ကြည့်ရှုမှုများ- 0 စာရေးသူ- Site Editor ထုတ်ဝေချိန်- 2026-06-30 မူရင်း- ဆိုက်
မာတိကာ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ ညစ်ညမ်းမှုကို တစ်သန်းလျှင် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် မိုက်ခရိုအမှုန်အရွယ်အစားဖြင့် တိုင်းတာသည်။ လေလွင့်နေသော အိုင်းယွန်းတစ်ခု၊ ခြေရာခံမတည်ငြိမ်သော အော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခု သို့မဟုတ် အဏုကြည့်အမှုန်အမွှားတစ်ခုသည် wafer အသုတ်တစ်ခုလုံးကို ဖြိုခွဲနိုင်သည်—ဒေါ်လာ ရာနှင့်ချီ၍ ကုန်ကျသည်။
PTFE တိပ်များသည် အပူခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဓာတုအားနည်းခြင်း၊ ကပ်မထားသော မျက်နှာပြင်နှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ဤပတ်ဝန်းကျင်တွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေသည့် PTFE တိပ်များ။ သို့သော် မည်သည့် PTFE တိပ်မျှသာ လုပ်ဆောင်လိမ့်မည်မဟုတ်ပါ။ semiconductor-grade တိပ်များသည် ယေဘူယျစက်မှုလုပ်ငန်းသုံးတိပ်များထက် အဆမတန် အလွန်မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှုစံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီရပါမည်။
Aokai PTFE သည် semiconductor applications များအတွက် PTFE တိပ်ကို ထုတ်လုပ်သည်။ ဤလမ်းညွှန်ချက်တွင် အဓိကအပလီကေးရှင်းနယ်ပယ်သုံးခုဖြစ်သည့် wafer အဆင့်လုပ်ဆောင်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် စက်ကိရိယာထိန်းသိမ်းခြင်း - နှင့် တစ်ခုစီအတွက် သက်ဆိုင်သည့် တင်းကြပ်သောသန့်ရှင်းမှုလိုအပ်ချက်များကို ပါဝင်သည်။
wafer ဖန်တီးစဉ်အတွင်း၊ တိပ်သည် တန်ဖိုးမြင့်စက်ပစ္စည်းများအတွက် ယာယီအကာအကွယ်အလွှာအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။
လုပ်ငန်းစဉ် |
တိပ်လုပ်ဆောင်ချက် |
အရေးကြီးသောလိုအပ်ချက် |
|---|---|---|
Plasma သန့်ရှင်းရေးနှင့် etching |
လုပ်ငန်းစဉ်မဟုတ်သောနေရာများကို ဖုံးအုပ်ထားပါ၊ wafer အနားများကို အိုင်းယွန်းဗုံးကြဲခြင်းမှ ကာကွယ်ပါ။ |
အကြွင်းအကျန် မထွက်ရပါ။ ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ |
ပါးလွှာသောဖလင် အပ်နှံမှု (CVD/PVD) |
အပေါ်ယံပိုင်း မလိုအပ်သော ဒေသများကို ပိတ်ဆို့ပါ။ |
ဓာတ်ငွေ့စိမ့်ဝင်မှုကို တားဆီးရန် ချောမွေ့စွာ ကပ်ငြိခြင်း။ |
ဓာတုစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစီအစဉ်ရေးဆွဲခြင်း (CMP) |
ဆားရီနှင့် အညစ်အကြေးအညစ်အကြေးများမှ wafer များကို ကာထားသည်။ |
ပြင်းထန်သော အက်ဆစ်များ၊ အယ်ကာလီများနှင့် ဓာတ်တိုးအေးဂျင့်များကို ခုခံသည်။ |
ခဲဘောင်/အလွှာကို ပြုပြင်ခြင်း- ဝိုင်ယာကြိုး ချည်နှောင်ခြင်း၊ တွယ်ဆက်ခြင်း နှင့် ပလပ်စတစ် ဖုံးအုပ်ခြင်း ကာလအတွင်း အပူဒဏ်ခံနိုင်သော အနေအထား ထားရှိခြင်း - အစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ထိန်းထားပါ။
လှိုင်းဂဟေနှင့် ပြန်လှည့်ပတ်ဂဟေအတွက် ဖုံးအုပ်ထားခြင်း- အပူချိန်မြင့်သော ဂဟေဆက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း PCB များရှိ ရွှေလက်ချောင်းများနှင့် အဆက်အသွယ်အမှတ်များကို ဂဟေဆက်ခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။
အပူချိန်မြင့် တိပ်ကယ်ရီယာ စာရွက်များ- အမှုန်အမွှားများ သို့မဟုတ် အကြွင်းအကျန်များ မထုတ်ဘဲ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများပေါ်ရှိ အသေးစား အလွှာများကို လုံခြုံစေရန် လိုက်လျောညီထွေရှိသော သယ်ဆောင်သူများ။
Anti-static roller ထုပ်ပိုးခြင်း- အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ ကပ်မထားသော၊ နှင့် static-dissipative contact မျက်နှာပြင်များကိုပေးဆောင်ရန် Clads သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး rollers များသည် - ပွတ်တိုက်မှုနှင့် static discharge တို့မှ wafer ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။
သန့်စင်ခန်း ယာယီအမှတ်အသားပြုခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- အညွှန်းတပ်ခြင်း၊ ယာယီကေဘယ်ကြိုးများ ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ညစ်ညမ်းခြင်းများကို မဖော်ပြဘဲ အသေးစား ပြုပြင်ခြင်းများအတွက်။
ဤသည်မှာ semiconductor-grade PTFE တိပ်ကို ယေဘူယျရည်ရွယ်ချက်တိပ်နှင့် ခွဲခြားသည့် စံနှုန်းများဖြစ်သည်။ မလိုက်နာပါက အစုလိုက် အားလုံးကို ဖျက်သိမ်းခြင်းသို့ ဦးတည်သွားနိုင်သည်။ Aokai PTFE သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ semiconductor-grade တိပ်များအတွက် အဆိုပါ ကန့်သတ်ချက်များအားလုံးကို အတည်ပြုသည်။
လိုအပ်ချက် |
ဘာကြောင့် အရေးကြီးတာလဲ။ |
ပုံမှန်ကန့်သတ်ချက် |
|---|---|---|
စုစုပေါင်း ဟေလိုဂျင်ပါဝင်မှု နည်းသည် (ဟာလိုဂျင်မပါသော ဦးစားပေး) |
ဟေလိုဂျင်များသည် အလူမီနီယံနှောင်ကြိုးပြားများနှင့် ချစ်ပ်များပေါ်တွင် ကြေးနီ အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုကို ထိခိုက်စေသည်။ |
<900 ppm (ဟေလိုဂျင်မပါသော- Cl/Br အတွက် <50 ppm တစ်ခုစီ) |
Siloxane ပါဝင်မှုကို တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ခြင်း။ |
Siloxanes သည် အပူအောက်တွင် ပေါက်ကွဲပြီး လျှပ်ကာအမှုန်များ ဖွဲ့စည်းကာ ချိတ်ဆက်မှု ချို့ယွင်းမှုနှင့် လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ် ညံ့ဖျင်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။ |
ပုံမှန်အားဖြင့် <500 ppm သို့မဟုတ် ထောက်လှမ်း၍မရပါ။ |
TVOC ထုတ်လွှတ်မှု အလွန်နည်းသည်။ |
မတည်ငြိမ်သော အော်ဂဲနစ်များသည် အလင်းမှုန်များ ဖုံးလွှမ်းပြီး wafer မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် စုပုံနေသည်။ |
<50 µg/g (လုပ်ငန်းစဉ်အလိုက် ကွဲပြားသည်) |
Aokai PTFE မှတ်ချက်- ကျွန်ုပ်တို့၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် PTFE တိပ်များကို ပုံမှန်လုပ်ဆောင်နေသော အပူချိန် (260°C အထိ) တွင် ဓာတ်ငွေ့ထွက်ခြင်းကို လျှော့ချရန် သန့်ရှင်းသော PTFE နှင့် ဆီလီကွန် PSA တို့ဖြင့် ဖော်စပ်ထားသည်။
ပိုင်းဖြတ်ခြင်းနှင့် ထုပ်ပိုးခြင်း- အပြီးသတ်ရပါမည် ။ ISO Class 4 (သို့မဟုတ် ထို့ထက်မြင့်သော) သန့်စင်ခန်းများတွင် တိပ်ကိုယ်တိုင်မှ အမှုန်အမွှားများ ကြွေကျခြင်းကို လျှော့ချရန်
အလွန်နည်းသော သတ္တုအိုင်းယွန်းပါဝင်မှု- ဆိုဒီယမ် (Na⁺) နှင့် ပိုတက်စီယမ် (K⁺) ကဲ့သို့သော အယ်လ်ကာလီသတ္တုများသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပြောင်းလဲစေသည်။ တစ်ခုတည်းသောသတ္တုအိုင်းယွန်းအဆင့်ကို ယေဘုယျအားဖြင့် <1 ppm တွင်ကန့်သတ်ထားသည်။.
အကြွင်းမဲ့ကပ်ခွာ- တိပ်အခွံခွာပြီးနောက် wafers ပေါ်ရှိ hydrophobic passivation အလွှာများကို မျက်နှာပြင် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်း မရှိပါ။
မျက်နှာပြင်ခုခံနိုင်မှု- 10⁶ – 10⁹ Ω
လိုအပ်ချက်- ပတ်ဝန်းကျင် စိုထိုင်းဆ မခွဲခြားဘဲ တည်ငြိမ်သော တည်ငြိမ်မှုရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများ၊ တူညီပြီး တသမတ်တည်း
အဘယ်ကြောင့်နည်း- နူးညံ့သိမ်မွေ့သော ချစ်ပ်ပြားများကို ဖျက်ဆီးသည့် ဗို့အားမြင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်လျှပ်စစ်ထုတ်လွှတ်မှုကို တားဆီးသည်။
ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်- ပြင်းထန်သောအက်ဆစ်များ (ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်၊ နိုက်ထရစ်အက်ဆစ်)၊ ပြင်းထန်သောအယ်ကာလီ (ထုတ်လုပ်သူဖြေရှင်းချက်) နှင့် အော်ဂဲနစ်ပျော်ဝင်ပစ္စည်းများ (acetone၊ isopropyl alcohol) - တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအစိုစွတ်ခြင်းတွင် အသုံးများသည်။
အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှု- မျက်နှာဖုံးစွပ်မှားယွင်းမှုနှင့် ကပ်ခွာအကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားရန် မြင့်မားသောနှင့် နိမ့်သော အပူချိန်များအောက်တွင် အပူပိုင်းကျုံ့နိုင်မှု အနည်းငယ်သာရှိသည်။ ခြုံငုံအထူသည်းခံမှု အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည် ။ ±5% သို့မဟုတ် ±0.01 မီလီမီတာ .
လိုအပ်ချက် |
သတ်မှတ်ချက် |
အတည်ပြုခြင်းနည်းလမ်း |
|---|---|---|
သန့်စင်ခန်းများ ထုတ်လုပ်ခြင်း။ |
ဖြတ်ခြင်း/ထုပ်ပိုးခြင်းအတွက် ISO Class 4 နှင့်အထက် |
အမှုန်ရေတွက်လက်မှတ် |
ဟေလိုဂျင်ပါဝင်မှု |
<900 ppm (ဟာလိုဂျင်မပါသော ဦးစားပေး) |
Ion chromatography (IC) |
Siloxane ပါဝင်မှု |
<500 ppm (သို့မဟုတ် ထောက်လှမ်းမရနိုင်) |
GC-MS |
TVOC ထုတ်လွှတ်မှု |
260°C တွင် <50 µg/g |
Headspace GC-MS |
သတ္တုအိုင်းယွန်း |
<1 ppm တစ်ခုစီ (Na⁺၊ K⁺ စသည်ဖြင့်) |
ICP-MS |
မျက်နှာပြင်ခုခံနိုင်စွမ်း |
10⁶ – 10⁹ Ω |
ASTM D257 |
ကော်ကျန် |
အခွံခွာပြီးရင် တစ်ခုမှ မရှိဘူး။ |
အမြင်အာရုံစစ်ဆေးခြင်း၊ တိပ်ခွေစမ်းသပ်ခြင်း။ |
ဓာတုခုခံမှု |
HF၊ HNO₃၊ NaOH၊ IPA၊ acetone ကို ဖြတ်ပါ။ |
နှစ်မြှုပ်စမ်းသပ် |
အထူသည်းခံ |
±5% သို့မဟုတ် ±0.01 မီလီမီတာ |
မိုက်ခရိုမီတာ တိုင်းတာခြင်း။ |
Aokai PTFE သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် PTFE တိပ်ခွေများအတွက် စာရွက်စာတမ်းအပြည့်အစုံကို ပေးဆောင်ထားပြီး အခန်းသန့်ရှင်းရေးအသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်၊ ဟေလိုဂျင်များအတွက် အိုင်းယွန်းခရိုမာတီဂရိုက် (IC) အစီရင်ခံစာများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများအတွက် ICP-MS နှင့် GC-MS တို့ကို စွန့်ထုတ်ရန်အတွက် စာရွက်စာတမ်းအပြည့်အစုံကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အသေးစိတ်ဒေတာစာရွက်အတွက် သင်၏လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
အထက်ပါ နည်းပညာဆိုင်ရာ အကြောင်းအရာများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ Jiangsu Aokai New Materials Technology Co., Ltd.
အကယ်၍ သင်သည် PTFE အပူချိန်မြင့်သည့်အထည်၊ PTFE အပူချိန်မြင့်ကော်တိပ်၊ PTFE အပူချိန်မြင့်သော ကပ်ခွာကြိုး၊ ချောမွေ့မှုမရှိသော အပူဖိခါးပတ်၊ တစ်ဖက်သတ် PTFE အထည်၊ အပူချိန်မြင့်သော conveyor ခါးပတ်နှင့် အပူခံနိုင်ရည်ရှိသော အထည်များကို ဆက်သွယ်ရန် ကျေးဇူးပြု၍ အောက်ပါ ဖိုက်ဘာမှန်များမှတစ်ဆင့် ဆက်သွယ်ပါ။
မစ္စတာ Guo- +86 18944819998
မစ္စတာလျူ- +86 13705266308
ကျွန်ုပ်တို့သည် ပါတနာအားလုံးအတွက် ဘက်စုံစက်မှုဖြေရှင်းချက်များနှင့် တွေးခေါ်မြော်မြင်သော ဖောက်သည်ဝန်ဆောင်မှုကို ပေးဆောင်ရန် ကတိကဝတ်ပြုထားသော ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ဆန်မှုနှင့် သမာဓိကို လက်ကိုင်ပြုထားသည်။