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当社はコア粘着付与剤と補強剤に MQ シリコーン樹脂を採用し、MQ/ガム比を 1.2:1 ~ 2:1 (従来のグレードより大幅に向上) に高めました。この高い MQ 比は継続的に形成されます。ヘッド接着層内の硬い「硬質相」ミクロドメインは、シロキサン鎖セグメントの動きを制限し、貯蔵弾性率と高温でのクリープ耐性を大幅に向上させます。
フェニル、ジフェニル、またはカルボラン基がポリジメチルシロキサン骨格に導入され(たとえば、フェニル含有量が 20 ~ 30 モル%)、熱連鎖運動が妨げられ、ガラス転移温度と転移温度の両方が上昇します。架橋システムは付加硬化ヒドロシリル化 (Pt 触媒) を優先的に採用し、優れた熱安定性を備えた –C–C– または –Si–C– 架橋架橋を形成します。
水素含有シリコーンオイルの活性水素量と鎖長を精密に調整することで、比較的小さく均一なMc(約5,000~15,000g/mol)を実現し、長時間のポストキュアまたは高温アニーリングを適用して残留反応基を消費し、ネットワーク欠陥によって引き起こされる応力緩和を軽減します。
1. プライマー固定層 (1 ~ 3 μm): MQ 樹脂で予備重合されたエポキシまたはアクリロイルオキシ基を含むシランカップリング剤を使用して、PTFE 基板への化学結合と上部シリコン層との共架橋の両方を提供します。
2.高弾性粘着層(本体、約30~50μm):高MQ比、高フェニル含有量、高架橋密度のシリコーン粘着剤を使用し、強固な耐せん断性骨格を実現。
3.粘弾性機能層(先端に接触、3~8μm):低MQ比またはヒドロキシ末端シリコーンオイル変性ソフトシリコーン接着剤を使用して表面弾性率を下げ、先端の高温への迅速な濡れと適合性を確保します。
ビニルトリエトキシシランまたはヘキサメチルジシラザンで表面処理したフュームドシリカ(比表面積200~380m²/g)を使用し、配合量10~25wt%で製造しています。テナノSiO₂はシロキサン鎖との水素結合と物理吸着を形成し、エネルギーを消散し、高温での分子鎖の滑りを防ぐ可逆的な物理架橋ネットワーク。高せん断分散により、シリカが 100 nm 以下の凝集塊の「クラスター」として存在し、応力集中を回避します。
1~5wt%の数層グラフェンまたは有機修飾ナノモンモリロナイトを添加すると、コーティング中の剪断誘起配向によって層状配列に配向し、テープと平行な「迷路効果」を形成しますグラフェンは優れた熱伝導性も備え、ヘッド接着層内のホットスポットを減らし、熱軟化を遅らせます。
PTFE 表面は最初にナトリウム - ナフタレン - THF 溶液または低圧アルゴン/酸素プラズマで処理され、カルボキシル基とヒドロキシル基を含む活性化層が生成されます。プライマーの一端が PTFE 表面の –OH/-COOH と反応し、他端がシリコーン接着剤とのヒドロシリル化または縮合架橋に参加し、界面を貫通する化学結合ネットワークを形成します。これにより、高温保持力 (260℃) が 3 ~ 5 倍向上します。
ランプ硬化プロファイルを採用: 最初に溶剤を飛ばし、接着層を 80 ~ 100 °C で平らにし、次に 150 ~ 170 °C でヒドロシリル化と MQ 樹脂の高密度充填を完了し、最後にポスト- 硬化は 200 ~ 220 °C で数時間行われ、内部応力を除去し、物理的架橋点を安定させます。徐冷により、熱収縮差による微小亀裂が防止されます。
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