I.MolecularNetworkTopology OptimizationoftheSiliconeAdhesiveLayer–ປັບປຸງBulkCreepResistance 1.HighMQResin/SiliconeRubberRatioand'Hard-Core'ໂຄງສ້າງ ThemanufactureradoptsMQsiliconeresinasthecoretackifierandreinforceingagent,ເພີ່ມຂຶ້ນtheMQ/gumratioto1.2:1–2:1(ຢ່າງມີປະສິດທິພາບສູງກວ່າມາດຕະຖານທີ່ມີຄວາມສໍາຄັນ)ສູງMQratioforms ຕໍ່ເນື່ອງ rigid'hard-phase'microdomains withintheadhesivelayer, which constrainthemovement ofsiloxanechainsegmentsands provethestantiallyimprovethestoragemodulusandcreepresistanceatetemperatures.
2.IncorporationofHeat-ResistantRigidGroupsandHigh-Bond-EnergyCrosslinkingSites Phenyl,diphenyl,orcarboranegroupsareintroduction tothepolydimethylsiloxanebackbone (ຕົວຢ່າງ, ເນື້ອໃນ 20–30mol% phenyl) ຕໍ່ກັບhinderthermalchainmotion ແລະຍົກສູງທັງສອງອຸນຫະພູມການປ່ຽນແປງຂອງແກ້ວແລະ. rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystempreferentiallyemployysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed), forming–C–C–or–Si–C–crosslinkingbridges withsuperiorthermalstability.
3.ControlofMolecularWeightBetweenCrosslinks(Mc) andNetworkDefects ໂດຍທີ່ຊັດເຈນການປັບເນື້ອໃນຂອງທາດໄຮໂດຣເຈນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ ແລະ ຄວາມຍາວຂອງສາຍໂສ້ຂອງທາດໄຮໂດຣເຈນທີ່ບັນຈຸມີຊິລິໂຄນອອຍ, ມີຄວາມສົມດຸນໃນພື້ນທີ່ບໍ່ສົມດຸນMc (ປະມານ 5,000–15,000g/mol) ແມ່ນບັນລຸຜົນໄດ້, ຮັບປະກັນວ່າສານດັ່ງກ່າວ ການເຮັດວຽກຮັກສາຄວາມຢືດຢຸ່ນສູງເຖິງແມ່ນວ່າອຸນຫະພູມສູງ. Extendedpost-curingorhigh-temperatureannealingisappliedtoconsumeresidualreactivegroupsandreducestressrelaxationcaused bynetwork defects.
II.GradientModulusMultilayerAdhesiveStructure–BalancingTackandCreepResistance 'Primer-anchoringlayer+High-moduluscohesivelayer+Viscoelasticfunctionallayer'ການອອກແບບສາມຊັ້ນ 1.Primer-anchoringlayer(1–3μm): ໃຊ້sasilanecouplingagentທີ່ປະກອບດ້ວຍ epoxyoracryloyloxygroups,pre-polymerizedwithMQresin,toprovidebothchemicalbondingtothePTFEsubstrateandco-crosslinkingwiththeuppersiliconelayer.
2.High-moduluscohesivelayer( mainbody, approx.30–50μm): Useshigh-MQ-ratio, high-phenyl-content,high-crosslink-densitysiliconeadhesivetofurnisharobustshear-resistantskeleton.
3.Viscoelasticfunctionallayer(incontactwiththeadherend,3–8μm): Employslow-MQ-ratioorhydroxy-terminatedsilicone-oil-modifiedsoftsiliconeadhesivetolowersurfacemodulusandensurerapidwetting and conformability totheadherendatedatetemperatures.
III.Nanofillers ສໍາລັບການກໍ່ສ້າງທາງກາຍຍະພາບຂ້າມເຊື່ອມຕໍ່ແລະທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ 1.In-SituReinforcementandSurfaceModificationofNano-Silica Themanufacturerusesfumedsilica(specificsurfacearea200–380m²/g), ປິ່ນປົວຜິວໜ້າດ້ວຍvinyltriethoxysilaneorhexamethyldisilazane, ataloading of10–25wt%. reversiblephysicalcrosslinkingnetwork thatdissipatesenergy and preventsmolecular chainslippageathightemperatures.High-shenderspersionensures thatthesilicaexistsas'cluster' withagglomeratesizes below 100nm,voidingstress concentration.
2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials Additionof1–5wt%few-layergrapheneororgano-modifiednano-montmorillonite,whareorientedinalayeredarrangementthroughshear-inducedalignmentduringcoating,formsa'mazeeffect'paralleltothetapep ເລນ,ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ລະບົບຕ່ອງໂສ້ການເຄື່ອນທີ່ຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ການເຄື່ອນທີ່.Graphenealsooffers ທີ່ດີເລີດ ຄວາມສາມາດໃນການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ການຫຼຸດຜ່ອນຈຸດຮ້ອນໃນຫົວແລະເລື່ອນການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ.
IV.ChemicallyIntegratedSubstrate–AdhesiveInterface andProcessControl 1.SurfaceActivationandBifunctionalPrimerforChemicalBonding PTFEsurface ແມ່ນປະຕິບັດເປັນຄັ້ງທຳອິດດ້ວຍ asodium–naphthalene–THFsolutionorlow-pressureargon/oxygenplasmatogenerateanactivatedlayercontainingcarboxylandhydroxylgroups.Aprimersolutioncontainingbfunctionalmolecules(e.g,isocyanatesilane,titanatecoupling) ທາດປະສົມຂອງທາດໄອໂອດິນ. ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface, while theotherend participatesinhydrosilylationorcondensationcrosslinking withthesiliconeadhesive, formingachemicalbondnetwork that penetratestheinterface.This approachcanincreasepowerhigh-temperature5°-temperature20.
2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects Arampedcuringprofileisemployed: ທໍາອິດ, ການແກ້ໄຂສານສະກັດຈາກຊັ້ນກາງຂອງຊັ້ນສູງ 80-100 ° C; ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ການຫຸ້ມຫໍ່ hydrosilylation ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງMQresinarecompletedat 150-170 ° C; ສຸດທ້າຍ, ໄປສະນີ -curingiscarriedoutat200–220°C ເປັນເວລາຫຼາຍຊົ່ວໂມງ ກໍາຈັດຄວາມກົດດັນພາຍໃນ ແລະຮັກສາສະຖຽນລະພາບທາງກາຍຍະພາບຂ້າມຈຸດເຊື່ອມຕໍ່.Slowcooling ປ້ອງກັນ microcrackingduetodifferential ຄວາມຮ້ອນຫົດຕົວ.
ຂໍ້ມູນຂ້າງເທິງແມ່ນສະໜອງໃຫ້ໂດຍ JiangsuAokai NewMaterialTechnologyCo., Ltd.
ຖ້າເຈົ້າຢາກຮູ້ຄວາມຮູ້ດ້ານຄວາມເລິກຂອງສິນຄ້າຄົບວົງຈອນ, ລວມທັງຜ້າແພທີ່ອຸນຫະພູມສູງ Teflon, Teflon-temperaturetape, Teflon-temperaturemeshbelt, ສາຍຂັດ seamless ສໍາລັບເຄື່ອງຈັກສໍາລັບການເຊື່ອມໂລຫະ, ຂ້າງດຽວ PTFEfabric, ສາຍແອວລໍາລຽງທີ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ຜ້າເສັ້ນໃຍແກ້ວທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະອື່ນໆອີກ – ພ້ອມດ້ວຍລາຍລະອຽດລາຍລະອຽດ, ສະຖານະການນຳໃຊ້, ແລະການແກ້ໄຂການປັບແຕ່ງ, ກະລຸນາຮັບຊາບໂດຍບໍ່ເສຍຄ່າເພື່ອຕິດຕໍ່ຜ່ານຊ່ອງທາງຕໍ່ໄປນີ້:
ສາຍດ່ວນ:
Mr.Guo:+86 18944819998
Mr.Liu:+86 13705266308
Weconsistentlyupholdaprofessionalandintegrity-drivenservicephilosophy,andrededicated to provide you withone-stopsolutionsandttentiveservice!
