ልዑል ምሓዝ ዘለዎ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ቴፕ ምዝንባልን ንነዊሕ እዋን ዝጸንሕ ምርግጋእን ብኸመይ ክመሓየሽ ይኽእል?

I.MolecularNetworkTopologyOptimizationoftheSiliconeAdhesive Layer–ምምሕያሽ ጅምላዊ ምዝንባል ተጻዋርነት

1.HighMQResin/SiliconeRubberRatioand'ተሪር-ኮር'ኣቃውማ

እቲ ምፍራይ MQሲሊኮን ከም ኮርታክፋየርን ኣገዳዲ ወኪልን ይወስድ፣ ንMQ/gumratioto1.2:1–2:1 (ካብ ልምዳዊ ደረጃታት ብኣግባቡ ዝለዓለ) ይውስኽ rigid'hard-phase'microdomainswithinheadhesive layer,እዚ ድማ ምንቅስቓስ ናይ ሳይሎክሳን ሰንሰለታዊ ክፍልታት ዝድርትን ነቲ ናይ መኽዘን ሞዱሉ ብዓቢኡ ዘመሓይሽንን ልዑል ሙቐት ዝጻወርን እዩ።

2.ምውህሃድ ንሙቐት ዝጻወሩ ተሪርጉጅለታትን ልዑል ምትእስሳር ዘለዎም ጸዓትንመስቀላዊ ምትእስሳር ዘለዎም ቦታታት

ፊኒል፣ዳይፌኒል፣ወይ ካርቦሬንጉጅለታት ናብ ፖሊዳይሜቲልሲሎክሳንዓንዲ ሕቖ(ንኣብነት፣20–30ሞል%ትሕዝቶ ፊኒል) ብምእታው ንናይ ሙቐት ሰንሰለት ምንቅስቓስ ንምዕንቃፍን ንኽልቲኡ ናይ ብርጭቆ ዋዒን ሙቐትን ንምውሳኽን እዩ። rmaldecompositiontemperature.እቲ መስቀላዊ ስርዓት ብመምረጺ ተወሳኺ-ምፍዋስሃይድሮሲላይለሽን(Pt-catalyzed) ይጥቀም፣–C–C–ወይ–Si–C–መስቀላዊ ምትእስሳር ድልድል ምስዝለዓለ ወይ ሙቐታዊ ምርግጋእ ይፈጥር።

3.ControlofMolecularWeightBetweenCrosslinks(Mc)ንNetworkDefectsን ምቁጽጻር

ነቲ ንጡፍ ትሕዝቶ ሃይድሮጅንን ንውሓት ሰንሰለትን ናይቲ ሃይድሮጅን ዝሓዘ ሲሊኮኒዮይል ብትኽክል ብምትዕርራይ፡ ብተዛማዲ ንእሽቶን ሓደ ዓይነት Mc (ኣስታት 5,000–15,000g/mol) ይርከብ፡ እቲ መርበብ ምዃኑ ብምርግጋጽ ስራሕ ኣብ ጽዑቕ ሙቐት ልዑል ተጻዋርነት ይሕሉ።ዝተናውሐ ድሕሪ ምሕዋይ ወይ ልዑል ሙቐትንተረፍ ተረፍ ምላሽ ጉጅለታት ዝውዕልን ብጉድለት መርበብ ዝመጽእ ጸቕጢ ምዝንጋዕ የጉድልን።

II.GradientModulusMultilayerAdhesiveStructure–ሚዛናዊ ምትእስሳርን ምዝንባልን ተጻዋርነት

'ፕራይመር-ኣንኮሪንግላየር+ልዑል-ሞዱሉስኮሂሲቭላየር+ቪስኮኤላስቲክፋንክሽናልለየር'ሰለስተ-ሌየርዲዛይን

1.Primer-anchoringlayer(1–3μm): Epoxyoracryloyloxygroups ዝሓዘ silanecouplingagent ይጥቀም, ቅድሚ ምስ MQresin ፖሊመርይዝድ, ንኽልቲኡ ኬሚካላዊ ምትእስሳር ምስ PTFE ሳብስትሬትን ሓባራዊ መስቀላዊ ምትእስሳር ምስ ላዕለዋይ ሲሊኮን ንጣብ ንምሃብ.

.​

3.Viscoelasticfunctionallayer(incontactwiththeadherend,3–8μm): ትሑት-MQ-ሬሽዮሃይድሮክሲ-ተዛዚሙሲሊኮን-ዘይቲ-ዝተመሓየሸ ልስሉስ ሲሊኮን ተጣባቒ ናብ ልዕሊ ገጽ ሞዱል ይሰርሕንቅልጡፍ ርስሓትን ምስተጣበቕቲ ኣብ ርእሲ ልዑል ሙቐት ምትእስሳርን የረጋግጽ።

III.ናኖ መመላእታታት ንህንጸትፊዚካዊ መስቀላዊ ምትእስሳርን ሙቐት ዝጻወር ኣዕጽምትን

1.ኣብ ቦታ ምድልዳልን ምምሕያሽ ገፅንናኖ-ሲሊካ

እቶም ኣፍረይቲ ትኪሲሊካ (ፍሉይ ስፍሓት ገጽ 200–380m²/g)፣ ብገጽ ብቪኒልትራይቶክሲሲላን ወይ ሄክሳሜቲልዲሲላዛን ዝተሓከሙ፣ 10–25wt% ዝጽዕኑ እዮም።እቲ ናኖ-SiO2ሃይድሮጅን ምትእስሳርን ፊዚካዊ ምምጥጣንን ብሳይሎክሳን ሰንሰለት ይፈጥር፣ ይፈጥር ሪቨርሲብልፊዚካዊ መስቀላዊ ምትእስሳር ኔትወርክእዚ ጸዓት ዝብትንን ኣብ ጽዑቕ ሙቐት ንገጽ ሞለኪዩላዊ ሰንሰለታት ዝከላኸልን እዩ።ልዑል ሸርፋን ፋሕፋሕ እቲ ሲሊካ ከም'ክላስተራት'ዝተዓቐኑ ትሕቲ 100 ና.ሜ ዝዓቐኑ ከምዘለዉ የረጋግጽ፣ ካብ ምትእኽኻብ ጸቕጢ የወግድ።

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials ዝበሃሉ ንጥረ ነገራት

ምውሳኽ1–5wt%ውሑድ-ንጣርግራፍ ወይ ኦርጋኖ-ዝተመሓየሸናኖ-ሞንትሞሪሎናይት፣ ኣብ እዋን ምልባስ ብመገዲ ምቕጥቃጥ-ዝተደረኸ ኣሰላልፋ ናብ ንጣብ ዝቐንዐ፣'mazeeffect'ማዕረ ቴፕ ይፈጥር መስመር፣ ኣብ ኣንፈት ምቑራጽ ንዝግበር ምንቅስቓስ ሞለኪዩላዊ ሰንሰለት ተጻዋርነት ብዓቢኡ ይውስኽ።ግራፊን ብሉጽ ተርማልኮንዳክቲቪቲ ይህብ፣ ኣብ መጣበቒ ንጣብ ውዑያት ነጥብታት ይቕንስን ሙቐታዊ ምልስላስ የንብርን።

IV.ብኬሚካል ዝተዋሃሃደትሕተ-ቅርጺ–መጣበቒኢንተርፌስን ምቁጽጻር መስርሕን።

1.SurfaceActivationandBifunctionalPrimerforኬሚካላዊ ምትእስሳር

እቲ PTFEገጽ መጀመርታ ብሶድየም–ናፍታሊን–THF ፍታሕ ወይ ትሑት ጸቕጢ ዘለዎ ኣርጎን/ኦክሲጅንፕላዝማት ተሓኪሙካርቦክሲላንድሃይድሮክሲልጉጅለታት ዝሓዘ ንጡፍ ንጣብ ይፈጥር።ክልተ ተግባራዊ ሞለኪዩላት(ንኣብነት,ኣይሶሳይናተሲላን፣ታይታኔትኮፕሊንገንት+ኤፖክሲሲላን) ዝሓዘ ኣፕራይመር ፍታሕ ብቕጽበት ብቕጽበት ated.Onendoftheprimerreactwith–OH/–COOHonthePTFEsurface, whiletheotherend participate inhydrosilylation or condensationcrosslinkingwith thesiliconneadhesive,a ኬሚካላዊ ምትእስሳር ይፈጥር፣እዚ ናብ መተሓላለፊ ዝኣቱ።እዚ ኣቀራርባ ልዑል ሙቐት ምሓዝ ሓይሊ(ኣብ 260°C)ብ3–5 ግዜ ክውስኽ ይኽእል።

2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects ዝብል ስራሕ ዝሰርሕ እዩ።

Arampedcuringprofileisemployed:መጀመርታ, መፍትሒታት ይዝወርን እቲ መጣበቒ ንጣር ኣብ 80–100 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ደረጃ;ድሕሪኡ ሃይድሮሲላይለሽንን ከምኡ እውን ምዕሻግ ናይ MQresinኣብ 150–170 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ይዛዘም;ኣብ መወዳእታ,ድሕሪ - ምሕዋይ ኣብ 200–220 ዲግሪ ሰንቲግሬድ ንሓያሎ ሰዓታት ንውሽጣዊ ጸቕጢ ንምውጋድን ኣካላዊ መስቀላዊ ነጥብታት ንምርግጋእን ይውሰድ።ዝሕታለ ምዝሓል ብሰንኪ ዝተፈላለየ ሙቐታዊ ምሽርሻር ንደቀቕቲ ስንጥቕ ይከላኸል።

እዚ ኣብ ላዕሊ ዝተጠቕሰ ሓበሬታ ብ...ጂያንግሱኣኦካይኒውማተርያልቴክኖሎጂኮ.,ሊሚቴድ.

ምሉእ ዝርዝር ፍርያት ብዕምቆት ፍልጠት ክትረክብ እንተደሊኻ–ሓዊሱ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ጨርቂ፣ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ ቴፕ፣ ቴፍሎን ልዑል ሙቐት ዘለዎ መትረብ ቀበቶ፣ ንመእሰሪ ማሽናት ዝኸውን ስርዓት ዘይብሉ መተሓላለፊ ቀበቶ፣ ሓደ ወገን ዘለዎPTFEጨርቂ፣ ልዑል ሙቐት ዝጻወር መተሓላለፊ ቀበቶታት፣ ልዑል ሙቐት ዝጻወር ፋይበርግላስ ጨርቂን ካልእን–ምስዝርዝር ስፔሲፊኬሽን፣ ኣፕሊኬሽናት ስናርዮታትን customization solutions፣በጃኹምብእዞም ዝስዕቡ መስመራት ርክብኩም ነጻ ኮይኑ ይስምዓኩም:

መስመር ቴሌፎን፤

ሚስተር ጉኦ፡+86 18944819998

ሚስተር ሊዩ፡+86 13705266308

ብቐጻሊ ንሞያዊን ቅንዕናን ዝምራሕ ናይ ኣገልግሎት ፍልስፍና ንድግፍ፣ ከምኡ’ውን ንዓኻ ብናይ ቶን-ስቶፕ ፍታሕን ኣቓልቦኣዊ ኣገልግሎትን ንምሃብ ውፉያት ኢና!