I.MolecularNetworkTopologyOptimizationoftheSiliconeAdhesiveLayer–बल्कक्रीपप्रतिरोध मे सुधार
1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपातऔर 'कठोर-कोर ' संरचना
ThemanufacturedMQsiliconeresinas thecoretackifieranddreinforcingagent,concreasthe theMQ/gumratioto1.2:1–2:1(significantly higherthanpermpermentalgrades).ThishighMQratioformcontinuous कठोर'कठोर-चरण'सूक्ष्मडोमेनसिरहेसिवलेयरस्यमध्ये भवति,जे सिलोक्सेनशृङ्खलाखण्डस्य गतिं बाध्यं कुर्वन्ति तथा भंडारणमॉड्यूलस्य पर्याप्तरूपेण सुधारं कुर्वन्ति तथा च उन्नततापमानस्य प्रतिरोधं कुर्वन्ति।
2.ताप-प्रतिरोधीकठोरसमूहोंऔरउच्च-बंध-ऊर्जाक्रॉसलिंकिंगसाइट्स का समावेश
फिनाइल,डाइफिनाइल,अथवा कार्बोरेनसमूहपोलीडाइमिथाइलसिलोक्सेनमेरुदण्ड (उदाहरणार्थं, 20-30मोल% फिनाइलसामग्री)यां प्रविष्टाः भवन्ति येन तापशृङ्खलागतिः बाधते तथा च काचसंक्रमणतापमानं तथा च rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystem preferentiallyemploysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed),निर्माण–C–C–या–Si–C–crosslinkingbridgewithsuperiorthermalstability.
हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के सक्रियहाइड्रोजनसामग्रीऔर श्रृंखलादैर्ध्य को सटीक समायोजन करके, अपेक्षाकृत अल्पभूमिएकरूपMc (लगभग 5,000–15,000g/mol) प्राप्त किया गया, इसके जाल सुनिश्चित करते हुए workmaintainshighresilienceevenathightmperatures.विस्तारित-पश्चात-क्यूरिगया उच्च-तापमानंउपभोक्तृअवशिष्टप्रतिक्रियाशीलसमूहं प्रति प्रयुक्तासारेजालेदोषों के कारण तनाव-विश्राम को कमाई।
II.ढालमॉड्यूलबहुस्तरचिपकने वाला संरचना–संतुलनटैकऔर रेंगनाप्रतिरोध
1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): epoxyoracryloyloxygroups युक्तasilanecouplingagent,MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक,PTFEसबस्ट्रेट के साथ रासायनिक बंधन और ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दोनों प्रदान करने के लिए उपयोग करता है।
2.High-moduluscohesivelayer (मुख्य शरीर, लगभग 30-50μm): Useshigh-MQ-अनुपात, उच्च-phenyl-सामग्री, उच्च-क्रॉसलिंक-घनत्वsiliconneadhesivetofurnisarobustshear-प्रतिरोधीकंकाल.
3.Viscoelasticfunctionallayer (incontactwiththeadherend,3-8μm): रोजगार-MQ-अनुपातओरहाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकोन-तेल-संशोधितसॉफ्टसिलिकॉन-चिपकनेवाला सतहमाड्यूल के लिए कमे तेजी से गीलापन एवं सिर के अनुरूपता को सुनिश्चित करता है।
III.भौतिकक्रॉसलिंकिंगऔरताप-प्रतिरोधीकंकाल निर्माण के लिये नैनोफिलर
1.नैनो-सिलिका के स्थानिकसुदृढीकरण एवं सतहसंशोधन
Themanufacturerusesfumedsilica(specifics surface areaa200–380m²/g),सतह-उपचारित विनाइलट्राइएथोक्सीसिलेनयारहेक्सामिथाइलडिसिलेज़ेन,10–25wt% के एटालोडिंग।तखननैनो-SiO2हाइड्रोजनबंधनसिलोक्सेनशृङ्खलाभिः भौतिकशोषणं,सृजति reversiblephysicalcrosslinkingnetwork thattdissipatesenergyand prevents molecularchains slippageathightmperatures.उच्च-कतरनी-प्रसारणसुनिश्चितता है कि सिलिका 100nm से नीचे के आकार के साथ 'क्लस्टर 'अस्तित्व में, तनाव एकाग्रता से परहेज करते हुए।
2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials
Additionof1–5wt%few-layergrapheneororgano-modifiednano-montmorillonite, जो लेप के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से एक परत उन्मुख व्यवस्था के माध्यम से, टेपेप के समानांतर 'mazeeffect'रूपता है लेन,कतरनीदिशायां आणविकशृङ्खलागतिसंप्रतिरोधं महत्त्वपूर्णतयावृद्धि।
IV.रासायनिक रूप से एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वालाअंतरफलकऔरप्रक्रियानियन्त्रण
1.रासायनिकबंधन के लिए सतहसक्रियताऔरद्विकार्यात्मकप्राइमर
पीटीएफईसतह को पहले सोडियम-नफ्थालीन-THFविलयन या कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजनप्लाज्मा से उपचार किया जाता है ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिलसमूह युक्त एक सक्रिय परत उत्पन्न किया जाता है।द्विकार्यात्मक अणु (जैसे, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटयुग्मक एजेंट + एपोक्सीसिलेन) युक्त एप्राइमर समाधान तत्काल रूप से सह ated.Oneendoftheprimerreactwith–OH/–COOHonthePTFEsurface, whiletheotherend participates inhydrosilylation or condensationcrosslinkingwith thesiliconeadhesive, एक रासायनिक बंधजाल बनाता है जो अंतरफलक में प्रवेश करता है।इस दृष्टिकोण उच्च-तापमान धारणशक्ति (260°C पर) 3–5 गुना बढ़ा सकता है।
2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects
Arampedcuring profileisemployed:पहले, विलायक 80-100 डिग्री सेल्सियस पर लेवल ऑफ आ चिपकने वाला परतों से संचालित होते हैं;फिर 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हुए MQरेसिन का हाइड्रोसिलिलेशनऔर एकसपैकिंग;अंततः, पोस्ट -curingiscarriedoutat200–220°Cforseveralhours to eliminateinternal stressandstabilizephysicalcrosslinkingpoints.धीमाशीतलनविभेदकतापीयसंकोचनकारणात्सूक्ष्मदरारं निवारयति।
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