Ինչպե՞ս կարող են բարելավվել տեֆլոնի բարձր ջերմաստիճանի ժապավենի սողացող դիմադրությունը և երկարաժամկետ պահպանման կայունությունը:

I.Մոլեկուլային ցանցիՏոպոլոգիա Սիլիկոնային կպչուն շերտի օպտիմիզացում–Բալկսծռման դիմադրության բարելավում

1.HighMQResin/SiliconeRubber Ratioand'Hard-Core'Structure

Արտադրողն ընդունում է MQ սիլիկոնային ռեզերվը, որը հանդիսանում է միջուկային հարվածող և ամրացնող նյութ, մեծացնում է MQ/gumratioto1.2:1–2:1 (նշանակալիորեն բարձր, քան սովորական աստիճանները): Այս բարձր MQ հարաբերակցությունը շարունակական է կոշտ 'կոշտ փուլ' միկրոտիրույթներ գլխի շերտի մեջ, որը սահմանափակում է սիլոքսանային շղթայի հատվածների շարժումը և էականորեն բարելավում է պահեստավորման մոդուլը և բարձր ջերմաստիճանների պահպանումը:

2.Ջերմակայուն կոշտ խմբերի և բարձր կապակցված էներգիայի խաչաձև կապող կայքերի միավորում

Ֆենիլ, դիֆենիլ, կամ կարբորան խմբերը ներմուծվում են պոլիդիմեթիլսիլոքսան ողնաշարի մեջ (օրինակ՝ 20–30 մոլ% ֆենիլային պարունակություն) ջերմային շղթայի շարժումը խոչընդոտելու և ինչպես ապակու անցման ջերմաստիճանը և այնպես էլ բարձրացնում են ջերմային տարրալուծման ջերմաստիճանը. Խաչաձև կապի համակարգը նախընտրելիորեն օգտագործում է հավելում-հիդրոսիլիլացում (Pt-կատալիզացված), ձևավորելով C–C–կամ Si–C–գերջերմակայունությամբ խաչաձև կապող կամուրջներ։

3. Մոլեկուլային քաշի վերահսկում խաչաձև կապերի (Mc) և ցանցային թերությունների միջև

Ջրածին պարունակող սիլիկոնե յուղի ակտիվ ջրածնի պարունակությունը և շղթայի երկարությունը ճշգրտորեն կարգավորելով, ձեռք է բերվել համեմատաբար փոքր և միատարր MC (մոտ 5,000–15,000 գ/մոլ), ապահովելով, որ աշխատանքը պահպանում է բարձր դիմադրություն նույնիսկ բարձր ջերմաստիճանում: Ընդլայնված փակցման կամ բարձր ջերմաստիճանի վերականգնումը կիրառվում է սպառողների մնացորդային ռեակտիվ խմբերի և նվազեցնում է լարվածության թուլացումը, որն առաջացել է ցանցային արատներով:

II.GradientModulusMultilayerAdhesiveStructure–Balancing TackandCreepResistance

'Primer-anchoringlayer+High-moduluscohesivelayer+Viscoelasticfunctionalayer'Tree-layerdesign

1. Այբբենարան-խարսխող շերտ (1–3 մկմ). Օգտագործեք սասիլանային միացնող նյութ, որը պարունակում է էպօքսիորակրիլոիլօքսի խմբեր, որոնք նախապես պոլիմերացված են MQ խեժով, որպեսզի ապահովեն երկու քիմիական կապ PTFE ենթաշերտի հետ և համակցված վերին սիլիկոնային շերտի հետ:

2.Բարձր մոդուլային հարակից շերտ (հիմնական մարմին, մոտավորապես 30–50 մկմ). Useshigh-MQ հարաբերակցությամբ, բարձր ֆենիլային պարունակությամբ, բարձր խաչաձև կապի խտությամբ սիլիկոնային սոսինձով, որը պատրաստում է շառավուն կտրվածքի դիմացկուն կմախք:

3. Վիսկոառաձգական ֆունկցիոնալ շերտ (գլխի ծայրամասի հետ անհպում, 3–8 մկմ). Աշխատում է ցածր MQ հարաբերակցությամբ կամ հիդրօքսի վերջավոր սիլիկոնային յուղով, փոփոխված փափուկ սիլիկոնային սոսինձով, մինչև մակերևույթի մոդուլը, խտությունը, արագ թրջելը և բարձր ջերմաստիճանի համապատասխանությունը բարձրացված:

III. Նանոլրացուցիչներ Ֆիզիկական խաչաձև կապի և ջերմակայուն կմախքի կառուցման համար

1. Նանո-սիլիկայի տեղում ամրացում և մակերևույթի ձևափոխում

Արտադրողը օգտագործում է ֆուրմսիլիկա (հատուկ մակերես 200–380 մ⊃2;/գ), մակերևույթը մշակվում է վինիլտրիէթօքսիսիլանով կամ հեքսամեթիլդիսիլազանով, 10–25 քաշի պարունակությամբ։ շրջելի ֆիզիկական խաչաձև կապող ցանց, որը սպառում է էներգիան և կանխում է մոլեկուլային շղթաների սահումը և բարձր ջերմաստիճանը: Բարձր կտրվածքային ցրվածությունը ապահովում է, որ սիլիցիումը գոյություն ունի որպես 'կլաստերներ' գլոմերատներով 100 նմ-ից ցածր, խուսափում է սթրեսի համակենտրոնացումից:

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials

1–5 wt% քիչ-շերտ գրաֆենեօրգանո-ձևափոխված նանո-մոնտմորիլլոնիտի ավելացում, որը կողմնորոշվում է շերտի դասավորվածության միջոցով, որը պայմանավորված է ծածկույթի ընթացքում, 'լաբիրինթոսֆեկտ' զուգահեռ երեսապատումով գիծ, մոլեկուլային շղթայի զգալի աճող դիմադրությունը կտրվածքի ուղղությամբ: Գրաֆենը նաև առաջարկում է գերազանց ջերմահաղորդականություն՝ նվազեցնելով կպչուն շերտի թեժ կետերը և հետաձգելով ջերմային փափկեցումը:

IV.ChemicallyIntegrated Substrate–Adhesive InterfaceandProcessControl

1. Մակերեւութային ակտիվացում և երկֆունկցիոնալ պրայմեր քիմիական կապի համար

PTFE մակերեսը նախևառաջ մշակվում է նատրիումի-նաֆթալինով-THF լուծույթով կամ ցածր ճնշման արգոնով/թթվածինպլազմատով առաջացնում է ակտիվացված շերտ, որը պարունակում է կարբոքսիլենհիդրօքսիլ խմբեր: Նախնական լուծույթը, որը պարունակում է երկֆունկցիոնալ մոլեկուլներ (օրինակ՝ իզոցիանաթիլան, տիտանատեպսիմենտրոքսիլագենտ) Նախաներկի մեկ վերջը արձագանքում է –OH/–COOH PTFE մակերեսի հետ, մինչդեռ մյուս մասը մասնակցում է հիդրոսիլացման կամ կոնդենսացիայի՝ խաչաձև կապի մեջ մտնելով սիլի հետ Սոսինձ, որը ստեղծում է քիմիական կապի ցանց, որը ներթափանցում է միջերեսը:

2. Ramped CuringandPost-Treatment to Eliminate Defects

Օգտագործված է ամրացման պրոֆիլը. նախ՝ լուծիչները դուրս են թողնում և կպչուն շերտը հարթվում է 80–100°C-ով, այնուհետև MQ-ի հիդրոսիլացումը և խիտ փաթեթավորումը ավարտվում են 150–170°C-ում, վերջում՝ ետ 200–220°C-ի պնդացումն անցնում է մի քանի ժամվա ընթացքում, որպեսզի վերացնի ներքին սթրեսը և կայունացնի ֆիզիկական խաչմերուկային կետերը:

Վերոնշյալ տեղեկատվությունը տրամադրվում էJiangsuAokaiNewMaterialTechnologyCo., Ltd.

Եթե ցանկանում եք խորը գիտելիքներ ձեռք բերել ապրանքների ամբողջ շարքի մասին, ներառյալ տեֆլոն բարձր ջերմաստիճանի գործվածք, տեֆլոն բարձր ջերմաստիճանի ժապավեն, տեֆլոն բարձր ջերմաստիճանի ցանցի գոտի, անխափան հաղորդիչ գոտիներ միացնող մեքենաների համար, միակողմանի PTFE բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն փոխադրող գոտիներ, բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն ապակեպլաստե գործվածք, և ավելին, մանրամասն բնութագրերի, կիրառական սցենարների և հարմարեցման լուծումների հետ մեկտեղ, խնդրում ենք ազատ զգալ կապը հետևյալ ալիքների միջոցով.

Թեժ գիծ.

Պարոն Գուո՝+86 18944819998

Պարոն Լիու՝+86 13705266308

Մենք հետևողականորեն պահպանում ենք մասնագիտական ​​և ամբողջականության վրա հիմնված ծառայությունների փիլիսոփայությունը, և տրամադրված ենք ձեզ տրամադրելու լուծումներ և ուշադիր ծառայություն: