हाई-होल्ड टेफ्लॉन उच्च तापमान वाला टेप कें रेंगना प्रतिरोध आ दीर्घकालिक होल्डिंग स्थिरता मे सुधार कोना कैल जा सकय छै?

I.MolecularNetworkTopologyसिलिकॉनचिपकने वाला परत के अनुकूलन–बल्कक्रीपप्रतिरोध में सुधार |

1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपात और 'हार्ड-कोर ' संरचना

निर्माता एमक्यूसिलिकोनरेसिना कोरटैकफायरऔरइंफोर्सिंगएजेंट के रूप में अपनाते हैं,एमक्यू/गुमरेशियो1.2:1-2:1(पारंपरिकग्रेड से काफी अधिक) को बढ़ाते हैं कठोर'कठोर-चरण'माइक्रोडोमेन हेडहेसिवलेयर के भीतर होते हैं, जो सिलोक्सेनचेनसेगमेंट के गति को बाध्य करते हैंऔर भंडारणमाड्यूल में काफी सुधार करते हैंऔर ऊंचे तापमान पर दबाव बनाते हैं.

2.ताप-प्रतिरोधीकठोरसमूह आ उच्च-बंध-ऊर्जा क्रॉसलिंकिंग साइट के समावेश

फिनाइल,डाइफिनाइल, या कार्बोरेन समूहों को पॉलीडाइमिथाइलसिलोक्सेनबैंक (जैसे, 20-30मोल% फिनाइल सामग्री) में पेश ककए जाते हैं ताकि थर्मलचेन गति को बाधित होते हैं और ग्लासस्ट्रेंसीशन तापमान और द दोनों को बढ़ाते हैं | rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystem preferentiallyemploysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed),बना–C–C–या–Si–C–उच्चतापस्थिरता के साथ क्रॉसलिंकिंगपुल बनाना |

3.Crosslinks(Mc)औरनेटवर्कदोषों के बीच आणविक वजन के नियंत्रण |

सक्रियहाइड्रोजन सामग्री आरू हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के श्रृंखला लंबाई क॑ सटीक रूप स॑ समायोजित करी क॑, अपेक्षाकृत छोटऽ भूमिएकरूपMc (लगभग 5,000-15,000g/mol) हासिल करलऽ गेलऽ छै, ई सुनिश्चित करी क॑ कि नेट वर्कबाते तापमान मे उच्च प्रतिरोधक क्षमता बनाए रखते हैं.विस्तारित पोस्ट-क्यूरिगया उच्च-तापमानऔरउपभोक्ता अवशिष्ट प्रतिक्रियाशील समूहों को लागू किया जाता हैऔर नेटवर्कदोषों के कारण तनाव-विश्राम को कम करता है |

II.ढालमाड्यूलबहुस्तरचिपकने वालासंरचना–संतुलनटैकऔर रेंगनाप्रतिरोध

'प्राइमर-एंकरिंगलेयर+उच्च-मॉड्यूलस्कोहेसिवलेयर+विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर'तीन-लेयरडिजाइन.'

1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): epoxyoracryloyloxygroups युक्तasilanecouplingagent, MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक, उपयोग पीटीएफसबस्ट्रेट के साथ रासायनिक बंधन और ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दोनों प्रदान करने के लिए |

2.उच्च-moduluscohesivelayer (मुख्य शरीर, approx.30-50μm): Useshigh-MQ-अनुपात, उच्च-phenyl-सामग्री, उच्च-क्रॉसलिंक-घनत्वsiliconneadhesivetofurnisarbustshear-प्रतिरोधीकंकाल.

3.Viscoelasticfunctionallayer (incontactwiththeadherend,3-8μm): रोजगार-एमक्यू-अनुपातऔरहाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकॉन-तेल-संशोधितसॉफ्टसिलिकॉन चिपकने वाला सतहमाड्यूल के लिए कमे तेजी से गीलापन और सिर के अनुरूपता को सुनिश्चित करता है।

III.भौतिक क्रॉसलिंकिंग एवं गर्मी प्रतिरोधी कंकाल के निर्माण के लिये नैनोफिलर |

1.नैनो-सिलिका के इन-सिटुसुदृढीकरणऔर सतहसंशोधन

Themanufacturerusesfumedsilica(specifics surfacearea200–380m²/g),सतह-vinyltriethoxysilaneorhexamethyldisilazane के साथ उपचारित, ataloadingof10–25wt%.Thenano-SiO2 हाइड्रोजनबंध और भौतिक सोखना बनाता हैसिलोक्सेनचेन के साथ, एक बनाता है रिवर्सिबलभौतिकक्रॉसलिंकिंगनेटवर्क जे ऊर्जा कें क्षय करय छै आ आणविक श्रृंखला कें स्लिपपेज कें कड़ा तापमान पर रोकय छै.उच्च-कतरनी फैलाव सुनिश्चित करय छै की सिलिका मौजूद छै'क्लस्टर'जइ मे 100nm सं नीचा आकार कें एग्लोमेरेट छै, तनाव एकाग्रता सं बचय छै.

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials के माध्यम से

1–5wt% कुछ-परत ग्राफीन या जैविक-संशोधित नैनो-मोंटमोरिलोनाइट के जोड़, जो कोटिंग के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से एक परत उन्मुख व्यवस्था के माध्यम से, टेप के समानांतर 'mazeeffect ' बनता है | लेन,कतरनी दिशा में आणविक श्रृंखला गति के प्रतिरोध में काफी वृद्धि।ग्राफीअलसे उत्कृष्ट तापचालकता प्रदान करते हैं, चिपकने वाली परतों में गर्म स्थानों को कम करता है और तापीय नरमपन बिछाने |

IV.रासायनिक रूप स एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वालाइंटरफेसऔर प्रक्रिया नियंत्रण

1.रासायनिक बंधन के लिए सतह सक्रियणऔरद्विकार्य प्राइमर

पीटीएफईसतह कें पहिले सोडियम-नफ्थालीन-टीएचएफविल्यूशन या कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजन प्लाज्मा कें साथ उपचारित करल जाय छै ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिल समूह युक्त एक सक्रिय परत उत्पन्न करल जा सकय.एप्राइमरसोल्यूशन युक्त द्वि-कार्यात्मक अणु (जैसे, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटयुग्मक + एपोक्सीसिलेन) युक्त होता है ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface,जबकिओर अंत सिलिकॉन चिपकने वाला के साथ क्रॉसलिंकिंग में हाइड्रोसिलिलेशन या संघनन में भाग लेता है, एक रासायनिक बंधन नेटवर्क बनाता है जो इंटरफेस में प्रवेश करता है।ई दृष्टिकोण उच्च तापमान होल्डिंग पावर (260°C पर) 3–5 गुना बढ़ा सकता है।

2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects के लेल

Arampedcuringprofileisemployed:पहले, विलायक 80-100 डिग्री सेल्सियस पर लेवल ऑफ आ चिपकने वाली परतों को चलाया जाता है;फिर 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हो गया MQरेसिना के हाइड्रोसिलिलेशन और एसे पैकिंग;अंत में, पोस्ट -क्यूरिग 200–220°C पर कई घंटों के लिए आन्तरिक तनाव को समाप्त करने और भौतिक क्रॉसलिंकिंग बिंदुओं को स्थिर करने के लिए कर रहे हैं।धीमा शीतलन भिन्नतापीय संकोचन के कारण सूक्ष्म दरार को रोकता है |

उपरोक्त सूचना द्वारा प्रदान कयल गेल अछिJiangsuAokaiनई सामग्री प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड।

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