Mae'r erthygl hon yn ymdrin â sut i gyd-fynd â chyflymder llinell y peiriant cotio a hyd y popty i sicrhau bod gludiog organosilicone yn cyrraedd gradd halltu targed ar gyfer tâp PTFE tymheredd uchel. Egwyddor paru graidd: cyfanswm amser preswylio t_total = hyd popty effeithiol L ÷ cyflymder llinell v ni ddylai fod yn llai na'r isafswm amser gwella gofynnol. Sicrhewch nodweddion iachâd trwy DSC neu brofion iachâd gludiog sy'n sefydlu perthynas 'tymheredd - lleiafswm amser iachâd'. Model iachâd cronnus cyfatebol: rhannwch y popty yn barthau, cyfrifwch ti=Li/v a tcure(Ti), sicrhewch ∑(ti/tcure(Ti)) ≥1. Gweithdrefnau cyfrifo: gosod parthau tymheredd gyda hyd Li a thymheredd Ti; gosod cyflymder llinell v, cyfrifo amser preswylio pob parth a chymhareb cyfraniad; ailadrodd tan gyfanswm o ≥1 (argymhellir ymyl diogelwch 1.1-1.2).

Mae'r erthygl hon yn cymharu gwahaniaethau rhwng gwresogi ymbelydredd isgoch a gwresogi cylchrediad aer poeth dulliau halltu ar strwythur crosslinked unffurfiaeth haenau gludiog silicôn. Mecanweithiau trosglwyddo gwres: mae aer poeth yn dibynnu ar ddargludiad darfudiad gyda chynnydd tymheredd ysgafn, gwahaniaeth tymheredd mewnol/allanol bach; Mae gan IR ddyfnder treiddiad cyfyngedig gydag amsugniad arwyneb cryf (degau i gannoedd o ficrometrau) gan greu graddiant arwyneb-i-tu mewn serth. Effeithiau ar unffurfiaeth crosslink: mae aer poeth yn galluogi halltu cydamserol y tu mewn a'r tu allan gyda dwysedd crosslink unffurf; Mae IR yn achosi haen arwyneb i ffurfio 'ffilm groen' trwchus yn gyflym sy'n rhwystro dargludiad gwres a mudiant cadwyn fewnol, gan greu dwysedd croesgysylltu sy'n lleihau o'r wyneb i'r tu mewn.

Mae'r erthygl hon yn ymdrin â gohebiaeth feintiol rhwng ffracsiwn gel a chryfder cydlynol mewn gludyddion silicon sy'n sensitif i bwysau ar gyfer tâp Teflon. Ffracsiwn gel = canran màs y rhwydwaith croesgysylltu sy'n anhydawdd mewn tolwen (echdynnu Soxhlet, 24 awr). Cryfder cydlynol a nodweddir gan bŵer dal tymheredd uchel (180 ° C, 1kg). Tri ystod: islaw'r pwynt critigol (<60%) — dim rhwydwaith trylifo, yn dal pŵer yn agos at sero; ystod ymarferol (60-85%) - cryfder cydlynol yn tyfu'n esbonyddol gyda ffracsiwn gel, 60% → 70% yn codi amser dal o funudau i oriau, 70% → 80% yn rhoi cynnydd o 3-10x; croesgysylltu uchel (>85%) - enillion yn araf (85% → 95% dim ond 20-50% o gynnydd), tac yn gostwng yn sylweddol, >95% yn colli eiddo PSA.

Mae'r erthygl hon yn ymdrin â sut i gyfateb tymheredd dadelfennu a hanner oes asiantau croesgysylltu perocsid (BPO a DCP) â ffenestr y broses halltu ar gyfer tâp Teflon. Data craidd: BPO - hanner oes 1 munud ar ~ 131 ° C, 1 awr ar ~ 92 ° C, 10 awr ar ~ 72 ° C; DCP - 1 munud ar ~ 171 ° C, 1-awr ar ~ 135 ° C, 10-awr ar ~ 115 ° C. Rhesymeg baru: mae angen 97-99% o groesgysylltu ar gludydd = 5-7 hanner oes; amser halltu = 5-7 × hanner oes ar dymheredd targed. Ôl-gyfrifo tymheredd o amser preswylio'r llinell gynhyrchu neu ôl-gyfrifo amser o'r tymheredd uchaf a ganiateir.

Mae'r erthygl hon yn cymharu gwahaniaethau rhwng gwresogi ymbelydredd isgoch a gwresogi cylchrediad aer poeth ar strwythur crosslinked unffurfiaeth haen gludiog silicôn. Mecanweithiau trosglwyddo gwres: aer poeth yw darfudiad-dargludiad, ysgafn a blaengar, gan greu graddiant tymheredd cymedrol; Amsugniad ymbelydredd yw IR ac mae'n amsugno'n ddwys ar yr wyneb (micromedrau i filimetrau) gan greu graddiant serth arwyneb-i-mewnol. Effeithiau ar ddosbarthiad dwysedd crosslink: mae aer poeth yn caniatáu i ddognau mewnol ac allanol fynd i mewn i ystod tymheredd vulcanization bron ar yr un pryd, gan gynhyrchu dwysedd crosslink unffurf ar hyd trwch; Mae IR yn achosi haen wyneb i wella ar unwaith gan ffurfio croen trwchus sy'n rhwystro trosglwyddo gwres, gan arwain at raddiant sydyn o ddwysedd crosslink yn gostwng o wyneb i mewn.

Mae'r erthygl hon yn archwilio effeithiau rheoli tensiwn gwe yn ystod cotio tâp tymheredd uchel Teflon ar wastadrwydd swbstrad PTFE ac unffurfiaeth cotio gludiog. Effeithiau ar wastadrwydd swbstrad: mae tensiwn sy'n fwy na'r terfyn elastig yn achosi ymestyn a gwddf anwrthdroadwy plastig (estyniad hydredol, culhau ardraws), gan ffurfio slacni, crychau a phatrymau tonnog; Mae ymgripiad PTFE o dan densiwn parhaus yn cael ei 'rewi' ar ôl oeri, gan achosi anwastadrwydd arwyneb; mae tensiwn ardraws anwastad o gyfochrogrwydd rholio gwael yn creu ymylon cyrliog, pothellu canolog, a marciau rhydd tynn o bryd i'w gilydd.

Mae'r erthygl hon yn disgrifio patrwm newid cryfder cydlynol haen gludiog tâp tymheredd uchel PTFE ar ôl heneiddio tymheredd uchel. Patrwm tri cham: Cam codi ar ôl halltu (amlygiad tymheredd uchel cynnar ar 200-260 ° C, mae grwpiau adweithiol gweddilliol yn parhau i groesgysylltu, mae cydlyniad yn cynyddu'n sylweddol); Cam ecwilibriwm sefydlog (trawsgysylltu agosáu at gwblhau, cydlyniant yn aros yn sefydlog dros gyfnodau hir); Cam diraddio a dirywiad (mae gormod o amser/tymheredd yn achosi diraddio'r brif gadwyn, cydlyniad yn lleihau, adlyn yn meddalu ac yn mynd yn dwt). Dadansoddir achosion sylfaenol methiant cydlynol (rhwygo mewnol yn gadael gweddillion) a gwasgu allan (llif oer o ymylon oherwydd llai o fodwlws).

Mae'r erthygl hon yn cyflwyno dulliau i wella ymwrthedd creep a sefydlogrwydd daliad hirdymor tâp uchel-ddaliad tymheredd uchel Teflon. Ymhlith y strategaethau mae: Optimeiddio topoleg rhwydwaith moleciwlaidd — mae cymhareb resin silicon MQ/gwm uchel (1.2:1–2:1) yn ffurfio parthau cyfnod caled anhyblyg; mae ymgorffori grwpiau ffenyl (20-30 môl%) yn rhwystro symudiad cadwyn; pwysau moleciwlaidd crosslink wedi'i reoli ar 5,000-15,000 g/mol; Strwythur gludiog modwlws graddiant amlhaenog - haen angori preimio (1-3μm) gydag asiant cyplu silane, haen cydlynol modwlws uchel (30-50μm) fel sgerbwd sy'n gwrthsefyll cneifio, haen swyddogaethol viscoelastig (3-8μm) ar gyfer gwlychu wyneb; Nanofillers - silica fygdarthu (10-25 wt%) gydag addasiad arwyneb yn creu croesgysylltu ffisegol cildroadwy.

Mae'r erthygl hon yn mynd i'r afael â sut mae dyluniad strwythur micromandyllog tâp tymheredd uchel sy'n gallu anadlu Teflon (PTFE) yn cydbwyso athreiddedd aer ag insiwleiddio a phriodweddau nad ydynt yn glynu. Gwrthdaro craidd: athreiddedd aer yn gofyn am mandyllau agored, tra bod inswleiddio gofynion dwysedd a non-stick angen arwynebau llyfn. Strategaethau dylunio cytbwys: rheoli diamedr mandwll cyfartalog (0.1-2μm, yn ddelfrydol <0.5μm) i atal treiddiad toddi a chynnal foltedd chwalu; rheoli mandylledd ar 50-70% (≈60% optimaidd) gan gyflawni Gurley 20-100s/100cc a chryfder dielectrig ≥2kV ar gyfer ffilm 0.13mm; mabwysiadu strwythur mandwll rhwydwaith 3D arteithiol uchel (τ≈2.5-4) i atal sianeli gollwng syth drwodd; adeiladu strwythur mandwll graddiant anghymesur gyda haen croen wyneb trwchus (1-5μm) ar gyfer insiwleiddio anffon a mandyllog ar gyfer anadlu; cymhwyso arwyneb uwch-oleoffobig/hydroffobig ar ôl y driniaeth heb rwystr mandwll.

Mae'r erthygl hon yn darparu atebion systematig ar gyfer atal gweddillion gludiog a gwaedu gludiog wrth ddefnyddio tâp tymheredd uchel PTFE i amddiffyn bysedd aur PCB yn ystod cynulliad UDRh. Dadansoddiad achos gwraidd: mae gweddillion yn digwydd o fethiant cydlynol neu drosglwyddiad rhyngwynebol; gwaedu yn digwydd o gludedd gostyngiad a gorlif adlyn o dan reflow gwres. Y datrysiad craidd yw dewis tâp cywir: PSA silicon gyda brig tymor byr ≥300 ° C, parhaus ≥260 ° C, cyfanswm trwch 0.08-0.13mm gyda haenau gludiog tenau cydlyniant uchel, ac ardystiad gwrth-waed / di-waddod. Rheoli proses chwe cham: glanhau cyn lamineiddio gyda IPA; lamineiddiad sero tensiwn gyda gwacáu aer llawn; proffil tymheredd reflow wedi'i optimeiddio gyda gwres ysgafn (<2°C/s); pilio oer o dan 50 ° C ar ongl 180 °; prosesu ar unwaith o fewn 24 awr a defnydd sengl yn unig; trin methiant gyda sychu IPA ac archwiliad chwyddwydr 40-50x. Ar gyfer PCBs dwy ochr, gosodwch dâp newydd yn ei le cyn prosesu ail ochr.