ልዑል ምሓዝ ዘለዎ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ቴፕ ምዝንባልን ንነዊሕ እዋን ዝጸንሕ ምርግጋእን ብኸመይ ክመሓየሽ ይኽእል?

I.MolecularNetworkTopologyOptimizationoftheSiliconeAdhesive Layer–ምምሕያሽ ጅምላዊ ምዝንባል ተጻዋርነት

1.HighMQResin/SiliconeRubberRatioand'ተሪር-ኮር'ኣቃውማ

እቲ ኣፍረይቲ MQሲሊኮን ከም ኮርታክፋየርን ኣገዳዲ ወኪልን ይወስድ፣ ንMQ/gumratioto1.2:1–2:1 (ካብ ልምዳዊ ደረጃታት ብኣግባቡ ዝለዓለ) ይውስኽ rigid'hard-phase'microdomainswithinheadhesive layer, እዚ ምንቅስቓስ ናይ ሳይሎክሳን ሰንሰለታዊ ክፍልታት ዝድርትን ነቲ ናይ መኽዘን ሞዱሉ ብዓቢኡ ዘመሓይሽንን ኣብ ልዑል ሙቐት ዝጻወርን እዩ።

2.ምውህሃድ ንሙቐት ዝጻወሩ ተሪርጉጅለታትን ልዑል ምትእስሳር ዘለዎም ጸዓትንመስቀላዊ ምትእስሳር ቦታታት

ፊኒል፣ዳይፌኒል፣ወይ ካርቦሬንጉጅለታት ናብ ፖሊዳይሜቲልሳይሎክሳንዓንዲ ሕቖ(ንኣብነት፣20–30ሞል%ትሕዝቶ ፊኒል) ብምትእትታው ንናይ ሙቐት ሰንሰለት ምንቅስቓስ ንምዕንቃፍን ንኽልቲኡ ናይ ብርጭቆ ዋዒን ሙቐትን ንምውሳኽን እዩ። rmaldecompositiontemperature.እቲ መስቀላዊ ስርዓት ብመምረጺ ተወሳኺ-ምፍዋስሃይድሮሲላይለሽን(Pt-catalyzed) ይጥቀም፣–C–C–ወይ–Si–C–መስቀላዊ ምትእስሳር ድልድል ምስዝለዓለ ወይ ሙቐታዊ ምርግጋእ ይፈጥር።

3.ControlofMolecularWeightBetweenCrosslinks(Mc)ንNetworkDefectsን ምቁጽጻር

ነቲ ንጡፍ ትሕዝቶ ሃይድሮጅንን ንውሓት ሰንሰለትን ናይቲ ሃይድሮጅን ዝሓዘ ሲሊኮኒዮይል ብትኽክል ብምትዕርራይ፡ ብተዛማዲ ንእሽቶን ሓደ ዓይነት Mc (ኣስታት 5,000–15,000g/mol) ይርከብ፡ እቲ መርበብ ምዃኑ ብምርግጋጽ ስራሕ ኣብ ጽዑቕ ሙቐት ልዑል ተጻዋርነት ይሕሉ።ዝተናውሐ ድሕሪ ምሕዋይ ወይ ልዑል ሙቐትንተረፍ ተረፍ ግብረመልሲ ጉጅለታት ዝውዕልንብጉድለት መርበብ ዝመጽእ ጸቕጢ ምዝንጋዕን የጉድል።

II.GradientModulusMultilayerAdhesiveStructure–ሚዛናዊ ምትእስሳርን ምዝንባልን ተጻዋርነት

'ፕራይመር-ኣንኮሪንግላየር+ልዑል-ሞዱሉስኮሄሲቭላየር+ቪስኮኤላስቲክፋንክሽናልለየር'ሰለስተ-ሌየርዲዛይን

1.Primer-anchoringlayer(1–3μm): Epoxyoracryloyloxygroups ዝሓዘ asilanecouplingagent ይጥቀም, ቅድሚ ብMQresin ፖሊመርይዝድ, ክልቲኦም ኬሚካላዊ ምትእስሳር ምስ PTFE ሳብስትሬትን ሓባራዊ መስቀላዊ ምትእስሳር ምስ ላዕለዋይ ሲሊኮን ንጣብ ንምሃብ.

.​

3.Viscoelasticfunctionallayer(incontactwiththeadherend,3–8μm): ትሑት-MQ-ሬሽዮሃይድሮክሲ-ተዛዚሙሲሊኮን-ዘይቲ-ዝተመሓየሸ ልስሉስ ሲሊኮን ተጣባቒ ናብ ልዕሊ ገጽ ሞዱሉ ይሰርሕንቅልጡፍ ርጥበትን ምስተጣበቕቲ ኣብ ርእሲ ልዑል ሙቐት ምትእስሳርን የረጋግጽ።

III.ናኖ መመላእታታት ንህንጸትፊዚካዊ መስቀላዊ ምትእስሳርን ሙቐት ዝጻወር ኣዕጽምትን

1.ኣብ ቦታ ምድልዳልን ምምሕያሽ ገፅንናኖ-ሲሊካ

እቶም ኣፍረይቲ ትኪሲሊካ (ፍሉይ ስፍሓት ገጽ 200–380m²/g)፣ ብገጽ ብቪኒልትራይቶክሲሲላን ወይ ሄክሳሜቲልዲሲላዛን ዝተሓከሙ፣ 10–25wt% ዝጽዕኑ እዮም።እቲ ናኖ-SiO2ሃይድሮጅን ምትእስሳርን ፊዚካዊ ምምጥጣንን ብሳይሎክሳን ሰንሰለት ይፈጥር፣ ይፈጥር ሪቨርሲብልፊዚካዊ መስቀላዊ ምትእስሳር ኔትወርክእዚ ጸዓት ዝብትንን ኣብ ጽዑቕ ሙቐት ንገጽ ሞለኪዩላዊ ሰንሰለታት ዝከላኸልን እዩ።ልዑል ሸርፋን ፋሕፋሕ እቲ ሲሊካ ከም'ክላስተር'ዝተዓቐኑ ትሕቲ 100nm ዝዓቐኑ ምዃኑ የረጋግጽ፣ ካብ ምትእኽኻብ ጸቕጢ የወግድ።

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials ዝበሃሉ ንጥረ ነገራት

ምውሳኽ1–5wt%ውሑዳት-ንጣርግራፍ ወይ ኦርጋኖ-ዝተመሓየሸናኖ-ሞንትሞሪሎናይት፣ ኣብ እዋን ምልባስ ብመገዲ ምቕጥቃጥ-ዝተደረኸ ኣሰላልፋ ናብ ንጣር ዝቐንዐ፣'mazeeffect'ማዕረ ቴፕ ይፈጥር መስመር፣ ኣብ ኣንፈት ምቑራጽ ንዝግበር ምንቅስቓስ ሞለኪዩላዊ ሰንሰለት ተጻዋርነት ብዓቢኡ ይውስኽ።ግራፊን ብሉጽ ተርማልኮንዳክቲቪቲ ይህብ፣ ኣብ መጣበቒ ንጣብ ውዑያት ነጥብታት ይቕንስን ሙቐታዊ ምልስላስ የንብርን።

IV.ብኬሚካል ዝተዋሃሃደትሕተ-ቅርጺ–መጣበቒኢንተርፌስን ምቁጽጻር መስርሕን።

1.SurfaceActivationandBifunctionalPrimerforኬሚካላዊ ምትእስሳር

እቲ PTFE ገጽ መጀመርያ ብሶድየም–ናፍታሊን–THF ፍታሕ ወይ ትሑት ጸቕጢ ዘለዎ ኣርጎን/ኦክስጅንፕላዝማት ተሓኪሙካርቦክሲላንድሃይድሮክሲልጉጅለታት ዝሓዘ ንጡፍ ንጣብ ይፈጥር።ክልተ ተግባራዊ ሞለኪዩላት(ንኣብነት፣ኣይሶሳይናተሲላን፣ታይታኔትኮፕሊንገንት+ኤፖክሲሲላን) ዝሓዘ ኣፕራይመር ፍታሕ ብቕጽበት ብቕጽበት ated.Onendoftheprimerreactwith–OH/–COOHonthePTFEsurface, whiletheotherend participate inhydrosilylation or condensationcrosslinkingwith thesiliconeadhesive,a ኬሚካላዊ ምትእስሳር ይፈጥርእዚ ናብ መተሓላለፊ ዝኣቱ።እዚ ኣቀራርባ ልዑል ሙቐት ምሓዝ ሓይሊ(ኣብ 260°C)ብ3–5 ግዜ ክውስኽ ይኽእል።

2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects ዝብል ስራሕ ዝሰርሕ እዩ።

Arampedcuringprofileisemployed:መጀመርታ, መፍትሒታት ይዝወርን እቲ መጣበቒ ንጣር ኣብ 80–100 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ደረጃ;ድሕሪኡ ሃይድሮሲላይለሽንን ከምኡውን ምዕሻግ ናይ MQresinኣብ 150–170 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ይዛዘም;ኣብ መወዳእታ,ድሕሪ - ምሕዋይ ኣብ 200–220 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ንሓያሎ ሰዓታት ንውሽጣዊ ጸቕጢ ንምውጋድን ኣካላዊ መስቀላዊ ነጥብታት ንምርግጋእን ይውሰድ።ቀስ ዝበለ ምዝሓል ብሰንኪ ዝተፈላለየ ሙቐታዊ ምሽርሻር ንደቀቕቲ ስንጥቕ ይከላኸል።

እዚ ኣብ ላዕሊ ዝተጠቕሰ ሓበሬታ ብ...ጂያንግሱኣኦካይኒውማተርያልቴክኖሎጂኮ.,ሊሚቴድ.

ምሉእ ዝርዝር ፍርያት ብዕምቆት ፍልጠት ክትረክብ እንተደሊኻ–ሓዊሱ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ጨርቂ፣ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ቴፕ፣ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ መትረብ ቀበቶ፣ ንመእሰሪ ማሽናት ዝኸውን ስርዓት ዘይብሉ መተሓላለፊ ቀበቶ፣ ሓደ ወገን ዘለዎPTFEጨርቂ፣ ልዑል ሙቐት ዝጻወር መተሓላለፊ ቀበቶታት፣ ልዑል ሙቐት ዝጻወር ፋይበርግላስ ጨርቂን ካልእን–ምስዝርዝር ስፔሲፊኬሽን፣ ኣፕሊኬሽን ስናርዮታትን customization solutions፣በጃኹምብእዞም ዝስዕቡ መስመራት ርክብኩም ነጻ ኮይኑ ይስምዓኩም:

መስመር ቴሌፎን፤

ሚስተር ጉኦ፡+86 18944819998

ሚስተር ሊዩ፡+86 13705266308

ብቐጻሊ ንሞያዊን ቅንዕናን ዝመርሖ ናይ ኣገልግሎት ፍልስፍና ንድግፍ፣ ከምኡ’ውን ንዓኻ ብናይ ቶን-ስቶፕ ፍታሕን ኣቓልቦኣዊ ኣገልግሎትን ንምሃብ ውፉያት ኢና!