Ինչպե՞ս կարող են բարելավվել տեֆլոնի բարձր ջերմաստիճանի ժապավենի սողացող դիմադրությունը և երկարաժամկետ պահպանման կայունությունը:

I.Մոլեկուլային ցանցիՏոպոլոգիա Սիլիկոնային կպչուն շերտի օպտիմիզացում–Բուլկսծռման դիմադրության բարելավում

1.HighMQResin/SiliconeRubber Ratioand'Hard-Core'Structure

Արտադրողն ընդունում է MQ սիլիկոնային ռեզերվը որպես միջուկային հարվածող և ամրացնող նյութ, մեծացնում է MQ/gumratioto1.2:1–2:1 (նշանակալիորեն բարձր, քան սովորական աստիճանները): Այս բարձր MQ հարաբերակցությունը շարունակական է կոշտ 'կոշտ փուլ' միկրոտիրույթներ գլխի շերտի մեջ, որը սահմանափակում է սիլոքսանային շղթայի հատվածների շարժումը և էականորեն բարելավում է պահեստավորման մոդուլը և բարձր ջերմաստիճանների պահպանումը:

2.Ջերմակայուն կոշտ խմբերի և բարձր կապակցված էներգիայի խաչաձև կապող կայքերի միավորում

Ֆենիլ, դիֆենիլ, կամ կարբորան խմբերը ներմուծված են պոլիդիմեթիլսիլոքսան ողնաշարի մեջ (օրինակ՝ 20–30 մոլ% ֆենիլ պարունակություն) ջերմային շղթայի շարժումը խոչընդոտելու և ինչպես ապակու անցման ջերմաստիճանը և այնպես էլ բարձրացնում են ջերմային տարրալուծման ջերմաստիճանը. Խաչմերուկային համակարգը գերադասելիորեն օգտագործում է հավելում-հիդրոսիլիլացում (Pt-կատալիզացված), ձևավորելով C–C–կամ Si–C–գերջերմակայունությամբ խաչաձև կապող կամուրջներ։

3. Մոլեկուլային քաշի վերահսկում խաչաձև կապերի (Mc) և ցանցային թերությունների միջև

Ջրածին պարունակող սիլիկոնե յուղի ակտիվ ջրածնի պարունակությունը և շղթայի երկարությունը ճշգրտորեն կարգավորելով, ձեռք է բերվել համեմատաբար փոքր և միատարր MC (մոտ 5000–15000 գ/մոլ)՝ ապահովելով, որ աշխատանքը պահպանում է բարձր դիմադրություն նույնիսկ բարձր ջերմաստիճանում: Ընդլայնված փակցման կամ բարձր ջերմաստիճանի վերականգնումը կիրառվում է սպառողների մնացորդային ռեակտիվ խմբերի և նվազեցնում է լարվածության թուլացումը, որն առաջացել է ցանցային արատներով:

II.GradientModulusMultilayerAdhesiveStructure–Balancing TackandCreepResistance

'Primer-anchoringlayer+High-moduluscohesivelayer+Viscoelasticfunctionalayer'եռաշերտ դիզայն

1. Այբբենարան-խարսխող շերտ (1–3 մկմ). Օգտագործեք սասիլանային միացնող նյութ, որը պարունակում է էպօքսիորաքրիլոիլօքսի խմբեր, որոնք նախապես պոլիմերացված են MQ խեժով, որպեսզի ապահովեն երկու քիմիական կապ PTFE ենթաշերտի հետ և համախառն կապեր վերին սիլիկոնային շերտի հետ:

2. Բարձր մոդուլային հարակից շերտ (հիմնական մարմին, մոտավորապես 30–50 մկմ). Useshigh-MQ հարաբերակցությամբ, բարձր ֆենիլային պարունակությամբ, բարձր խաչաձև կապի խտությամբ սիլիկոնե սոսինձով, որը պատրաստված է շարակմախքի կտրվածքի դիմացկուն:

3. Վիսկոէլաստիկ ֆունկցիոնալ շերտ (անշփում գլխի ծայրի հետ, 3–8 մկմ). Աշխատում է ցածր MQ հարաբերակցությամբ կամ հիդրօքսի վերջավոր սիլիկոնային յուղով, ձևափոխված փափուկ սիլիկոնային սոսինձով, մինչև մակերևույթի մոդուլը, խտությունը, արագ թրջելը և համապատասխանությունը բարձր ջերմաստիճանին:

III. Նանոլրացուցիչներ Ֆիզիկական խաչաձև կապի և ջերմակայուն կմախքի կառուցման համար

1. Նանո-սիլիցիումի տեղում ամրացում և մակերևույթի ձևափոխում

Արտադրողը օգտագործում է ֆուրմսիլիկա (հատուկ մակերես 200–380 մ²/գ), մակերևույթը մշակվում է վինիլտրիէթօքսիսիլանով կամ հեքսամեթիլդիսիլազանով, 10–25 քաշի պարունակությամբ։ շրջելի ֆիզիկական խաչաձև կապող ցանց, որը սպառում է էներգիան և կանխում է մոլեկուլային շղթաների սայթաքումը և բարձր ջերմաստիճանը: Բարձր կտրվածքային ցրվածությունը երաշխավորում է, որ սիլիցիումը գոյություն ունի որպես 'կլաստեր' 100 նմ-ից ցածր չափերով, խուսափում է սթրեսի համակենտրոնացումից:

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials

1–5 wt% քիչ-շերտ գրաֆենեօրգանո-ձևափոխված նանո-մոնտմորիլոնիտի ավելացում, որը կողմնորոշվում է շերտի դասավորվածության վրա, որը պայմանավորված է ծածկույթի ընթացքում, ձևավորելով 'լաբիրինթոսֆեկտ' զուգահեռ երեսպատումով գիծ, մոլեկուլային շղթայի զգալի աճող դիմադրությունը կտրվածքի ուղղությամբ: Գրաֆենը նաև առաջարկում է գերազանց ջերմային հաղորդունակություն՝ նվազեցնելով կպչուն շերտում թեժ կետերը և հետաձգելով ջերմային փափկեցումը:

IV.ChemicallyIntegrated Substrate–Adhesive InterfaceandProcessControl

1. Մակերեւութային ակտիվացում և երկֆունկցիոնալ պրայմեր քիմիական կապի համար

PTFE մակերեսը նախևառաջ մշակվում է նատրիումի-նաֆթալինով-THF լուծույթով կամ ցածր ճնշման արգոնով/թթվածինպլազմատով առաջացնում է ակտիվացված շերտ, որը պարունակում է կարբոքսիլենհիդրօքսիլ խմբեր: Նախնական լուծույթը, որը պարունակում է երկֆունկցիոնալ մոլեկուլներ (օրինակ՝ իզոցիանատսիլան, տիտանատեպսիմենտրոքսիլագենտ) Նախաներկի մեկ վերջը արձագանքում է –OH/–COOH-ի PTFE մակերեսին, մինչդեռ մյուս մասը մասնակցում է հիդրոսիլացման կամ կոնդենսացիայի՝ խաչաձև կապի մեջ մտնելով սիլի հետ Սոսինձ, որը ձևավորում է քիմիական կապի ցանց, որը ներթափանցում է միջերեսը: Այս մոտեցումը կարող է մեծացնել բարձր ջերմաստիճանի հզորությունը (260°C-ում) 3–5 անգամ:

2. Ramped CuringandPost-Breatment to Eliminate Defects

Օգտագործված է ամրացման պրոֆիլը. նախ՝ լուծիչները դուրս են բերվել և կպչուն շերտը հարթվել է 80–100°C-ով, այնուհետև MQ-ի հիդրոսիլացումը և խիտ փաթեթավորումը ավարտվել են 150–170°C-ում, վերջում՝ ետ 200–220°C-ի պնդացումն անցնում է 200–220°-ով, որպեսզի վերացնի ներքին սթրեսը և կայունացնի ֆիզիկական խաչմերուկային կետերը:

Վերոնշյալ տեղեկատվությունը տրամադրվում էJiangsuAokaiNewMaterialTechnologyCo., Ltd.

Եթե ցանկանում եք խորը գիտելիքներ ձեռք բերել ապրանքների ամբողջ շարքի մասին՝ ներառյալ տեֆլոնի բարձր ջերմաստիճանի գործվածքը, տեֆլոնի բարձր ջերմաստիճանի ժապավենը, տեֆլոնի բարձր ջերմաստիճանի ցանցագոտին, անխափան հաղորդիչ գոտիները կապող մեքենաների համար, միակողմանի PTFE բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն փոխադրող գոտիներ, բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն ապակեպլաստե գործվածք, և ավելին, մանրամասն բնութագրերի, կիրառական սցենարների և հարմարեցման լուծումների հետ մեկտեղ, խնդրում ենք ազատ զգալ կապը հետևյալ ալիքների միջոցով.

Թեժ գիծ.

Պարոն Գուո՝+86 18944819998

Պարոն Լիու՝+86 13705266308

Մենք հետևողականորեն պահպանում ենք մասնագիտական ​​և ամբողջականության վրա հիմնված ծառայությունների փիլիսոփայությունը, և տրամադրված ենք ձեզ տրամադրելու լուծումներ և ուշադիր ծառայություն: