ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା PTFE ଟେପ୍ ପାଇଁ ଅର୍ଗାନୋସିଲିକନ୍ ଆଡେସିଭ୍ ଟାର୍ଗେଟ୍ ଆରୋଗ୍ୟ ଡିଗ୍ରୀରେ ପହଞ୍ଚିବା ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଆବରଣ ମେସିନ୍ ଲାଇନ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ଚୁଲି ଦ length ର୍ଘ୍ୟ ସହିତ କିପରି ମେଳ ହେବ ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ମୂଳ ମେଳଣ ନୀତି: ସମୁଦାୟ ଆବାସ ସମୟ t_total = ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଚୁଲି ଦ length ର୍ଘ୍ୟ L ÷ ଲାଇନ ଗତି v ସର୍ବନିମ୍ନ ଆବଶ୍ୟକ ଆରୋଗ୍ୟ ସମୟଠାରୁ କମ୍ ନୁହେଁ | DSC କିମ୍ବା ଆଡେସିଭ୍ ଆରୋଗ୍ୟ ପରୀକ୍ଷଣ ମାଧ୍ୟମରେ 'ତାପମାତ୍ରା - ସର୍ବନିମ୍ନ ଉପଶମ ସମୟ ' ସମ୍ପର୍କ ସ୍ଥାପନ କରି ଉପଶମ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପ୍ରାପ୍ତ କରନ୍ତୁ | ସମାନ ସମନ୍ୱିତ ଉପଶମ ମଡେଲ: ଚୁଲିକୁ ଜୋନ୍ରେ ବିଭକ୍ତ କରନ୍ତୁ, ti = Li / v ଏବଂ tcure (Ti) ଗଣନା କରନ୍ତୁ, ∑ (ti / tcure (Ti)) ≥1 ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ | ଗଣନା ପ୍ରଣାଳୀ: ଦ Li ର୍ଘ୍ୟ Li ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା Ti ସହିତ ତାପମାତ୍ରା ଜୋନ୍ ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ; ରେଖା ଗତି v ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ଜୋନର ବାସ ସମୟ ଏବଂ ଅବଦାନ ଅନୁପାତ ଗଣନା କରନ୍ତୁ; ସମୁଦାୟ ≥1 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପୁନରାବୃତ୍ତି କରନ୍ତୁ (ସୁରକ୍ଷା ମାର୍ଜିନ 1.1-1.2 ପରାମର୍ଶିତ) |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ସିଲିକନ୍ ଆଡେସିଭ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକର କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ହୋଇଥିବା structure ାଞ୍ଚା ସମାନତା ଉପରେ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ରେଡିଏସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ହଟ-ଏୟାର ସଞ୍ଚାରଣ ଗରମ ଆରୋଗ୍ୟ ପ୍ରଣାଳୀ ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ ତୁଳନା କରେ | ଉତ୍ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପ୍ରଣାଳୀ: କୋମଳ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି, ଛୋଟ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ / ବାହ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ପାର୍ଥକ୍ୟ ସହିତ ଗରମ-ବାୟୁ କନଭେକସନ-କଣ୍ଡକ୍ଟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଶକ୍ତିଶାଳୀ ପୃଷ୍ଠ ଅବଶୋଷଣ (ଦଶରୁ ଶହ ଶହ ମାଇକ୍ରୋମିଟର) ସହିତ IR ର ସୀମିତ ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତା ଅଛି ଯାହାକି ଖାଲ ପୃଷ୍ଠରୁ ଭିତର ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ | କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ସମାନତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ: ଗରମ-ବାୟୁ ୟୁନିଫର୍ମ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା ସହିତ ଭିତର ତଥା ବାହାରେ ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ଆରୋଗ୍ୟକୁ ସକ୍ଷମ କରେ | ଆଇଆର ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସ୍ତର ଶୀଘ୍ର ଘନ 'ଚର୍ମ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ' ସୃଷ୍ଟି କରେ ଯାହା ଉତ୍ତାପ ଚାଳନା ଏବଂ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଶୃଙ୍ଖଳା ଗତିକୁ ବାଧା ଦେଇଥାଏ, କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଭୂପୃଷ୍ଠରୁ ଭିତର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କମିଯାଏ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଟେଫଲନ୍ ଟେପ୍ ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ଚାପ-ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଆଡେସିଭ୍ସରେ ଜେଲ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ଏବଂ ମିଳିତ ଶକ୍ତି ମଧ୍ୟରେ ପରିମାଣିକ ସମ୍ୱନ୍ଧକୁ ଆବୃତ କରେ | ଜେଲ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ = ଟୋଲୁଏନରେ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ହୋଇଥିବା ନେଟୱାର୍କର ମାସ ଶତକଡା (ସୋକ୍ସଲେଟ୍ ନିଷ୍କାସନ, 24 ଘଣ୍ଟା) | ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଧାରଣ ଶକ୍ତି (180 ° C, 1 କିଲୋଗ୍ରାମ) ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ ଶକ୍ତି | ତିନୋଟି ରେଞ୍ଜ: ଜଟିଳ ବିନ୍ଦୁ ତଳେ (<60%) - କ per ଣସି ପେରକୋଲେଟିଂ ନେଟୱାର୍କ ନାହିଁ, ଶୂନ ନିକଟରେ ଶକ୍ତି ଧାରଣ କରେ; ବ୍ୟବହାରିକ ପରିସର (60-85%) - ଜେଲ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ସହିତ ମିଳିତ ଶକ୍ତି ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବ ows େ, 60% → 70% ମିନିଟ୍ ରୁ ଘଣ୍ଟା ଧରି ସମୟ ବ ises ାଇଥାଏ, 70% → 80% 3-10x ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଦାନ କରେ | ହାଇ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ (> 85%) - ଧୀର ଲାଭ (85% → 95% କେବଳ 20-50% ବୃଦ୍ଧି), ଟ୍ୟାକ୍ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ ପାଇଥାଏ,> 95% PSA ଗୁଣ ହରାଇଥାଏ |

ଟେଫଲନ୍ ଟେପ୍ ପାଇଁ ଆରୋଗ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ୱିଣ୍ଡୋ ସହିତ ବିଚ୍ଛେଦ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ପେରକ୍ସାଇଡ୍ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କିଙ୍ଗ୍ ଏଜେଣ୍ଟ୍ (BPO ଏବଂ DCP) ର ଅଧା ଜୀବନ କିପରି ମେଳ ହେବ ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ମୂଳ ତଥ୍ୟ: BPO - 1 ମିନିଟର ଅଧା ଜୀବନ ~ 131 ° C, 1 ଘଣ୍ଟା ~ 92 ° C, 10 ଘଣ୍ଟା ~ 72 ° C ରେ; DCP - 1 ମିନିଟ୍ ~ 171 ° C, 1 ଘଣ୍ଟା ~ 135 ° C, 10 ଘଣ୍ଟା ~ 115 ° C ରେ | ମେଳଣ ତର୍କ: ଆଡେସିଭ୍ 97-99% କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ = 5-7 ଅଧା ଜୀବନ ଆବଶ୍ୟକ କରେ; ଆରୋଗ୍ୟ ସମୟ = ଲକ୍ଷ୍ୟ ତାପମାତ୍ରାରେ 5-7 × ଅଧା ଜୀବନ | ଉତ୍ପାଦନ ରେଖା ନିବାସ ସମୟରୁ ବ୍ୟାକ୍-ଗଣନା ତାପମାତ୍ରା କିମ୍ବା ସର୍ବାଧିକ ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ତାପମାତ୍ରା ଠାରୁ ବ୍ୟାକ୍-ଗଣନା ସମୟ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ସିଲିକନ୍ ଆଡେସିଭ୍ ସ୍ତରର କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ହୋଇଥିବା structure ାଞ୍ଚା ସମାନତା ଉପରେ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ରେଡିଏସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ହଟ-ଏୟାର ସଞ୍ଚାର ଗରମ ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ ତୁଳନା କରେ | ଉତ୍ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପ୍ରଣାଳୀ: ଗରମ-ବାୟୁ ହେଉଛି ସଂକଳନ-ଚାଳନା, ଭଦ୍ର ଏବଂ ପ୍ରଗତିଶୀଳ, ମଧ୍ୟମ ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଆଇଆର ହେଉଛି ତୀବ୍ର ପୃଷ୍ଠ ଅବଶୋଷଣ ସହିତ ବିକିରଣ-ଅବଶୋଷଣ (ମାଇକ୍ରୋମିଟରରୁ ମିଲିମିଟର) ଖାଲ ପୃଷ୍ଠରୁ ଭିତର ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରେ | କ୍ରସଲିଙ୍କ ସାନ୍ଧ୍ରତା ବଣ୍ଟନ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ: ଗରମ-ବାୟୁ ଭିତର ଏବଂ ବାହ୍ୟ ଅଂଶକୁ ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା ପରିସରକୁ ଏକକାଳୀନ ପ୍ରବେଶ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ମୋଟା ସହିତ ସମାନ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ଘନତା ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଆଇଆର ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଘନ ଚର୍ମକୁ ଉପଶମ କରିବାରେ ଉପଶମ କରେ ଯାହା ଉତ୍ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣରେ ବାଧା ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ଘନତ୍ୱର ତୀକ୍ଷ୍ଣ ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ଭିତର ଭିତରୁ କମିଯାଏ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ PTFE ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଫ୍ଲାଟେନ୍ସ ଏବଂ ଆଡେସିଭ୍ ଆବରଣର ସମାନତା ଉପରେ ଟେଫଲନ୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଟେପ୍ ଆବରଣ ସମୟରେ ୱେବ୍ ଟେନସନ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣର ପ୍ରଭାବଗୁଡିକ ପରୀକ୍ଷା କରେ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସମତଳତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ: ଇଲାଷ୍ଟିକ୍ ସୀମା ଅତିକ୍ରମ କରୁଥିବା ଟେନସନ୍ ଅଦୃଶ୍ୟ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ଷ୍ଟ୍ରେଚିଂ ଏବଂ ବେକ (ଦ୍ରାଘିମା ବିସ୍ତାର, ଟ୍ରାନ୍ସଭର୍ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣତା) ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଅଳସୁଆ, କୁଞ୍ଚନ ଏବଂ ତରଙ୍ଗ s ାଞ୍ଚା ସୃଷ୍ଟି କରେ | ସ୍ଥାୟୀ ଟେନସନ୍ ଅନ୍ତର୍ଗତ PTFE କ୍ରିପ୍ ଥଣ୍ଡା ହେବା ପରେ 'ଫ୍ରିଜ୍ ' ହୋଇଯାଏ, ଯାହା ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅସମାନତା ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଖରାପ ରୋଲର ସମାନ୍ତରାଳରୁ ଅସମାନ ଟ୍ରାନ୍ସଭର୍ ଟେନସନ୍ କୁଞ୍ଚିତ ଧାର, କେନ୍ଦ୍ରୀୟ ଫୁଲା, ଏବଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟକ୍ରମେ ଟାଇଟ୍-ଲସ୍ ମାର୍କ ସୃଷ୍ଟି କରେ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧାବସ୍ଥା ପରେ PTFE ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଟେପ୍ ଆଡେସିଭ୍ ସ୍ତରର ମିଳିତ ଶକ୍ତିରେ ପରିବର୍ତ୍ତନର pattern ାଞ୍ଚାକୁ ବର୍ଣ୍ଣନା କରେ | ତିନୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟ pattern ାଞ୍ଚା: ଆରୋଗ୍ୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପର୍ଯ୍ୟାୟ (200-260 ° C ରେ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏକ୍ସପୋଜର୍, ଅବଶିଷ୍ଟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗୋଷ୍ଠୀ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ଜାରି ରଖନ୍ତି, ମିଳନ ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ); ସ୍ଥିର ସନ୍ତୁଳନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ (କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ସମାପ୍ତ ହେବାକୁ ଯାଉଛି, ଦୀର୍ଘ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ସମନ୍ୱୟ ସ୍ଥିର ରହିଥାଏ); ଅବକ୍ଷୟ ଏବଂ ଅବନତି ପର୍ଯ୍ୟାୟ (ଅତ୍ୟଧିକ ସମୟ / ତାପମାତ୍ରା ମୁଖ୍ୟ ଶୃଙ୍ଖଳାର ଅବକ୍ଷୟ ଘଟାଏ, ମିଳନ କମିଯାଏ, ଆଡେସିଭ୍ ନରମ ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ଟ୍ୟାକ୍ସି ହୋଇଯାଏ) | ମିଳିତ ବିଫଳତାର ମୂଳ କାରଣଗୁଡିକ (ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଛିଣ୍ଡିବା ଅବଶିଷ୍ଟ ଅବଶିଷ୍ଟ ଅଂଶ) ଏବଂ ଚିପିବା (ମଡ୍ୟୁଲସ୍ ହ୍ରାସ ହେତୁ ଧାରରୁ ଥଣ୍ଡା ପ୍ରବାହ) ବିଶ୍ଳେଷଣ କରାଯାଇଥାଏ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ କ୍ରିପ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ହୋଲ୍ଡ ଟେଫଲନ୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଟେପ୍ ର ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଧାରଣ ସ୍ଥିରତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ପଦ୍ଧତିଗୁଡିକ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ | ରଣନୀତି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ମଲିକୁଲାର ନେଟୱାର୍କ ଟପୋଲୋଜି ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ - ଉଚ୍ଚ MQ ସିଲିକନ୍ ରଜନୀ / ଗୁମ୍ ଅନୁପାତ (1.2: 1-2: 1) କଠିନ ହାର୍ଡ-ଫେଜ୍ ଡୋମେନ୍ ଗଠନ କରେ; ଫେନିଲ୍ ଗୋଷ୍ଠୀର ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ (20-30 mol%) ଶୃଙ୍ଖଳା ଗତିକୁ ବାଧା ଦେଇଥାଏ | କ୍ରସଲିଙ୍କ ମଲିକୁଲାର ଓଜନ 5,000-15,000 g / mol ରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ; ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ ମଲ୍ଟିଲାୟର୍ ଆଡେସିଭ୍ structure ାଞ୍ଚା - ସାଇଲନ୍ କପଲିଂ ଏଜେଣ୍ଟ ସହିତ ପ୍ରାଇମର୍-ଆଙ୍କୋରିଂ ସ୍ତର (1-3μm), ଉଚ୍ଚ-ମଡ୍ୟୁଲସ୍ କୋହସିଭ୍ ଲେୟାର୍ (30-50μm) ଶିର-ପ୍ରତିରୋଧକ କଙ୍କାଳ, ଭିସକୋଲେଷ୍ଟିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ସ୍ତର (3-8μm); ନାନୋଫିଲର୍ସ - ଫ୍ୟୁମ୍ ସିଲିକା (10-25 wt%) ଭୂପୃଷ୍ଠ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ଓଲଟା ଶାରୀରିକ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ |

ନିଶ୍ୱାସପ୍ରାପ୍ତ ଟେଫଲନ୍ (PTFE) ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଟେପ୍ ର ମାଇକ୍ରୋପୋରସ୍ structure ାଞ୍ଚା ଡିଜାଇନ୍ କିପରି ଇନସୁଲେସନ୍ ଏବଂ ଅଣ-ଷ୍ଟିକ୍ ଗୁଣ ସହିତ ବାୟୁ ବିସ୍ତାରକୁ ସନ୍ତୁଳିତ କରେ ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ସୂଚିତ କରେ | ମୂଳ ଦ୍ୱନ୍ଦ୍ୱ: ବାୟୁ ବିସ୍ତାରତା ଖୋଲା ଖୋଲା ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଯେତେବେଳେ ଇନସୁଲେସନ୍ ଘନତା ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଏବଂ ଅଣ-ଷ୍ଟିକ୍ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ସନ୍ତୁଳିତ ଡିଜାଇନ୍ କ ies ଶଳ: ତରଳିବା ଅନୁପ୍ରବେଶକୁ ରୋକିବା ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ହାରାହାରି ପୋର ବ୍ୟାସ (0.1-2μm, ଆଦର୍ଶ ଭାବରେ <0.5μm) ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରନ୍ତୁ | 50-70% (≈60% ସର୍ବୋତ୍କୃଷ୍ଟ) ରେ ଗର୍ଲି 20-100s / 100cc ହାସଲ କରିବା ଏବଂ 0.13 ମିମି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇଁ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଶକ୍ତି ≥2kV; ସିଧା ସଳଖ ଡିସଚାର୍ଜ ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକୁ ଦମନ କରିବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ଟର୍ଟୁସିଟି 3D ନେଟୱାର୍କ ପୋର ଗଠନ (τ≈2.5-4) ଗ୍ରହଣ କରନ୍ତୁ; ଅଣ-ଷ୍ଟିକ୍ / ଇନସୁଲେସନ୍ ଏବଂ ନିଶ୍ୱାସ ପ୍ରଶ୍ୱାସ ପାଇଁ ଘୋର ଭିତର ଚର୍ମ ସ୍ତର (1-5μm) ସହିତ ଅସୀମେଟ୍ରିକ୍ ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ପୋର ଗଠନ; ପୋର ଅବରୋଧ ବିନା ସୁପର-ଓଲିଓଫୋବିକ୍ / ହାଇଡ୍ରୋଫୋବିକ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରୟୋଗ କରନ୍ତୁ |

SMT ବିଧାନସଭା ସମୟରେ PCB ସୁନା ଆଙ୍ଗୁଠିର ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ PTFE ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଟେପ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା ସମୟରେ ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଆଡେସିଭ୍ ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ ଏବଂ ଆଡେସିଭ୍ ରକ୍ତକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବସ୍ଥିତ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ | ମୂଳ କାରଣ ବିଶ୍ଳେଷଣ: ଅବଶିଷ୍ଟତା ମିଳିତ ବିଫଳତା କିମ୍ବା ଇଣ୍ଟରଫେସିଆଲ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରରୁ ଘଟିଥାଏ | ରକ୍ତ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଡ୍ରପ୍ ଏବଂ ରିଫ୍ଲୋ ଉତ୍ତାପରେ ଆଡେସିଭ୍ ଓଭରଫ୍ଲୋରୁ ହୁଏ | ମୂଳ ସମାଧାନ ହେଉଛି ସଠିକ୍ ଟେପ୍ ଚୟନ: ସ୍ short ଳ୍ପ ମିଆଦି ଶିଖର ସହିତ ସିଲିକନ୍ PSA, କ୍ରମାଗତ ≥260 ° C, ପତଳା ଉଚ୍ଚ-ସମନ୍ୱୟ ଆଡେସିଭ୍ ସ୍ତର ସହିତ ମୋଟ ଘନତା 0.08-0.13 ମିମି ଏବଂ ଆଣ୍ଟି-ବ୍ଲେଡ୍ / ଅବଶିଷ୍ଟ ମୁକ୍ତ ପ୍ରମାଣପତ୍ର | ଛଅ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ: IPA ସହିତ ପ୍ରି-ଲାମିନେସନ୍ ସଫା କରିବା; ପୂର୍ଣ୍ଣ ବାୟୁ ନିର୍ବାପନ ସହିତ ଶୂନ-ଟେନସନ୍ ଲାମିନେସନ୍; ଭଦ୍ର ଗରମ ସହିତ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ରିଫ୍ଲୋ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ (<2 ° C / s); 180 ° କୋଣରେ 50 ° C ତଳେ ଥଣ୍ଡା ପିଲିଂ; 24 ଘଣ୍ଟା ମଧ୍ୟରେ ତୁରନ୍ତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ କେବଳ ଏକକ ବ୍ୟବହାର; IPA ୱିପିଂ ଏବଂ 40-50x ମ୍ୟାଗ୍ନିଫାୟର୍ ଯାଞ୍ଚ ସହିତ ବିଫଳତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ | ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ PCB ପାଇଁ, ଦ୍ୱିତୀୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପୂର୍ବରୁ ନୂତନ ଟେପ୍ ସହିତ ବଦଳାନ୍ତୁ |