I.MolecularNetworkTopologyOptimizationoftheSiliconeAdhesiveLayer–बल्कक्रीपप्रतिरोध मे सुधार
1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपातऔर 'कठोर-कोर ' संरचना
निर्माता एमक्यूसिलिकोनरेसिनेकोरटैकफायरऔरइंफोर्सिंगएजेंट के रूप में अपनाते हैं,एमक्यू/गुमरेशियो1.2:1–2:1(परम्परागतग्रेडसे महत्वपूर्ण रूप से अधिक) को बढ़ाते हैं कठोर'कठोर-चरण'सूक्ष्मडोमेनसिरहेसिवलेयरस्यमध्ये भवति,जो सिलोक्सेनशृङ्खलाखण्डस्य गतिं बाध्यं करोति तथा भंडारणमॉड्यूलस्य पर्याप्तरूपेण सुधारं करोति तथा च उन्नततापमानस्य प्रतिरोधं करोति।
2.ताप-प्रतिरोधीकठोरसमूहोंऔरउच्च-बंध-ऊर्जाक्रॉसलिंकिंगसाइट्स का समावेश
फिनाइल,डाइफिनाइल,अथवा कार्बोरेनसमूहपोलीडाइमिथाइलसिलोक्सेनमेरुदण्डे (उदाहरणार्थं, 20-30मोल% फिनाइलसामग्री)प्रवेशिताः भवन्ति, येन तापशृङ्खलागतिः बाधते तथा च काचसंक्रमणतापमानं तथा च rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystem preferentiallyemploysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed),निर्माण–C–C–या–Si–C–crosslinkingbridgewithsuperiorthermalstability.
हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के सक्रियहाइड्रोजनसामग्रीऔर श्रृंखलालम्बाई को सटीक रूप से समायोजित करके, अपेक्षाकृत अल्पभूमिएकरूपMc (लगभग 5,000–15,000g/mol) प्राप्त किया गया, इसके नेट सुनिश्चित करते हुए workmaintainshighresilienceevenathightmperatures.विस्तारित-पश्चात-क्यूरिगया उच्च-तापमानंउपभोक्तृअवशिष्टप्रतिक्रियाशीलसमूहं प्रति प्रयुक्तासारेजंजालदोषों के कारण तनाव-विश्राम को उत्पन्न करें।
II.ढालमॉड्यूलबहुस्तरचिपकने वाला संरचना–संतुलनटैकऔर रेंगनाप्रतिरोध
1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): epoxyoracryloyloxygroups युक्तasilanecouplingagent,MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक,PTFEसबस्ट्रेट के साथ रासायनिक बंधन और ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दोनों प्रदान करने के लिए उपयोग करता है।
2.High-moduluscohesivelayer (मुख्य शरीर, लगभग 30-50μm): Useshigh-MQ-अनुपात, उच्च-phenyl-सामग्री, उच्च-क्रॉसलिंक-घनत्वsiliconneadhesivetofurnisarobustshear-प्रतिरोधीकंकाल.
3.Viscoelasticfunctionallayer(incontactwiththeadherend,3-8μm): रोजगार-MQ-अनुपातओरहाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकोन-तेल-संशोधितसॉफ्टसिलिकॉन-संशोधितसतहमाड्यूलवेलोवरसतहमॉड्यूलतेजीवेगीनेऔरसानुकूलता को सुनिश्चित करता है।
III.भौतिकक्रॉसलिंकिंगऔरताप-प्रतिरोधीकंकाल निर्माण के लिये नैनोफिलर
1.नैनो-सिलिका के स्थानिकसुदृढीकरण एवं सतह परिवर्तन
Themanufacturerusesfumedsilica(specifics surfacearea200–380m²/g),सतह-उपचारित विनाइलट्राइएथोक्सीसिलेनेओरहेक्सामिथाइलडिसिलेज़ेन,10–25wt% के एटालोडिंग।तखननैनो-SiO2हाइड्रोजनबंधनसिलोक्सेनचेनसहितभौतिकशोषणं,सृजति reversiblephysicalcrosslinkingnetwork thattdissipatesenergyand prevents molecularchainslippageathightmperatures.उच्च-कतरनी-प्रसारणसुनिश्चितता है कि सिलिका 100nm से नीचे के आकार के साथ 'क्लस्टर 'अस्तित्व में, तनाव एकाग्रता से परहेज करते हुए।
2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials
Additionof1–5wt%few-layergrapheneororgano-modifiednano-montmorillonite, जो लेप के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से एक परत उन्मुखता व्यवस्था के माध्यम से, टेपेप के समानांतर 'mazeeffect'रूपता है लेन,कतरनीदिशायां आणविकशृङ्खलागतिसंप्रतिरोधं महत्त्वपूर्णतया वर्धते।ग्राफीलसबसेउत्कृष्टतापचालकता प्रदान करते हैं,चिपकने वाली परतोंमें गर्मस्थानों को कम करनेऔरतार्मलनरमीकरणविछाने।
IV.रासायनिक रूप से एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वाला अंतरफलकऔर प्रक्रिया नियंत्रण
1.रासायनिकबंधन के लिए सतहसक्रियताऔरद्विकार्यात्मकप्राइमर
पीटीएफईसतह को पहले सोडियम–नैफ्थालीन–THFविलयनया कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजनप्लाज्मा से उपचार ककया जाता है ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिलसमूह युक्त एक सक्रिय परत उत्पन्न किया जाता है।एप्राइमर घोल युक्त द्विकार्यात्मक अणु (जैसे, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटयुग्मक एजेंट + एपोक्सीसिलेन) युक्त होता है ated.Oneendoftheprimerreactwith–OH/–COOHonthePTFEsurface, whiletheotherend participates inhydrosilylation or condensationcrosslinkingwith thesiliconeadhesive, एक रासायनिक बंधजाल बनाता है जो अंतरफलक में प्रवेश करता है।इस दृष्टिकोण उच्च-तापमान धारणशक्ति (260°C पर) 3–5 गुना बढ़ा सकता है।
2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects
Arampedcuringprofileisemployed:पहले, विलायक 80-100 डिग्री सेल्सियस पर लेवल ऑफ आ चिपकने वाला परतों से संचालित होते हैं;फिर 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हो गया MQरेसिन का हाइड्रोसिलिलेशनऔर एकसपैकिंग;अंततः, पोस्ट -curingiscarriedoutat200–220°Cforseveralhours to eliminate internal stressandstabilizephysicalcrosslinkingpoints.धीमाशीतलनविभेदकतापसंकोचनकारणात्सूक्ष्मदरारं निवारयति।
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