हाई-होल्ड टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला टेप कें रेंगना प्रतिरोध आ दीर्घकालिक होल्डिंग स्थिरता मे सुधार कोना कैल जा सकय छै?

I.MolecularNetworkTopologyसिलिकॉनचिपकने वाला परत के अनुकूलन–बल्कक्रीपप्रतिरोध में सुधार |

1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपात और 'हार्ड-कोर ' संरचना

ThemanufacturedMQsiliconeresinas thecoretackifieranddreinforcingagent,MQ/gumratioto1.2:1–2:1(परंपरागतग्रेड स काफी उच्च) बढ़ाबैत अछि।ThishighMQratioformcontinuous कठोर'कठोर-चरण'माइक्रोडोमेन हेडहेसिवलेयर के भीतर, जो सिलोक्सेनचेनसेगमेंट के गति को बाध्य करते हैं और भंडारणमाड्यूल में काफी सुधार करते हैं और ऊंच तापमान पर प्रतिरोध पैदा करते हैं.

2.ताप-प्रतिरोधीकठोरसमूह आ उच्च-बंध-ऊर्जा क्रॉसलिंकिंग साइट के समावेश

फिनाइल,डाइफिनाइल, या कार्बोरेन समूहों को पॉलीडाइमिथाइलसिलोक्सेनबैंक (जैसे, 20-30मोल% फिनाइल सामग्री) में पेश ककए जाते हैं ताकि थर्मलचेन गति को बाधित होते हैं और ग्लास स्ट्रेंसिशन तापमान और द दोनों को बढ़ाते हैं | rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystem preferentiallyemploysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed),बना–C–C–या–Si–C–उच्चतापस्थिरता के साथ क्रॉसलिंकिंगपुल बनाना |

3.Crosslinks(Mc)औरनेटवर्कदोषों के बीच आणविक वजन के नियंत्रण |

सक्रियहाइड्रोजन सामग्री आरू हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के श्रृंखला लंबाई क॑ सटीक रूप स॑ समायोजित करी क॑, अपेक्षाकृत छोटऽ भूमिएकरूपMc (लगभग 5,000-15,000g/mol) हासिल करलऽ गेलऽ छै, जेकरा स॑ ई सुनिश्चित करलऽ गेलऽ छै कि नेट वर्कबाते तापमान मे उच्च प्रतिरोधक क्षमता बनाए रखते हैं.विस्तारित पोस्ट-क्यूरिगया उच्च-तापमानऔरउपभोक्ता अवशिष्टप्रतिक्रियाशील समूहों को लागू किया जाता हैऔर नेटवर्कदोषों के कारण तनाव-विश्राम को कम करता है |

II.ढालमाड्यूलबहुस्तरचिपकने वालासंरचना–संतुलनटैकऔर रेंगनाप्रतिरोध

'प्राइमर-एंकरिंगलेयर+उच्च-मॉड्यूलस्कोहेसिवलेयर+विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर'तीन-लेयरडिजाइन.'

1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): epoxyoracryloyloxygroups युक्तasilanecouplingagent, MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक, पीटीएफसबस्ट्रेट के साथ रासायनिक बंधन और ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दोनों प्रदान करने के लिए उपयोग करता है |

2.उच्च-moduluscohesivelayer (मुख्य शरीर, लगभग.30-50μm): Useshigh-MQ-अनुपात, उच्च-phenyl-सामग्री, उच्च-क्रॉसलिंक-घनत्वsiliconeadhesivetofurnisarbustshere-प्रतिरोधीकंकाल.

3.Viscoelasticfunctionallayer (incontactwiththeadherend,3-8μm): रोजगार-एमक्यू-अनुपातओरहाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकॉन-तेल-संशोधितसॉफ्टसिलिकॉन चिपकने वाला सतहमाड्यूल के लिएवरसतरे के लिए तेजी से गीलापनऔर अनुरूपता सुनिश्चित करता है।

III.भौतिक क्रॉसलिंकिंग एवं गर्मी प्रतिरोधी कंकाल के निर्माण के लिये नैनोफिलर |

1.नैनो-सिलिका के इन-सिटुसुदृढीकरणऔर सतहसंशोधन

Themanufacturerusesfumedsilica(specifics surfacearea200–380m²/g),सतह-vinyltriethoxysilaneorhexamethyldisilazane के साथ उपचारित, ataloadingof10-25wt%.Thenano-SiO2 हाइड्रोजनबंध और भौतिक सोखना बनाता हैसिलोक्सेनचेन के साथ, एक बनाता है रिवर्सिबलभौतिकक्रॉसलिंकिंगनेटवर्क जे ऊर्जा कें क्षय करय छै आ आणविक श्रृंखला कें स्लिपपेज कें कड़ा तापमान पर रोकय छै.उच्च-कतरनी फैलाव सुनिश्चित करय छै कि सिलिका 100nm सं नीचा आकार कें साथ'क्लस्टर'अस्तित्व मे छै, तनाव एकाग्रता सं बचय छै.

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials

1–5wt% कुछ-परत ग्राफीनया ऑर्गेनो-संशोधित नैनो-मोंटमोरिलोनाइट के जोड़, जो कोटिंग के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से एक परत उन्मुख व्यवस्था के माध्यम से, टेप के समानांतर 'mazeeffect ' बनता है | लेन,कतरनी दिशा में आणविक श्रृंखला गति के प्रतिरोध में काफी वृद्धि।ग्राफीनेलसे उत्कृष्ट तापचालकता प्रदान करते हैं, चिपकने वाली परतों में गर्म स्थानों को कम कर रहे हैं और तापीय नरमपन बिछाने |

IV.रासायनिक रूप स एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वालाइंटरफेसऔर प्रक्रिया नियंत्रण

1.रासायनिक बंधन के लिए सतह सक्रियणऔरद्विकार्य प्राइमर

पीटीएफईसतह कें पहिने सोडियम-नफ्थालीन-टीएचएफविल्यूशन या कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजन प्लाज्मा कें साथ उपचारित करल जाय छै ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिल समूह युक्त सक्रिय परत उत्पन्न करल जा सकय.एप्राइमरसोल्यूशन युक्त द्वि-कार्यात्मक अणु (जैसे, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटयुग्मक + एपोक्सीसिलेन) युक्त होता है ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface,जबकिओर अंत सिलिकॉन चिपकने वाला के साथ क्रॉसलिंकिंग में हाइड्रोसिलिलेशन या संघनन में भाग लेता है, एक रासायनिक बंधन नेटवर्क बनाता है जो इंटरफेस में प्रवेश करता है।इस एप्रोच उच्च तापमान होल्डिंग पावर (260°C पर) 3–5 गुना बढ़ा सकता है।

2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects के लेल

Arampedcuringprofileisemployed:पहले, विलायक 80-100 डिग्री सेल्सियस पर लेवल ऑफ आ चिपकने वाली परतों को चलाया जाता है;फिर 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हो गया MQरेसिन के हाइड्रोसिलिलेशन और एक पैकिंग;अंत में, पोस्ट -क्यूरिग 200–220°C पर कई घंटों तक आन्तरिक तनाव को समाप्त करने और भौतिक क्रॉसलिंकिंग बिन्दुओं को स्थिर करने के लिए कर दिया जाता है।धीमा शीतलन भिन्नतापीय संकोचन के कारण सूक्ष्म दरार को रोकता है |

उपरोक्त सूचना द्वारा प्रदान कयल गेल अछिJiangsuAokaiनई सामग्री प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड।

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