আই.আণৱিক নেটৱৰ্ক ট'প'লজি চিলিকন আঠাযুক্ত স্তৰৰ অনুকূলন–বাল্কক্ৰিপ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা উন্নত কৰা 1.HighMQResin/SiliconeRubberRatioand'হাৰ্ড-কোৰ'গাঁথনি 1.2:1–2:1 (গতানুগতিক গ্ৰেডতকৈ যথেষ্ট উচ্চ) বৃদ্ধি কৰে ৰিজিড'হাৰ্ড-ফেজ'মাইক্ৰ'ডমেইন হেডহেচিভলেয়াৰৰ ভিতৰত থাকে, যিয়ে চাইল'ক্সেন চেইনছেগমেণ্টৰ গতিবিধি বাধা দিয়ে আৰু ষ্ট'ৰেজ মডিউল যথেষ্ট উন্নত কৰে আৰু উচ্চ উষ্ণতাত প্ৰেছিষ্টেন্স ক্ৰী কৰে।
2.তাপ-প্ৰতিৰোধী কঠিন গোট আৰু উচ্চ-বণ্ড-শক্তি ক্ৰছলিংকিং ছাইটৰ অন্তৰ্ভুক্তি ফিনাইল, ডাইফেনাইল, বা কাৰ্ব'ৰেন গোটক পলিডাইমিথাইল চাইল'ক্সেন মেৰুদণ্ডত (যেনে, ২০–৩০ মল% ফেনাইল বিষয়বস্তু) প্ৰৱেশ কৰা হয় যাতে তাপীয় শৃংখলৰ গতিত বাধা দিয়ে আৰু কাঁচৰ ষ্ট্ৰেন্সেচনৰ উষ্ণতা আৰু দুয়োটাকে বৃদ্ধি কৰে ক্ৰছলিংকিং ব্যৱস্থাই অগ্ৰাধিকাৰভাৱে সংযোজন-কিউৰহাইড্ৰ'চিলাইলেচন (Pt-কেটালাইজড) ব্যৱহাৰ কৰে, উচ্চতম তাপস্থিৰতাৰ সৈতে–C–C–বা–Si–C–ক্ৰছলিংকিং দলং গঠন কৰে।
3.ক্ৰছলিংক(Mc) আৰু নেটৱৰ্কৰ দোষৰ মাজত আণৱিক ওজন নিয়ন্ত্ৰণ হাইড্ৰজেন যুক্ত চিলিকন'ইলৰ সক্ৰিয় হাইড্ৰ'জেনৰ পৰিমাণ আৰু শৃংখলৰ দৈৰ্ঘ্য সঠিকভাৱে সামঞ্জস্য কৰি, তুলনামূলকভাৱে সৰু ভূমি একেধৰণৰ Mc (প্ৰায় ৫,০০০–১৫,০০০ গ্ৰাম/মল) লাভ কৰা হয়, যাৰ ফলত নেটটো নিশ্চিত কৰা হয় 'এক্সটেণ্ডেড-পোষ্ট-কিউৰিং বা উচ্চ-উষ্ণতা'ক গ্ৰাহকৰ অৱশিষ্ট প্ৰতিক্ৰিয়াশীল গোটত প্ৰয়োগ কৰা হয় আৰু নেটৱৰ্কৰ দোষৰ দ্বাৰা সৃষ্টি হোৱা ষ্ট্ৰেছৰিলেক্সেচন হ্ৰাস কৰে।
II.গ্ৰেডিয়েন্টমডিউলাছ বহুস্তৰীয় আঠাযুক্তগাঁথনি–ভাৰসাম্য ৰক্ষা কৰা টেক আৰু ক্ৰিপপ্ৰতিৰোধ 'প্ৰাইমাৰ-এংকৰিংলেয়াৰ+হাই-মডুলাস্কোহেচিভলেয়াৰ+ভিস্কোইলাষ্টিকফাংচনলেয়াৰ'তিনি-স্তৰৰ ডিজাইন 1.প্ৰাইমাৰ-এংকৰিংলেয়াৰ(1–3μm): Epoxyoracryloyloxygroups,MQresin ৰ সৈতে প্ৰি-পলিমাৰাইজড,PTFEsubstrate আৰু উচ্চতৰsiliconleyerৰ সৈতে co-ক্ৰছলিংকিং দুয়োটা ৰাসায়নিকবণ্ডিং প্ৰদান কৰিবলৈ.
।
3.Viscoelasticfunctionaleyer(incontactwiththeadherend,3–8μm): কম-MQ-অনুপাতত হাইড্ৰক্সি-সমাপ্ত চিলিকন-তেল-পৰিৱৰ্তিত কোমলচিলিকন আঠাযুক্ত পৃষ্ঠৰ মডিউলৰ ওপৰত ব্যৱহাৰ কৰি দ্ৰুতভাৱে তিতা আৰু উচ্চ উষ্ণতাৰ সৈতে অনুকূলতা নিশ্চিত কৰে।
III.ভৌতিক ক্ৰছলিংকিং আৰু তাপ-প্ৰতিৰোধী কংকাল নিৰ্মাণৰ বাবে নেন'ফিলাৰ 1.নেনো-চিলিকাৰ স্থানত শক্তিবৰ্ধক আৰু পৃষ্ঠ পৰিৱৰ্তন 10–25 wt% ৰ লোডিং, ভিনাইল ট্ৰাইইথক্সিচাইলেন বা হেক্সামথাইলডিচিলেজেনৰ দ্বাৰা পৃষ্ঠ-শোধিত ৰিভাৰ্চিবল ভৌতিক ক্ৰছলিংকিং নেটৱৰ্ক যিয়ে শক্তিৰ অপচয় কৰে আৰু উচ্চ তাপমাত্ৰাত আণৱিক শৃংখল লিপপেজত বাধা দিয়ে।
2.2DNanomaterials মাধ্যমেৰেDirectionalCreepResistance 1–5 wt% কম স্তৰৰ গ্ৰাফিন বা জৈৱিক-পৰিৱৰ্তিত ন্যান'-মন্টমৰিল'নাইটৰ সংযোজন, যি আৱৰণৰ সময়ত শ্বিয়াৰ-প্ৰৰোচিত প্ৰান্তিককৰণৰ জৰিয়তে এটা স্তৰলৈ পৰিচালিত হয়, টেপেপৰ সমান্তৰালভাৱে 'মজ ইফেক্ট' গঠন কৰে লেন, শ্বিয়াৰ দিশত আণৱিক শৃংখলৰ গতিৰ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা যথেষ্ট বৃদ্ধি কৰে।
IV.ৰাসায়নিকভাৱে সংহত ছাবষ্ট্ৰেট–আঠাযুক্ত আন্তঃপৃষ্ঠ আৰু প্ৰক্ৰিয়া নিয়ন্ত্ৰণ 1.ৰাসায়নিক বন্ধনৰ বাবে পৃষ্ঠ সক্ৰিয়কৰণ আৰু দ্বিকাৰ্য্যকৰী প্ৰাইমাৰ পিটিএফইপৃষ্ঠক প্ৰথমে ছডিয়াম-নেফ্থালিন-টিএইচএফছলিউচন বা কম চাপৰ আৰ্গন/অক্সিজেন প্লাজমেটেৰে চিকিৎসা কৰি কাৰ্বক্সিলেণ্ডহাইড্ৰক্সিলগোট যুক্ত সক্ৰিয় স্তৰ সৃষ্টি কৰা হয় প্ৰাইমাৰৰ এটাই PTFEপৃষ্ঠত–OH/–COOHৰ সৈতে বিক্ৰিয়া কৰে, আনহাতে সিলিকন আঠাযুক্তৰ সৈতে ক্ৰছলিংকিং কৰি হাইড্ৰ'চিলাইলেচন বা ঘনীভূতকৰণত অংশগ্ৰহণ কৰে, আন্তঃপৃষ্ঠত প্ৰৱেশ কৰা ৰাসায়নিক বণ্ড নেটৱৰ্ক গঠন কৰে।
2.RampedCuring আৰুPost-TreatmenttoEliminateDefects 'আৰম্পেডকিউৰিং প্ৰফাইল' ব্যৱহাৰ কৰা হয়: প্ৰথমে, দ্রাৱকসমূহ ৮০–১০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত আঠাযুক্ত স্তৰৰ পৰা পৰিচালিত কৰা হয়; -কিউৰিংক আভ্যন্তৰীণ চাপ নিৰ্মূল আৰু শাৰীৰিক ক্ৰছলিংকিং পইণ্টসমূহ স্থিৰ কৰিবলৈ কেইবা ঘণ্টা ধৰি কৰা হয়।
ওপৰৰ তথ্যসমূহ প্ৰদান কৰা হয় জিয়াংছুআওকাইনিউমেটেৰিয়েলটেকন'লজিকো.,লিমিটেড।
টেফ্লন উচ্চ তাপমাত্ৰাৰ কাপোৰ, টেফ্লন উচ্চ তাপমাত্ৰাৰ টেপ, টেফ্লন উচ্চ তাপমাত্ৰাৰ জালবেল্ট, বণ্ডিং মেচিনৰ বাবে নিৰৱচ্ছিন্ন কনভেয়ৰবেল্ট, একক পক্ষীয় পিটিএফইফেব্ৰিক, উচ্চ তাপমাত্ৰা প্ৰতিৰোধী কনভেয়ৰবেল্ট, উচ্চ তাপমাত্ৰা প্ৰতিৰোধী ফাইবাৰগ্লাছফেব্ৰিক, আৰু অধিক–বিশদ নিৰ্দিষ্টকৰণ, প্ৰয়োগৰ পৰিস্থিতি, আৰু স্বনিৰ্বাচিত সমাধানৰ সৈতে, অনুগ্ৰহ কৰি নিম্নলিখিত চেনেলৰ জৰিয়তে যোগাযোগ কৰিবলৈ মুক্ত অনুভৱ কৰক:
হটলাইন:
মিষ্টাৰ.গুও:+৮৬ 18944819998
মিষ্টাৰ লিউ:+৮৬ 13705266308
আমি ধাৰাবাহিকভাৱে পেছাদাৰী আৰু অখণ্ডতা-চালিত সেৱা দৰ্শনক সমৰ্থন কৰোঁ, আৰু আপোনাক এটা বন্ধ সমাধান আৰু মনোযোগী সেৱা প্ৰদান কৰিবলৈ উৎসৰ্গিত!
