I. Molekulaarvõrgu topoloogia silikoonkleepuva kihi optimeerimine – Bulk-Creep Resistance'i parandamine
1. Kõrge MQ-vaigu/silikoonkummi suhe ja kõva tuumaga struktuur
Tootmine kasutab MQ-silikoone kleepuvas ja tugevdavas vahendis, suurendades MQ/gummi suhet 1,2:1–2:1 (tavalistest klassidest oluliselt kõrgem). See kõrge MQ suhe moodustab pideva jäigad'kõvafaasilised'mikrovoolujuhtmed peasisekihis, mis piiravad siloksaanahela segmentide liikumist ja parandavad oluliselt salvestusmoodulit ja kõrgendatud temperatuuride tõusukindlust.
2.Kuumuskindlate jäikade rühmade ja kõrge sidemega energiaga ristsiduvate saitide kaasamine
Fenüül-, difenüül- või karboraanirühmad sisestatakse polüdimetüülsiloksaani karkassi (nt 20–30 mol% fenüülisisaldust), et takistada termilise ahela liikumist ja tõsta nii klaasi üleminekutemperatuuri kui ka lagunemise temperatuur. Ristsidumissüsteemis kasutatakse eelistatavalt lisakõvastust hüdrosilüülimist (Pt-katalüüsitud), moodustades ülima termiliselt stabiilsed ristsiduvad sillad –C–C–või–Si–C.
3. Ristlinkide (Mc) ja võrgudefektide vahelise molekulmassi juhtimine
Aktiivse vesiniku sisalduse ja vesinikku sisaldava silikoonõli ahela pikkuse täpse reguleerimisega saadi suhteliselt väike ja ühtlane Mc (umbes 5000–15 000 g/mol), tagades selle võrgu töö säilitab kõrge vastupidavuse isegi madalatel temperatuuridel. Pikendatud järelkõvenemist või kõrge temperatuuriga lõõmutamist rakendatakse tarbijajääkreaktiivsetele rühmadele ja vähendab pinget võrgudefektidest põhjustatud lõdvestumist.
II.GradientModulusMitmekihiline liimistruktuur – tasakaalustav kleepumis- ja libisemiskindlus
1. Krunt-ankurduskiht (1–3 μm): kasutab MQ-vaiguga eelpolümeriseeritud epoksüoakrüloüüloksürühmi sisaldavat silaanisidestusainet, et tagada PTFE-substraadiga nii keemiline sidumine kui ka ristsidumine ülemise silikoonkihiga.
2. Kõrge mooduliga kohesiivne kiht (põhikorpus, umbes 30–50 μm): kasutage kõrget MQ-suhet, suure fenüülisisaldusega, suure ristsidemete tihedusega silikoonliimi, et varustada tugevat nihkekindlat luustikku.
3. Viskoelastne funktsionaalne kiht (kontaktis peaga, 3–8 μm): kasutab madala MQ-suhte või hüdroksü-otsaga silikoonõliga modifitseeritud pehmet silikoonliimi, mis tagab madalama pinnamooduli ning tagab kiire niisumise ja sobivuse peaga ja kõrgetel temperatuuridel.
III. Nanotäiteained füüsilise ristsidumise ja kuumakindla karkassi ehitamiseks
1. Nano-ränioksiidi kohapealne tugevdamine ja pinna muutmine
Tootja kasutab aurutatud ränidioksiidi (spetsiifiline pindala 200–380 m²/g), pinda töödeldud vinüültrietoksüsilaani või heksametüüldisilasaaniga, laadides 10–25 massi%.Tenano-SiO₂moodustab vesiniksidemeid, siloksadsorptsiooniga füüsikalisi aineid. pöörduvfüüsiline ristsiduv võrk, mis hajutab energiat ja takistab molekulaarsete ahelate libisemist kõrgetel temperatuuridel. Kõrge nihkega dispersioon tagab, et ränidioksiidi eksisteerib 'klastrid', mille aglomeraadid on alla 100 nm, vältides stressi kontsentratsiooni.
2.DirectionalCreep Resistance via2DNanomaterjalid
1–5 massiprotsendilise vähese kihi grafeeni või orgaaniliselt modifitseeritud nanomontmorilloniidi lisamine, mis on orienteeritud kihilisele paigutusele läbi nihkejõu tekitatud joondamise katmise ajal, moodustab 'labürindiefekti' paralleelselt teipiga sõidurada,oluliselt suurenev vastupanu molekulaarsele liikumisele kuulmissuunas.Grafeen pakub samuti suurepärast soojusjuhtivust, vähendades kuumipunkte peakihis ja viivitades termilise pehmenemisega.
IV. Keemiliselt integreeritud substraat – liimiliides ja protsessi juhtimine
PTFE-pinda töödeldakse esmalt naatrium-naftaleeni-THF-lahuse või madala rõhuga argooni/hapnikuplasmaga, et tekitada aktiveeritud kiht, mis sisaldab karboksüül- ja hüdroksüülrühmi. Bifunktsionaalseid molekule (nt isotsüanatessilaan, titanaat-sidusaine) + impoksüsilaan sisaldav primerlahus Üks praimerist reageerib –OH/–COOH-ga PTFE-pinnal, samal ajal kui teine ots osaleb silikoonliimiga hüdrosilüülimises või kondenseerumises, moodustades keemilise sidemevõrgu, mis läbistab liidese. See lähenemine võib suurendada kõrge temperatuuri hoidmisvõimsust 360°C võrra.
2.Defektide kõrvaldamiseks kiirendatud kõvenemine ja järelravi
Kasutatakse tugevdatud kõvendusprofiili: esmalt juhitakse lahustid välja ja peaniidekiht tasandatakse temperatuuril 80–100 °C; seejärel viiakse MQ vaigu hüdrosilüülimine ja tihe pakkimine lõpule temperatuuril 150–170 °C; lõpuks, post. -kõvenemine viiakse läbi temperatuuril 200–220°C mitu tundi, et kõrvaldada sisemine pinge ja stabiliseerida füüsilisi ristsidumise punkte. Aeglane jahutamine hoiab ära mikropragunemise erineva termilise kokkutõmbumise tõttu.
Kui soovite saada põhjalikud teadmised kogu tootevaliku kohta, sealhulgas kõrge temperatuuriga kangas, teflon kõrge temperatuuriga lint, kõrge temperatuuriga teflin, õmblusteta konveierilindid liimimismasinate jaoks, ühepoolne PTFE kangas, kõrge temperatuuriga konveierilindid, kõrge temperatuurikindel klaaskiudkangas ja palju muud – koos üksikasjalike spetsifikatsioonide, rakenduste stsenaariumide ja kohandamislahendustega võtke meiega ühendust järgmiste kanalite kaudu:
Toetame järjekindlalt professionaalset ja terviklikkusele tuginevat teenindusfilosoofiat ning oleme pühendunud teile ühekordsete lahenduste ja tähelepaneliku teeninduse pakkumisele!
