। মূল প্ৰয়োগ: ৱেফাৰ-স্তৰৰ সুৰক্ষা (প্লাজমা এচিং মাস্কিং, চিএমপি বেকছাইড সুৰক্ষা, চিভিডি/পিভিডি মাস্কিং), পেকেজিং প্ৰক্ৰিয়া (তাঁৰ বণ্ডিং ফিক্সেচন, পিচিবিৰ বাবে ছল্ডাৰিং মাস্ক), আৰু সঁজুলি ৰক্ষণাবেক্ষণ (এন্টি-ষ্টেটিক ৰোলাৰ ৰেপিং, ক্লীনৰুম মাৰ্কিং)। আল্ট্ৰা-ক্লীন প্ৰয়োজনীয়তা: কম হেল'জেন (বণ্ড পেডৰ জাৰণ ৰোধ কৰে), কম চাইল'জেন (<৫০০ পিপিএম, ইনচুলেটিং কণা গঠন ৰোধ কৰে), কম ধাতুৰ আয়ন (<১ পিপিএম প্ৰতিটো), আইএছঅ' শ্ৰেণী ৪ ক্লীনৰুমৰ স্লিটিং/পেকেজিং, ১০৬-১০৯ Ω পৃষ্ঠ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা, আৰু কম টিভিঅ'চি নিৰ্গমন।

মেডিকেল গ্ৰেডৰ পিটিএফই উচ্চ উষ্ণতাৰ টেপে প্লেটিনাম-কিউৰড চিলিকন আঠাৰ সৈতে জৈৱসঙ্গতিপূৰ্ণ পিটিএফই ছাবষ্ট্ৰেটৰ সংমিশ্ৰণ ঘটায়। মূল বৈশিষ্ট্যসমূহ: ISO 10993 অনুকূল (কোনো চাইট'টক্সিচিটি, সংবেদনশীলতা, বা বিৰক্তি নাই), বাৰে বাৰে বন্ধ্যাকৰণ (ভাপ/EO/গামা), 260°C তাপ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা সহ্য কৰে। জটিল সাৱধানতা: ২৬০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছতকৈ বেছি নহয় (৩০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছৰ ওপৰৰ বিষাক্ত ধোঁৱা), গামা বিকিৰণে ভংগুৰতা সৃষ্টি কৰিব পাৰে, বন্ধ্যাকৰণ পদ্ধতিৰ বৈধতা প্ৰদান কৰিব পাৰে, আৰু সম্পূৰ্ণ অনুসৰণৰ নথিপত্ৰৰ অনুৰোধ কৰিব পাৰে (আই এছ অ' ১০৯৯৩ প্ৰতিবেদন, এম এছ ডি এছ, বয়স বৃদ্ধিৰ তথ্য)। বিশেষভাৱে বৈধ নহ’লে প্ৰত্যক্ষ তেজ বা ইমপ্লাণ্টেচন ব্যৱহাৰৰ বাবে নহয়।

PTFE টেপৰ পুনৰ ব্যৱহাৰযোগ্যতা চাৰিটা কাৰকৰ ওপৰত নিৰ্ভৰশীল: আঠাযুক্ত প্ৰস্তুতি (উচ্চ ক্ৰছলিংক ঘনত্ব, কম চিলিকন প্ৰব্ৰজন, পুনৰ স্থাপনযোগ্য টেকৰ বাবে মাইক্ৰ'ফেজ গঠন), ছাবষ্ট্ৰেট এংকৰিং (পৃষ্ঠ সক্ৰিয়কৰণ + সম্পূৰ্ণ আঠা স্থানান্তৰ ৰোধ কৰিবলৈ প্ৰাইমাৰ), বেকছাইড আৱৰণ (আনৱাইণ্ডিঙৰ সময়ত আঠাক সুৰক্ষা দিবলৈ স্তৰ মুকলি), আৰু সঠিক নিয়ন্ত্ৰণ (আঠাযুক্ত পৃষ্ঠ পৰিষ্কাৰ, সঠিক পিলিং কৌশল, পৰিহাৰ কৰক অতি উষ্ণতা)। পানীত ধুব পৰা পৰিৱৰ্তিত আঠাবোৰ পৰিষ্কাৰ কৰাৰ পিছত >৯০% টেক উদ্ধাৰ কৰিব পাৰে।

বহল উষ্ণতাৰ পৰিসৰৰ পিটিএফই টেপৰ বাবে এটা চিলিকন পিএছএৰ প্ৰয়োজন হয় যিয়ে -৭০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছৰ পৰা ২৬০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছলৈকে আঠাযুক্ততা বজাই ৰাখে। মূল ডিজাইন উপাদানসমূহ: প্ৰাইমাৰ-এংকৰ কৰা পৰিৱৰ্তন স্তৰ (ডিলেমিনেচন প্ৰতিৰোধ কৰে), সাগৰীয় দ্বীপৰ অণুগাঁথনি (এমকিউ ৰেজিন দ্বীপ + পলিচিল'ক্সেন অবিৰত পৰ্যায়), গ্ৰেডিয়েণ্ট ক্ৰছলিংকিং (ক্ৰিপ প্ৰতিৰোধৰ বাবে উচ্চ ঘনত্বৰ ভিতৰৰ স্তৰ, কম উষ্ণতা প্ৰতিৰোধৰ বাবে কম ঘনত্বৰ বাহিৰৰ স্তৰ), আৰু তাপ-স্থিৰ ফিলাৰ (অক্সিডেচন প্ৰতিৰোধৰ বাবে চিৰিয়াম অক্সাইড)। ফেনাইল-পৰিৱৰ্তিত চাইল'ক্সেন খণ্ডই কম উষ্ণতাৰ স্ফটিকীয়কৰণ দমন কৰে, যাৰ ফলত -১০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছৰ তলত নমনীয়তা সম্ভৱ হয়।