उच्च तापमान के उम्र बढ़ने के बाद टेफ्लॉन उच्च तापमान टेप के चिपकने वाला परत के एकजुट ताकत में बदलाव के पैटर्न।

I.PatternoofChangeinAdhesiveLayerCohesionUnderHigh-TemperatureAging के तहत आवे के बा

पोस्ट-क्यूरिगरिसिंगस्टेज: उच्च तापमान के एक्सपोजर के शुरुआती स्टेज में (जइसे कि, 200-260 डिग्री सेल्सियस), अवशिष्ट प्रतिक्रियाशील समूह क्रॉस-लिंक पर जारी रहेला, जवना से एकजुटता में महत्वपूर्ण बढ़ोतरी होला।चिपकने वाली परत कड़ा हो जाले, आ चिपकावे वाला के निचोड़-आउट (ओवरफ्लो) के प्रतिरोध बढ़ जाला।

स्थिरसंतुलनचरण: क्रॉस-लिंकिंग के दृष्टिकोण पूरा होखे के तरीका, आ एकजुटता अवधि भर स्थिर रहेला।एह चरण में, टेप इष्टतम प्रदर्शन के प्रदर्शन करेला आ डिजाइन तापमान के अनुसार लगातार संचालन के साथ हो सकेला।

गिरावट आ गिरावट के स्टेज: कम समय भा तापमान में, मुख्य श्रृंखला क्षरण से गुजरेले, जवना के कारण एकजुटता लगातार घटत रहेला।चिपकने वाली परत नरम हो जाले आ चिपचिपा हो जाले, जवना से एकजुटता के विफलता आ निचोड़ के बाहर बहुत संवेदनशील हो जाला।

II.कोहेसिव फेल होखे के जड़ कारण आ चिपकावे वाला निचोड़-बाहर

एकजुटता के विफलता के जड़ कारण: जब सिर के एकजुटता ताकत इंटरफेशियल आसंजन ताकत से कम होखे, आंतरिक आँचर होला, चिपकने वाला अवशेष छोड़ देला।ई अपर्याप्त समन्वय या उच्च तापमान के गिरावट से पैदा होला।

निचोड़-बाहर के जड़ कारण: ऊँच तापमान, मॉड्यूलस कम हो जाला, आ चिपकने वाली परत के ठंडा प्रवाह से गुजरे ला, तापीय तनाव से किनारे से बाहर निकालल जाला।अंतर्निहित कारण के कारण अत्यधिक आणविक श्रृंखला के गतिशीलता के कारण पर्याप्त क्रॉस-लिंकिंग घनत्व ना होला।

दुनो के बीच के संबंध: लंबा समय तक गिरावट दुनो मुद्दा के एक संगे अवुरी बढ़ा देवेला;अपर्याप्त क्रॉस-लिंकिंग सीधा-सीधा शुरुआती दौर में निचोड़-निचोड़ के ओर ले जाला।

III.चिपकने वाला सूत्रीकरणऔर प्रक्रिया के माध्यम से रोकथाम

फॉर्मूलेशनडिजाइन: उच्च-फिनाइलसिलिकोन के इस्तेमाल करीं, सटीक क्रॉस-लिंकिंगकंट्रोल के साथ एडिशन-क्यूरिंग सिस्टम के इस्तेमाल करीं, संतुलन MQresinratios, addreinforcingfillers, आ कम-आणविक-भार वाला प्लास्टिसाइजर के समाप्त करीं।

कोटिंग आ क्यूरिग: कम आणविक भार वाला पदार्थ के हटावे खातिर आ पहिला एक्सपोजर के दौरान निचोड़-बाहर रोके खातिर क्यूरिग के बाद के इलाज के पूरा तरीका से लागू करीं।

चिपकने वाला परत के संरचना: चिपकने वाला मोटाई के पतला (≤25μm) रखे के चाहीं, आ 0.5-1मा चिपकने वाला-मुक्त सुरक्षा मार्जिन के किनारा पर दिहल जाला ताकि शारीरिक रूप से निचोड़ के रोकल जा सके।

IV.सबस्ट्रेट आ संचालन के शर्त के माध्यम से रोकथाम

सबस्ट्रेटएंकरिंग: पीटीएफईफिल्म के रिसेचिंग या प्लाज्मा उपचार के जरूरत होला, प्राइमर के साथ मिल के इंटरफेसिया आ एकजुट ताकत के मिलान, अत्यधिक एंकरिंग के रोके जवन एकजुट विफलता के ओर ले जा सकेला।

तापमाननियंत्रण: कड़ाई से पालन कइल गइल तापमान विनिर्देशन के इस्तेमाल करीं, धीरे-धीरे कदम दरवार गरम कइल लागू करीं, आ तापीय झटका से बची।

भंडारण आ संभाल: ठंडा प्रवाह के रोके खातिर निचला तापमान पर फ्लैट के स्टोर करीं, इस्तेमाल से पहिले टेप के कमरा के तापमान में वापस आवे के अनुमति दीं, आ सुनिश्चित करीं कि बॉन्डिंग सतह साफ आ पन्नी से मुक्त बा।

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