हाई-होल्ड टेफ्लॉन हाई-टेम्परेचर टेप के क्रीप रेजिस्टेंस अवुरी लंबा समय तक होल्डिंग स्टेबिलिटी में सुधार कईसे कईल जा सकता?

I.आणविक नेटवर्कटोपोलॉजीसिलिकॉनचिपकने वाला परत के अनुकूलन–बल्कक्रीपप्रतिरोध में सुधार

1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपातऔर 'हार्ड-कोर ' संरचना

निर्माता एमक्यूसिलिकोनरेसिना के कोरटैकफायर आ फोर्सिंग एजेंट के रूप में अपनावेला, एमक्यू/गुमरेशियो1.2:1-2:1 (परंपरागत ग्रेड से काफी अधिक) बढ़ावेला कठोर'हार्ड-फेज'माइक्रोडोमेन हेडहेसिवलेयर के भीतर होला, जवन सिलोक्सेनचेनसेगमेंट के गति के बाध्य करेला आ भंडारणमाड्यूल में काफी सुधार करेला आ ऊंचा तापमान पर दबाव बनावेला।

2.गर्मी-प्रतिरोधीकठोरसमूह आ उच्च-बंध-ऊर्जाक्रॉसलिंकिंग साइट के शामिल कइल

फिनाइल,डाइफिनाइल, या कार्बोरेन समूह के पॉलीडाइमिथाइलसिलोक्सेन बैकबोन (जइसे कि, 20-30 मोल% फिनाइल सामग्री) में डालल जाला ताकि थर्मलचेन के गति में बाधा आवे आ कांच के तनाव के तापमान आ दुनों के बढ़ावल जा सके rmaldecompositiontemperature.क्रॉसलिंकिंगसिस्टम प्राथमिकता से एडिशन-क्यूरहाइड्रोसाइलेशन (Pt-उत्प्रेरक) के इस्तेमाल करेला, जवन उच्चतरतापस्थिरता के साथ–C–C–या–Si–C–क्रॉसलिंकिंगपुल बनावेला।

3.क्रॉसलिंक (मैक) आ नेटवर्कदोष के बीच आणविक वजन के नियंत्रण

हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के सक्रिय हाइड्रोजन सामग्री आ श्रृंखला के लंबाई के सटीक समायोजन करके, अपेक्षाकृत छोट लैंडयूनिफॉर्मMc (लगभग 5,000-15,000g/mol) हासिल कइल गइल, ई सुनिश्चित कइल कि नेट काम केतना तापमान में भी अधिक लचीलापन बनाए रखे के बा।विस्तारित पोस्ट-क्यूरिग या उच्च तापमान के रूप में उपभोक्ता अवशिष्ट प्रतिक्रियाशील समूह पर लागू कइल जाला आ नेटवर्क दोष के कारण तनाव के आराम के कम करेला।

II.ग्रेडिएंटमाड्यूलमल्टीलेयरएडहेसिवस्ट्रक्चर–बैलेंसिंगटैकएंडक्रीपरेजिस्टेंस

'प्राइमर-एंकरिंगलेयर+हाई-मॉड्यूलस्कोहेसिवलेयर+विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर'तीन-लेयरडिजाइन।'

1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीग्रुप,MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक, पीटीएफईसबस्ट्रेट के साथ रासायनिक बंधन और ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दुनो प्रदान करे खातिर, एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीसमूह युक्तसिलेनयुग्मन एजेंट के उपयोग करेला।

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3.विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर (असंपर्क, 3-8μm): सतहमाड्यूल के लिए कम-एमक्यू-अनुपात हाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकॉन-तेल-संशोधित नरमसिलिकॉन चिपकने वाला के रोजगार, सतहमाड्यूल के लिए तेजी से गीलापन और सिर के अनुरूपता को सुनिश्चित करता है।

III.भौतिक क्रॉसलिंकिंगऔर गर्मी प्रतिरोधी कंकाल के निर्माण के लिए नैनोफिलर

1.नैनो-सिलिका के इन-सिटुसुदृढीकरणऔर सतह संशोधन

एकर निर्माण धुआँदारसिलिका (विशिष्ट सतह क्षेत्रफल200–380m²/g), सतह पर विनाइलट्राइइथोक्सीसिलेनया हेक्सामिथाइलडिसिलेज़ेन के साथ उपचारित, 10-25wt% के एटालोडिंग के इस्तेमाल करेला रिवर्सिबलफिजिकलक्रॉसलिंकिंगनेटवर्क जवन ऊर्जा के क्षय करेला आ कड़ा तापमान पर आणविक श्रृंखला के स्लिपपेज के रोकेला।उच्च-कतरनी फैलाव सुनिश्चित करेला कि सिलिका'क्लस्टर'100nm से नीचे के आकार के ग्लोमेरेट के साथ मौजूद होखे, तनाव एकाग्रता से बचेला।

2.2DNanomaterials के माध्यम से दिशात्मकCreepResistance

1–5wt%कम-लेयरग्राफीन या ऑर्गेनो-मोडिफाइड नैनो-मोंटमोरिलोनाइट के जोड़ल, जवन कोटिंग के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से व्यवस्था के माध्यम से उन्मुखी परत में होला, टेप के समानांतर 'मेज़ इफेक्ट' बनावेला लेन, कतरनी दिशा में आणविक श्रृंखला गति के प्रतिरोध में काफी वृद्धि।ग्राफीन भी उत्कृष्ट तापीय चालकता प्रदान करेला, चिपकने वाला परत में हॉटस्पॉट के कम कर देला आ थर्मल नरमी के बिछावेला।

IV.रासायनिक रूप से एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वालाइंटरफेसऔर प्रक्रिया नियंत्रण

1.रासायनिक बंधन के लिए सतह सक्रियणऔर द्विक्रियाशील प्राइमर

पीटीएफई सतह के सबसे पहिले सोडियम-नफ्थालीन-टीएचएफसॉल्यूशन या कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजन प्लाज्मा के साथ उपचार कइल जाला ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिल समूह युक्त सक्रिय परत पैदा हो सके।एप्राइमरसोल्यूशन जवना मेंद्विकार्यात्मक अणु (जइसे कि, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटकपलिंगजेंट+एपोक्सीसिलेन) होखे, तुरंत हीको होला ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface, जबकि दूसरा अंत हाइड्रोसिलिलेशन या संघनन क्रॉसलिंकिंग के साथ सिलिकॉन चिपकने वाला के साथ भाग लेता, एक रासायनिक बंधन नेटवर्क बनाता है जो इंटरफेस में घुसता।

2.रैम्पेडक्यूरिंगऔरपोस्ट-ट्रीटमेंटटू एलिमिनेशन डिफेक्ट

एरामपडक्यूरिंग प्रोफाइल के इस्तेमाल कइल जाला:पहिले, विलायक के ड्राइव कइल जाला आ चिपकावे वाला परत के स्तर 80-100 डिग्री सेल्सियस पर होला;फिर हाइड्रोसिलिलेशन आ एमक्यूरेसिना के सेपैकिंग 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हो जाला;अंत में, पोस्ट -क्यूरिग के 200–220°C पर कई घंटा तक ले जाइल जाला ताकि आंतरिक तनाव के खतम कइल जा सके आ भौतिक क्रॉसलिंकिंग बिंदु के स्थिर कइल जा सके।धीमा ठंडा कइला से भिन्नतापीय संकोचन के कारण सूक्ष्म दरार के रोकल जा सके ला।

उपरोक्त जानकारी के द्वारा दिहल गइल बाजियांगसुआओकाईनई सामग्री प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड के बा।

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