2026-07-23 ह्या दिसा
उच्च तापमानाच्या पीटीएफई टेपा खातीर ऑर्गेनोसिलिकॉन चिकटवपी पदार्थ लक्ष्य क्युरींग डिग्री मेरेन पावता हाची खात्री करपा खातीर लेप मशीन लायनीची गती आनी ओव्हन लांबाय कशी जुळोवप हाचो आस्पाव ह्या लेखांत केला. कोर जुळोवणी तत्व: एकूण राबितो वेळ t_total = प्रभावी ओव्हन लांबाय L ÷ लायनीची गती v उण्यांत उण्या गरजेच्या क्युअर वेळा परस उणी आसूंक फावना. 'तापमान — उण्यांत उणो बरे करपाचो वेळ' संबंद स्थापन करपी डीएससी वा चिकटवपी क्युअर चांचण्यां वरवीं बरे करपाचीं खाशेलपणां मेळोवचीं. समतुल्य संचयीक क्युअर मॉडेल: ओव्हनाचे झोनांत विभागून ti=Li/v आनी tcure(Ti) मेजप, ∑(ti/tcure(Ti)) ≥1 हाची खात्री करप. गणनेची पद्दत: लांबाय Li आनी तापमान Ti आशिल्ले तापमान क्षेत्र थारावप; रेशेची गती v सेट करप, दर एका झोनाचो राबितो वेळ आनी योगदान प्रमाण मेजप; वट्ट ≥1 (सुरक्षेची मार्जिन 1.1-1.2 शिफारस केल्या) मेरेन परत परत करप.
आनिकूय वाचात
2026-07-22 ह्या दिसा
ह्या लेखांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कपड्याचेर पीटीएफई लेप स्फटिकीपण नियंत्रीत करपाच्यो पद्दती आस्पावतात. थंड करपाच्या दराचें नियंत्रण चड प्रत्यक्ष आनी प्रभावी आसता: थंड हवेचे पडदे, थंड करपी रोलर वा उदकाच्यो टांकयो हांचेवरवीं नेटान थंड करप (शमन करप) — रेणू साखळी ऑर्डर केल्ले वेवस्थेपयलीं गोठून ल्हान अपूर्ण स्फटिक तयार जातात; लेप मोव, कठीण आसून तातूंत अनुकूल नॉन-स्टिक कार्यक्षमताय, कठीणताय/घसघशीत प्रतिकार मात्सो उणो जाता. १०-५० सॅ./तास वा भट्टेंतल्यान थंड करपाच्या उश्णताय संरक्षण विभागावरवीं मंद थंड करप (एनीलिंग) — रेणू साखळी पुरायपणान व्हड पुराय गोलाकार पदार्थांत मांडटात; लेपांत चड कठीणताय, उत्कृश्ट घसघशीत प्रतिकार, स्थिर परिमाण, उणी लवचीकता आनी वाडिल्ली भंगुरताय आसता.
आनिकूय वाचात
2026-07-22 ह्या दिसा
ह्या लेखांत गरम हवेच्या परिभ्रमणाच्या सिंटरिंग भट्ट्यांनी टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कपड्याचो वापर करपाचो आस्पाव जाता. कार्यक्षमताय: भट्टेचें तापमान ≤260°C (उण्या तापमानांत सुकवप, बाइंडर काडप, स्लरी क्युरींग) आसतना जाळीदार पट्ट्यांचेर वा ट्रेचेर नॉन-स्टिक कुशन म्हणून वापरपाक मेळटा — डिमोल्डिंग आनी पिकिंग कार्यक्षमताय सुदारता. मध्यम/उंच तापमानांत (३००-९५० सॅ.) खर बंदी — पीटीएफई विघटित जावन विखारी एचएफ आनी परफ्लुओरोआयसोब्युटिलीन सोडटा, उपकरणांक गंज करता आनी घातक विखारी पदार्थ निर्माण करता. सुरक्षेचें तत्व: भट्टेचें तापमान अस्पश्ट आसल्यार वा 260 सॅ. मुळावे गुणधर्म: सतत सेवा -७० सॅ.ते २६० सॅ., अल्पकाळांत ३०० सॅ.; अत्यंत नॉन-स्टिक आनी रसायनीक जडताय; उत्कृश्ट विद्युत् इन्सुलेशन; उणें घर्शण (~ 0.04); फायबरग्लास बेसाक लागून ताणपाची तांक चड मेळटा.
आनिकूय वाचात
2026-07-22 ह्या दिसा
ह्या लेखांत सिलिकॉन चिकट थरांच्या क्रॉसलिंक केल्ल्या संरचना एकसारकेपणाचेर अवरक्त किरणोत्सर्ग तापवणी आनी गरम हवेंतल्यान परिभ्रमण तापवणी क्युरींग पद्दतींमदल्या फरकांची तुळा केल्या. उश्णताय हस्तांतरण यंत्रणा: उश्ण-हवेचो आदार संवहन-वाहनाचेर आदारून आसता आनी तातूंत तापमानांत सौम्य वाड, भितरलो/भायलो तापमानांतलो फरक ल्हान आसता; आयआरांत मर्यादीत प्रवेश खोलाय आसून पृश्ठभागाचें खर शोशण (धा ते शेंकड्यांनी मायक्रोमीटर) जावन पृश्ठभागासावन भितरल्यामेरेन खर ढाल तयार जाता. क्रॉसलिंक एकसारकेपणाचेर परिणाम: गरम हवेंतल्यान एकसारक्या क्रॉसलिंक घनतेवांगडा भितरल्यान आनी भायल्यान समकालिक क्युरींग करप शक्य जाता; आयआराक लागून पृश्ठभागाचो थर नेटान दाट 'कातीचो पटल' तयार जाता आनी ताका लागून उश्णताय संवाहक आनी अंतर्गत साखळी गती आडखळ येता, जाका लागून पृश्ठभागासावन भितरल्या भागांत क्रॉसलिंक घनताय उणी जाता.
आनिकूय वाचात
2026-07-21 ह्या दिसा
ह्या लेखांत निलंबन बहुलकीकरण विरुद्ध प्रसारण बहुलकीकरणावरवीं तयार जावपी पीटीएफई पायसांतल्या फरकांचेर आस्पाव केला. स्पश्टीकरण: निलंबन बहुलकीकरणाक लागून पीटीएफई पायस थेट तयार जावंक शकना; खरे पीटीएफई पायस फकत प्रसारण बहुलकीकरणांतल्यान मेळटा. 'निलंबन-पद्दत पायस' हें प्रत्यक्षांत दळिल्लें निलंबन-बहुलकीकरण केल्ल्या राळ सूक्ष्मपावडरांचें उदकाचें निलंबन आसता. प्रसारण बहुलकीकरण (प्राथमिक पायस): गोलाकार कण (०.१-०.३μm, संकुचीत वितरण), परफ्लुओरीनयुक्त पृश्ठक्रियाकारकांनी स्थीर केल्ले, अत्यंत चड रेणूभार (>९४% स्फटिकीपण), खर तंतूमयताय, अखंड कठीण फिल्म तयार करपाखातीर ३८० सॅ.
आनिकूय वाचात
2026-07-18 ह्या दिसा
ह्या लेखांत टेफ्लॉन टेपाखातीर क्युरींग प्रक्रिया जनेलाकडेन पेरॉक्सायड क्रॉसलिंकिंग एजंटांचें (बीपीओ आनी डीसीपी) विघटन तापमान आनी अर्द आयुश्य कशें जुळोवप हाचो आस्पाव केला. मुळावो डेटा: बीपीओ — ~ १३१ सॅ.तापमानाचेर १-मिनिट अर्द आयुश्य, ~९२ सॅ.तापमानाचेर १ तास, ~७२ सॅ. डीसीपी — ~ १७१ सॅ.तापमानाचेर १-मिनिट, ~१३५ सॅ.तापमानाचेर १ तास, ~११५ सॅ. जुळोवपाचो तर्क: चिकटवपी पदार्थाक ९७-९९% क्रॉसलिंकिंग = ५-७ अर्द आयुश्य जाय; क्युरींग वेळ = लक्ष्य तापमानांत ५-७ × अर्द आयुश्य. उत्पादन लायनीच्या रावपाच्या वेळा वयल्यान तापमानाची फाटीं गणना करप वा चडांत चड परवानगी दिल्ल्या तापमानांतल्यान वेळ फाटीं मेजप.
आनिकूय वाचात
2026-07-17 ह्या दिसा
ह्या लेखांत पीटीएफई उच्च तापमानाच्या कापड संसेचन उत्पादन लायनी खातीर सादारण लायन गती श्रेणीचो आस्पाव केला. सादारण गती: २-१५ मी./मिनिट, स्थिर कार्यक्षेत्र ३-८ मी./मिनिट, पातळ कापड/उच्च गतीची रेखा १०-१५ मी./मिनिट मेरेन. संसेचनाच्या प्रवेशांतल्यान आडमेळीं: कापड तंतू बंडलाच्या भितरल्या भागांत पीटीएफई पायसांनी पुरायपणान संतृप्त आसूंक जाय — चड गतीचेर फावो तें संसेचन, राळ उपाशीपण आनी सुके तंतू निर्माण जातात; पायस चिकटपणा, घन पदार्थांची सांद्रताय, कापडाची विणपाची घनताय हीं सगळीं भितर सरपाचो दर उणो करतात, जाका लागून दाट/दाट कापडांखातीर मंद गती जाय पडटा. लेप पास: दाट दोशमुक्त लेप करपाखातीर जायते पास (2-6+) जाय पडटात; पयलो पास लंगर घालपाखातीर मंद आसता, उपरांतचे पास मध्यम प्रमाणांत वाडोवंक मेळटात.
आनिकूय वाचात
2026-07-17 ह्या दिसा
ह्या लेखांत सिलिकॉन चिकट थराच्या क्रॉसलिंक्ड संरचना एकसारकेपणाचेर अवरक्त किरणोत्सर्ग तापवणी आनी गरम हवेच्या परिभ्रमण तापवणी हांचेमदल्या फरकांची तुळा केल्या. उश्णताय हस्तांतरण यंत्रणा: उश्ण-हवेची संवहन-वाहक, सौम्य आनी प्रगतीशील आसून ताका लागून मध्यम तापमानाचो प्रवणताय निर्माण जाता; आयआर हें किरणोत्सर्ग-शोशण आसून ताचेवांगडा पृश्ठभागाचेर खर शोशण (मायक्रोमीटर ते मिलीमीटर) जावन पृश्ठभागासावन भितरल्या भागांत खडबडीत ग्रेडियेंट तयार जाता. क्रॉसलिंक घनताय वितरणाचेर परिणाम: गरम-हवेक लागून भितरले आनी भायल्या भागांक लागीं लागीं एकाच वेळार वल्कनीकरण तापमानांत प्रवेश मेळटा, जाका लागून दाटायेवांगडा एकसारकी क्रॉसलिंक घनताय मेळटा; आयआर हाका लागून पृश्ठभागाचेर थर क्षणांत बरे जावन दाट कात तयार जाता आनी ताका लागून उश्णताय हस्तांतरणाक आडमेळीं येतात, जाका लागून पृश्ठभागासावन भितरल्यान क्रॉसलिंक घनतेचो तीक्ष्ण ग्रेडियेंट उणो जाता.
आनिकूय वाचात
2026-07-17 ह्या दिसा
ह्या लेखांत उच्च सिलिका आशिल्ल्या कंवचेच्या तंतूच्या कापडाच्या सिलिका प्रमाण आनी उपेगाची परिस्थिती हांचो आस्पाव केला. सिलिका आशयाची विनिर्देश: कोर निर्देशक SiO2 ≥96% (मानक 96-98%, अम्ल लीचिंग आनी सिंटरिंग वरवीं प्रीमियम ग्रेड >99%, शुध्द क्वार्ट्ज तंतू लागीं पावप) आसता. उत्पादन: ई-कंवचेच्या कापडांत गरम आम्ल लीचिंग करून बिगर सिलिका घटक (बोरॉन ऑक्सायड, सोडियम ऑक्सायड) विरगळायतात, जाका लागून पोरस उच्च सिलिका स्कॅलेट तयार जाता, उपरांत घनीकरणाखातीर सिंटर करतात. मुळावे फायदे: ऑक्सिडीभवन करपी वातावरणांत ९०० सॅ.तापमानाचेर सतत सेवा, १२०० सॅ.परस अल्पकाळ, १७०० सॅ. एचएफ आनी गरम फॉस्फोरिक आम्ल सोडून चडशा अम्ल/क्षाराआड रसायनीक स्थिरताय; उण्या तापमानांत विद्दुत् स्थिरांक आनी स्थिर इन्सुलेशन.
आनिकूय वाचात
2026-07-16 ह्या दिसा
ह्या लेखांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाच्या सूक्ष्मसंरचनेच्या खाशेलपणांचें वर्णन केलां. सबस्ट्रेट स्कॅलेटन: पीटीएफई संसेचनाखातीर सुवात मेळोवपी चड पोरसताय आशिल्ल्या साद्या/ट्विल विणपांत कंवचेच्या तंतू विणपाचें पोत (तंतूच्या गुठल्यांभितर आनी वार्प-वेफ्ट नोड्सांचेर मायक्रोन प्रमाणांतले छिद्र). लेप आकारविज्ञान: पुराय संसेचन कॅप्सूलीकरण 'प्रबलीत काँक्रीट' संरचना तयार करपी जंय कंवचेचे तंतू मजबुती करपी फेज आसतात, पीटीएफई हो सतत मॅट्रिक्स; सिंटरिंग करतना तयार जाल्ल्या बारीक तंतूपसून परस्पर जोडिल्ल्या गांठांची (कणांची) पृश्ठभागाची गांठदार सूक्ष्मरचणूक; रसायनीक जडताय, नॉन-स्टिक गुणधर्म आनी विद्युत् इन्सुलेशन हांचेखातीर मुखेल आडखळ म्हणून शुध्द पीटीएफईचो सतत दाट कातीचो थर (कितलेशेच ते धा मायक्रोन जाड).
आनिकूय वाचात