I. Molekulaarvõrgu topoloogia silikoonkleepuva kihi optimeerimine – Bulk-Creep Resistance'i parandamine
1. Kõrge MQ-vaigu/silikoonkummi suhe ja kõva tuumaga struktuur
Tootmises kasutatakse MQ-silikoone kleepuvas ja tugevdavas vahendis, suurendades MQ/gummi suhet 1,2:1–2:1 (tavalistest klassidest oluliselt kõrgem). See kõrge MQ suhe on pidev. jäigad'kõvafaasilised'mikrovoolujuhtmed, mis asuvad peaga liibuvas kihis, mis piirab siloksaanahela segmentide liikumist ja parandab oluliselt salvestusmoodulit ja kõrgendatud temperatuuride tõusukindlust.
2.Kuumuskindlate jäikade rühmade ja kõrge sidemega energiaga ristsiduvate saitide kaasamine
Fenüül-, difenüül- või karboraanirühmad sisestatakse polüdimetüülsiloksaani karkassi (nt 20–30 mol% fenüülisisaldust), et takistada termilise ahela liikumist ja tõsta nii klaasi üleminekutemperatuuri kui ka lagunemise temperatuur. Ristsidumissüsteemis kasutatakse eelistatavalt lisakõvastust hüdrosilüülimist (Pt-katalüüsitud), moodustades ülima termiliselt stabiilsed ristsiduvad sillad –C–C–või–Si–C.
3. Ristlinkide (Mc) ja võrgudefektide vahelise molekulmassi juhtimine
Aktiivse vesiniku sisalduse ja vesinikusisaldusega silikoonõli ahela pikkuse täpse reguleerimisega saadi suhteliselt väike ja ühtlane Mc (umbes 5000–15 000 g/mol), tagades selle võrgu töö säilitab kõrge vastupidavuse isegi madalatel temperatuuridel. Pikendatud järelkõvenemist või kõrge temperatuuriga lõõmutamist rakendatakse tarbijajääkreaktiivsete rühmade jaoks ja vähendab pinget võrgudefektidest põhjustatud lõdvestumist.
II.GradientModulusMitmekihiline liimistruktuur – tasakaalustav kleepumis- ja libisemiskindlus
1. Krunt-ankurduskiht (1–3 μm): kasutab MQ-vaiguga eelpolümeriseeritud epoksüoakrüloüüloksürühmi sisaldavat silaanisidestusainet, et tagada PTFE-substraadiga nii keemiline sidumine kui ka ristsidumine ülemise silikoonkihiga.
2. Kõrge mooduliga kohesiivne kiht (põhikorpus, umbes 30–50 μm): kasutage kõrget MQ-suhet, suure fenüülisisaldusega, suure ristsidemete tihedusega silikoonliimi, et varustada tugevat nihkekindlat karkassi.
3. Viskoelastne funktsionaalne kiht (kontaktis peaga, 3–8 μm): kasutab madala MQ-suhte või hüdroksü-otsaga silikoonõliga modifitseeritud pehmet silikoonliimi, mis tagab madalama pinnamooduli ning tagab kiire niisumise ja sobivuse peaga ja kõrgetel temperatuuridel.
III.Nanotäiteained füüsilise ristsidumise ja kuumakindla karkassi ehitamiseks
1. Nano-ränioksiidi kohapealne tugevdamine ja pinna muutmine
Tootja kasutab aurutatud ränidioksiidi (spetsiifiline pind 200–380 m²/g), pinda töödeldud vinüültrietoksüsilaani või heksametüüldisilasaaniga, laadides 10–25 massi%.Tenano-SiO₂moodustab vesiniksidemeid, siloksadsorptsiooniga füüsikalisi aineid. pöörduvfüüsiline ristsiduv võrk, mis hajutab energiat ja takistab molekulaarsete ahelate libisemist kõrgetel temperatuuridel. Kõrge nihkega dispersioon tagab, et ränidioksiidi eksisteerivad 'klastrid', mille aglomeraadid on alla 100 nm, vältides stressi kontsentratsiooni.
2.DirectionalCreep Resistance via2DNanomaterjalid
1–5 massiprotsendilise vähese kihi grafeeni või orgaaniliselt modifitseeritud nanomontmorilloniidi lisamine, mis on orienteeritud kihilisele paigutusele läbi nihkejõu tekitatud joondamise katmise ajal, moodustab 'labürindiefekti' paralleelselt teipiga sõidurada,oluliselt suurenev vastupanu molekulaarsele ahela liikumisele kuulmissuunas.Grafeen pakub samuti suurepärast soojusjuhtivust, vähendades kuumipunkte peakihis ja viivitades termilist pehmenemist.
IV. Keemiliselt integreeritud substraat – liimiliides ja protsessi juhtimine
PTFE-pinda töödeldakse esmalt naatrium-naftaleeni-THF-lahusega või madala rõhuga argooni/hapnikuplasmaga, et tekitada aktiveeritud kiht, mis sisaldab karboksü- ja hüdroksüülrühmi. Bifunktsionaalseid molekule (nt isotsüanatessilaan, titanaat-sidusaine) + impoksüsilaani sisaldav primerlahus Üks praimerist reageerib PTFE-pinnal –OH/–COOH-ga, samas kui teine ots osaleb silikoonliimiga hüdrosilüülimises või kondenseerumises, moodustades keemilise sidemevõrgu, mis läbistab liidese. See lähenemine võib suurendada kõrge temperatuuri hoidmisvõimsust 360°C võrra.
2.Defektide kõrvaldamiseks kiirendatud kõvenemine ja järelravi
Kasutatakse tugevdatud kõvendusprofiili: esmalt juhitakse lahustid välja ja peaniidekiht tasandatakse temperatuuril 80–100 °C; seejärel viiakse MQ vaigu hüdrosilüülimine ja tihe pakkimine lõpule temperatuuril 150–170 °C; lõpuks, post. -kõvenemine viiakse läbi temperatuuril 200–220°C mitme tunni jooksul, et kõrvaldada sisemine pinge ja stabiliseerida füüsikalised ristsidumise punktid. Aeglane jahutamine hoiab ära mikropragunemise tänu erinevale termilisele kokkutõmbumisele.
Kui soovite saada põhjalikud teadmised kogu tootevaliku kohta, sealhulgas kõrge temperatuuriga kangas, teflon kõrge temperatuuriga lint, kõrge temperatuuriga teflin, õmblusteta konveierilindid liimimiseks, ühepoolne PTFE kangas, kõrge temperatuuriga konveierilindid, kõrge temperatuurikindel klaaskiudkangas ja palju muud – koos üksikasjalike spetsifikatsioonide, rakenduste stsenaariumide ja kohandamislahendustega võtke meiega ühendust järgmiste kanalite kaudu:
Me järgime järjekindlalt professionaalset ja terviklikkusele tuginevat teenindusfilosoofiat ning oleme pühendunud teile ühekordsete lahenduste ja tähelepaneliku teeninduse pakkumisele!
