उच्च होल्ड टेफ्लॉन उच्च तापमान टेप दी रेंगने दे प्रतिरोध ते लंबे समें दी होल्डिंग स्थिरता च सुधार कीता जाई सकदा ऐ?

I.आणविक नेटवर्कटोपोलॉजीसिलिकॉनचिपकने आह् ली परत दा अनुकूलन–बल्कक्रीपप्रतिरोध च सुधार करना

1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपात ते 'हार्ड-कोर ' संरचना

निर्माता एमक्यूसिलिकोनरेसिना कोरटैकफायर ते इन्फोर्सिंग एजेंट दे रूप च अपनांदे न, एमक्यू/गुमरेशियो1.2:1-2:1 (परंपरागत ग्रेड थमां मता उच्चा) गी बधांदे न कठोर'कठोर-चरण'माइक्रोडोमेन सिरें च हेसिव परत दे अंदर होंदे न, जेह् ड़े सिलोक्सेन श्रृंखला दे खंडें दी गतिविधि गी बाध्य करदे न ते भंडारणमाड्यूल च काफी सुधार करदे न ते उंचाई पर तापमान च प्रतिरोध पैदा करदे न।

2.गर्मी-प्रतिरोधी कठोर समूहें ते उच्च-बंड-ऊर्जाक्रॉसलिंकिंग साइटें दा समावेश

फिनाइल, डाइफिनाइल, या कार्बोरेन समूहें गी पॉलीडाइमिथाइलसिलोक्सेन बैकबोन (उदाहरण दे तौर पर, 20-30 मोल% फिनाइल सामग्री) च पेश कीता जंदा ऐ तां जे थर्मलचेन गति गी रोकने ते कांच दे तनाव दे तापमान ते दवैं गी बधाया जाई सकै rmaldecompositiontemperature.Thecrosslinkingsystem preferentiallyemploysaddition-curehydrosilylation(Pt-catalyzed),बना–सी–सी–या–सी–सी–क्रॉसलिंकिंगपुलसुपीरियरतार्मलस्थिरता कन्नै।

3.क्रॉसलिंक (मैक) ते नेटवर्कदोषें दे बीच आणविक वजन दा नियंत्रण

सक्रिय हाइड्रोजन सामग्री ते हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल दी श्रृंखला दी लंबाई गी सटीक रूप कन्नै समायोजित करियै, अपेक्षाकृत घट्ट भू-एकरूप Mc (लगभग 5,000-15,000g/mol) हासल कीता गेआ ऐ, जिस कन्नै एह् सुनिश्चित कीता गेआ ऐ जे नेट कम्म गी घट्ट तापमान च बी उच्च प्रतिरोधीता बनाई रक्खदा ऐ।उपभोक्ता अवशिष्ट प्रतिक्रियाशील समूहें गी लागू कीता जंदा ऐ ते नेटवर्क दोषें दे कारण तनाव-आराम गी घट्ट कीता जंदा ऐ।

II.ग्रेडिएंटमाड्यूलबहुस्तरचिपकने वाली संरचना–संतुलनटैकऔर रेंगनाप्रतिरोध

'प्राइमर-एंकरिंगलेयर+उच्च-मॉड्यूलस्कोहेसिवलेयर+विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर'तीन-लेयरडिजाइन

1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीसमूह, MQरेसिन कन्नै पूर्व बहुलक, पीटीएफईसबस्ट्रेट कन्नै रासायनिक बंधन ते ऊपरी सिलिकॉन परत कन्नै सह-क्रॉसलिंकिंग दोनों प्रदान करने आस्तै एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीसमूह युक्त सिलेनयुग्मन एजेंट दा उपयोग करदा ऐ।

2.उच्च-moduluscohesivelayer (मुख्य शरीर, लगभग.30-50μm): Useshigh-MQ-अनुपात, उच्च-फिनाइल-सामग्री, उच्च-क्रॉसलिंक-घनत्वsiliconneadhesivetofurnisarbusttshear-प्रतिरोधीकंकाल।

3.विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर (असंपर्क, 3-8μm): सतहमाड्यूल कम करने के लिए कम-एमक्यू-अनुपातओहाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकॉन-तेल-संशोधित नरम सिलिकॉन चिपकने वाला रोजगार, तेज़ी कन्नै गीलापन ते सिरें कन्नै अनुरूपता गी सुनिश्चित करदा ऐ।

III.भौतिकक्रॉसलिंकिंग ते गर्मी-प्रतिरोधी कंकाल बनाने लेई नैनोफिलर

1.नैनो-सिलिका दा इन-सिटुसुदृढीकरण ते सतह संशोधन

Themanufacturerusesfumedsilica(specifics surfacearea200–380m²/g), सतह-उपचारित विनाइलट्राइएथोक्सीसिलेनयारहेक्सामिथाइलडिसिलेज़ेन, ataloadingof10-25wt% रिवर्सिबल फिजिकलक्रॉसलिंकिंग नेटवर्क जेह् ड़ा ऊर्जा गी डिसाइप करदा ऐ ते आणविक श्रृंखलाएं गी स्लिप पेजें गी घट्ट तापमान पर रोकदा ऐ।उच्च-कतरनी फैलाव सुनिश्चित करदा ऐ जे सिलिका मौजूद ऐ 'क्लस्टर'जिस च 100nm थमां हेठ आकार दा ग्लोमेरेट होंदा ऐ, तनाव एकाग्रता थमां बचदा ऐ।

2.DirectionalCreepResistancevia2DNanomaterials ऐ

1–5wt% कुछ-परत ग्राफीनया ऑर्गेनो-संशोधित नैनो-मोंटमोरिलोनाइट दा जोड़ना, जो कोटिंग दे दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण दे माध्यम कन्नै इक परत उन्मुख ऐ लेन, कतरनी दिशा च आणविक श्रृंखला गति च काफी बधदा प्रतिरोध।ग्राफीनस उत्कृष्ट तापीय चालकता प्रदान करदे न, चिपकने आह् ली परत च गर्म स्थानें गी घट्ट करदे न ते तापीय नरम गी बिछांदे न।

IV.रासायनिक रूप कन्नै इंटीग्रेटेडसबस्ट्रेट–चिपकने आह् लाइंटरफेस ते प्रक्रिया नियंत्रण

1.रासायनिक बंधन आस्तै सतह सक्रियकरण ते द्विक्रियाशील प्राइमर

पीटीएफईसतह गी पैह् ले सोडियम-नफ्थालीन-टीएचएफसॉल्यूशन कन्नै इलाज कीता जंदा ऐ जां कम दबाव आह् ले आर्गन/ऑक्सीजन प्लाज्मा गी कार्बोक्जिलैंड हाइड्रोक्सिल समूहें गी युक्त सक्रिय परत पैदा करने आस्तै कीता जंदा ऐ।एप्राइमरसोल्यूशन जिस च द्वि-कार्यात्मक अणु (जैसे, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटकपलिंगजेंट + एपोक्सीसिलेन) होंदा ऐ, एह् तत्काल रूप च ऐ ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface, whiletheotherend participates inhydrosilylation or condensationcrosslinkingwiththesiliconeadhesive, इक रासायनिक बंधन नेटवर्क बनांदा ऐ जेह्ड़ा इंटरफेस च घुसदा ऐ।

2.RampedCuringandPost-TreatmenttoEliminateDefects दा

Arampedcuringprofileisemployed:पहले, विलायक गी 80-100 डिग्री सेल्सियस पर लेवल कीता जंदा ऐ ते चिपकने आह् ली परतें गी लेवल कीता जंदा ऐ; -क्यूरिंग गी 200–220 डिग्री सेल्सियस पर कई घंटें लेई आंतरिक तनाव गी खत्म करने ते भौतिक क्रॉसलिंकिंग बिंदुएं गी स्थिर करने लेई कीता जंदा ऐ।धीमी ठंडा करने कन्नै विभेदक तापीय संकोचन दे कारण सूक्ष्म दरारें गी रोकदा ऐ।

उपरोक्त जानकारी द्वारा दी गई हैजियांगसुआओकाईनई सामग्री प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड।

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