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हाई-होल्ड टेफ्लॉन हाई-टेम्परेचर टेप के रेंगना प्रतिरोध आ लंबा समय तक पकड़े के स्थिरता में सुधार कईसे कईल जा सकता?
हाई-होल्ड टेफ्लॉन हाई-टेम्परेचर टेप के क्रीप रेजिस्टेंस अवुरी लंबा समय तक होल्डिंग स्टेबिलिटी में सुधार कईसे कईल जा सकता?
देखल गइल: 0 लेखक: साइट संपादक प्रकाशन के समय: 2026-07-14 उत्पत्ति: साईट
I.आणविक नेटवर्कटोपोलॉजीसिलिकॉनचिपकने वाला परत के अनुकूलन–बल्कक्रीपप्रतिरोध में सुधार
1.HighMQराल / सिलिकॉनरबर अनुपातऔर 'हार्ड-कोर ' संरचना
निर्माता एमक्यूसिलिकॉनरेसिना के कोरटैकफायर आ फोर्सिंग एजेंट के रूप में अपनावेला, एमक्यू/गमरेटिओटो1.2:1-2:1 (परंपरागत ग्रेड से काफी अधिक) बढ़ावेला कठोर'हार्ड-फेज'माइक्रोडोमेन हेडहेसिवलेयर के भीतर होला, जवन साइलोक्सेनचेनसेगमेंट के गति के बाध्य करेला आ स्टोरेजमॉड्यूल में काफी सुधार करेला आ ऊंच तापमान पर प्रतिरोध करेला।
2.गर्मी-प्रतिरोधीकठोरसमूह आ उच्च-बंध-ऊर्जाक्रॉसलिंकिंग साइट के शामिल कइल
फिनाइल,डाइफिनाइल, या कार्बोरेन समूह के पॉलीडाइमिथाइलसिलोक्सेन बैकबोन (जइसे कि, 20-30 मोल% फिनाइल सामग्री) में डालल जाला ताकि थर्मलचेन के गति में बाधा आवे आ कांच के तनाव के तापमान आ दुनों के बढ़ावल जाला rmaldecompositiontemperature.क्रॉसलिंकिंगसिस्टम प्राथमिकता से एडिशन-क्यूरहाइड्रोसाइलेशन (Pt-उत्प्रेरक) के इस्तेमाल करेला, जवन उच्चतरतापस्थिरता के साथ-C–C–या–Si–C–क्रॉसलिंकिंगपुल बनावेला।
3.क्रॉसलिंक (मैक) आ नेटवर्कदोष के बीच आणविक वजन के नियंत्रण
हाइड्रोजन युक्त सिलिकोनियोइल के सक्रिय हाइड्रोजन सामग्री आ श्रृंखला के लंबाई के सटीक समायोजन करके, अपेक्षाकृत छोट लैंडयूनिफॉर्मMc (लगभग 5,000-15,000g/mol) हासिल कइल गइल, ई सुनिश्चित कइल कि नेट काम केतना तापमान में भी अधिक प्रतिरोधीता बनाए रखे।
1.प्राइमर-एंकरिंगलेयर (1-3μm): एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीसमूह,MQरेसिन के साथ पूर्व बहुलक, पीटीएफईसबस्ट्रेट के रासायनिक बंधन आ ऊपरी सिलिकॉन परत के साथ सह-क्रॉसलिंकिंग दुनो प्रदान करे खातिर, एपोक्सीओराक्राइलोइलोक्सीसमूह युक्तसिलेनयुग्मन एजेंट के उपयोग करेला।
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3.विस्कोइलास्टिकफंक्शनलेयर (असंपर्क, 3-8μm): सतहमाड्यूल के लिए कम-एमक्यू-अनुपात हाइड्रोक्सी-समाप्तसिलिकॉन-तेल-संशोधित नरमसिलिकॉन चिपकने वाला रोजगार के लिए रोजगार और सतह के लिए तेजी से गीला और शीर्ष पर अनुरूपता को सुनिश्चित करता है।
III.भौतिक क्रॉसलिंकिंगऔर गर्मी प्रतिरोधी कंकाल के निर्माण के लिए नैनोफिलर
1.नैनो-सिलिका के इन-सिटुसुदृढीकरणऔर सतह संशोधन
एकर निर्माण धुआँदारसिलिका (विशिष्ट सतह क्षेत्रफल200–380m²/g), सतह पर विनाइलट्राइएथोक्सीसिलेनया हेक्सामिथाइलडिसिलेज़ेन के साथ उपचारित, 10-25wt% के एटालोडिंग के इस्तेमाल करेला रिवर्सिबलफिजिकलक्रॉसलिंकिंगनेटवर्क जवन ऊर्जा के क्षय करेला आ कड़ा तापमान पर आणविक श्रृंखला के स्लिपपेज के रोकेला।उच्च-कतरनी फैलाव सुनिश्चित करेला कि सिलिका मौजूद होखे'क्लस्टर'जवना के आकार 100nm से नीचे होखे, तनाव एकाग्रता से बचेला।
2.2DNanomaterials के माध्यम से दिशात्मकCreepResistance
1–5wt% कुछ-लेयरग्राफीन या ऑर्गेनो-मोडिफाइड नैनो-मोंटमोरिलोनाइट के जोड़ल, जवन कोटिंग के दौरान कतरनी-प्रेरित संरेखण के माध्यम से व्यवस्था के माध्यम से उन्मुखी परत में होला, टेप के समानांतर 'मेज़ इफेक्ट' बनावेला लेन, कतरनी दिशा में आणविक श्रृंखला गति के प्रतिरोध में काफी वृद्धि।ग्राफीन भी उत्कृष्ट तापीय चालकता प्रदान करेला, चिपकने वाली परत में हॉटस्पॉट के कम कर देला आ थर्मल नरमी के बिछावेला।
IV.रासायनिक रूप से एकीकृतसबस्ट्रेट–चिपकने वालाइंटरफेसऔर प्रक्रिया नियंत्रण
1.रासायनिक बंधन के लिए सतह सक्रियणऔर द्विक्रियाशील प्राइमर
पीटीएफईसतह के सबसे पहिले सोडियम-नफ्थालीन-टीएचएफसॉल्यूशन या कम दबाव वाला आर्गन/ऑक्सीजन प्लाज्मा से उपचार कइल जाला ताकि कार्बोक्जिलैंडहाइड्रोक्सिलसमूह वाला सक्रिय परत पैदा हो सके।एप्राइमरसोल्यूशन जवना मेंद्विकार्यात्मक अणु (जइसे कि, आइसोसायनेटसिलेन, टाइटैनेटकपलिंगजेंट+एपोक्सीसिलेन) होखे, तुरंत हीको होला ated.Oneendoftheprimerreactswith–OH/–COOHonthePTFEsurface, जबकि दूसरा अंत सिलिकॉन चिपकने वाला के साथ क्रॉसलिंकिंग में हाइड्रोसिलिलेशन या संघनन में भाग लेवेला, एक रासायनिक बंधन नेटवर्क बनावेला जवन इंटरफेस में घुस जाला।
एरम्पेडक्यूरिंग प्रोफाइल के इस्तेमाल कइल जाला:पहिले, विलायक के ड्राइव कइल जाला आ चिपकावे वाला परत के स्तर 80-100 डिग्री सेल्सियस पर होला;फिर हाइड्रोसिलिलेशन आ एमक्यूरेसिना के सेपैकिंग 150-170 डिग्री सेल्सियस पर पूरा हो जाला;अंत में, पोस्ट -क्यूरिग के 200–220°C पर कई घंटा तक ले जाइल जाला ताकि आंतरिक तनाव के खतम कइल जा सके आ भौतिक क्रॉसलिंकिंग बिंदु के स्थिर कइल जा सके।धीमा ठंडा कइला सेविभेदक तापीय संकोचन के कारण सूक्ष्म दरार के रोकल जा सके ला।
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