2026-07-23 ह्या दिसा
उच्च तापमानाच्या पीटीएफई टेपा खातीर ऑर्गॅनोसिलिकॉन चिकटवपी पदार्थ लक्ष्य क्युरींग डिग्री मेरेन पावता हाची खात्री करपा खातीर लेप मशीन लायनीची गती आनी ओव्हन लांबाय कशी जुळोवप हाचो आस्पाव ह्या लेखांत केला. कोर जुळोवणी तत्व: एकूण राबितो वेळ t_total = प्रभावी ओव्हन लांबाय L ÷ लायनीची गती v उण्यांत उण्या गरजेच्या क्युअर वेळा परस उणी आसूंक फावना. 'तापमान — उण्यांत उणो बरे करपाचो वेळ' संबंद स्थापन करपी डीएससी वा चिकटवपी क्युअर चांचण्यां वरवीं बरे करपाचीं खाशेलपणां मेळोवचीं. समतुल्य संचयीक क्युअर मॉडेल: ओव्हनाचे झोनांत विभागून ti=Li/v आनी tcure(Ti) मेजप, ∑(ti/tcure(Ti)) ≥1 हाची खात्री करप. गणनेची पद्दत: लांबाय Li आनी तापमान Ti आशिल्ले तापमान क्षेत्र थारावप; रेशेची गती v सेट करप, दर एका झोनाचो राबितो वेळ आनी योगदान प्रमाण मेजप; एकूण ≥1 (सुरक्षेची मार्जिन 1.1-1.2 शिफारस केल्या) मेरेन परत परत करप.
आनिकूय वाचात
2026-07-23 ह्या दिसा
ह्या लेखांत गॅमा-किरण किरणोत्सर्गाचो पीटीएफई संरचनेचेर आनी गुणधर्मांचेर जावपी परिणामांचो आस्पाव केला. रसायनीक संरचनेंत बदल जातात: गॅमा किरणांनी सीसी मुखेल साखळी आनी सीएफ बाजूचीं साखळीं मोडटात (जी-मूल्य ३.०-३.५), जाका लागून साखळींचें व्हड प्रमाणांत विच्छेदन जाता आनी रेणूभारांत खर देंवती कळाव जाता; ऑक्सिजनांत मुक्त कण पेरोक्सी कण तयार करून ऍसिल फ्लोराइड आनी कार्बोक्झीलिक आम्लाचे निमाणे गट (एचएफ मेरेन हायड्रोलायझिंग) वळखतात. घनीभूत संरचनेंत बदल जाता: सुरवेक स्फटिकीपण वाडटा (उणें डोस, ल्हान साखळी परतून मांडटात) मागीर देंवता (चड डोस, दोश स्फटिकांक व्यत्यय हाडटात); लांब अंतराचे क्रम ना जाल्ल्यान ल्हान स्फटिकांत कुडके जातात. गुणधर्म इबाडप: मोडटना लांब जावप हवेंत ०.१ किग्रॅ.सावन उणें जाता, ~१ किग्रॅ.वाय.चेर >९०% लुकसाण जाता — पदार्थ कडक आनी भंगुर जाता; वितळबिंदू ३२७ सॅ.सावन ३१० सॅ. ध्रुवीय गट विद्दुत् स्थिरांक/हानी मात्शें वाडयतात; पृश्ठभाग धव्यासावन करडो/काळ्या रंगांत बदलता आनी तातूंत ग्लॉस लुकसाण जाता.
आनिकूय वाचात
2026-07-18 ह्या दिसा
ह्या लेखांत लिथियम बॅटरी विद्दुत् सुकवपाच्या कामांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाच्या उपेगाचे फायदे सांगल्यात. वाहक पट्टे वा ओव्हन लायनर म्हणून वापरतात, तातूंत स्लरी चिकटप, गंज आनी विद्दुत् खरोशणी अशे तीन मुळावे प्रस्न सोडयतात. चार फायदे क्षेत्र: इलॅक्ट्रोडाची गुणवत्ता आनी उत्पन्न — अँटी-स्टिक गुणधर्म पीव्हीडीएफ बाइंडर चिकटप आडायतात जाका लागून सोंपें पुरायपणान सोलप शक्य जाता; १००-१४० सॅ.तापमानाचेर एकसारकी उश्णताय वाहकता फटीं/जळप आडायता; गुळगुळीत पृश्ठभागाचेर खरोशणी आनी पिठो शेडिंग ना जाता; टिकाऊपण आनी कार्यक्षमताय — एनएमपी विरयण आनी इलॅक्ट्रॉलायट वाफ हांचेआड सुज/पिराय नासतना रसायनीक प्रतिकार; अचूक स्थितीखातीर फायबरग्लास थरांतल्यान चड ताण शक्त आनी परिमाणात्मक स्थिरताय; धातूच्या जाळीदार पट्ट्यांपरस उण्यांत उण्या अवशेशान सोंपें निवळ करप.
आनिकूय वाचात
2026-07-16 ह्या दिसा
ह्या लेखांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाच्या डिलेमिनेशन घडणुकेचो आस्पाव केला. पृश्ठभागाचेर आशिल्ल्या पीटीएफई लेप आनी भितरल्या फायबरग्लास बेस कापडामदीं वा जायत्या लेप थरांतल्यान वेगळेपण आनी सोलप हाका डिलामिनेशन म्हण्टात. दृश्टीगोचर लक्षणां: सुरवातीचीं लक्षणां म्हणून फोड येवप/फुडप (पोकळ भावनेचे उबें फुगडे); धवो फायबरग्लास उक्तो करपी पत्र्यांनी सहजपणान काडपी लेप आशिल्लें इंटरलेयर सोलप; थळावें धवेंपण आनी उपरांत उश्णताय/घर्षणा उपरांत चकचकीत करप. मुखेल कारणां: उश्णताय ताण हानी — पीटीएफई आनी फायबरग्लास हांचेमदीं वेगवेगळे उश्णताय विस्तार गुणांक लागून भितरलो ताण निर्माण जाता, नेटान तापवप/थंड करपाच्या चक्रांक लागून विच्छेदन जाता; उत्पादन गुणवत्तेचे दोश — फायबरग्लास पृश्ठभागाचेर फावो ती प्रक्रिया ना, पीटीएफईचें संसेचन उणें, फावो तें सिंटरिंग नाशिल्ल्यान दुबळें अंतरपटीय बंधन.
आनिकूय वाचात
2026-07-15 ह्या दिसा
ह्या लेखांत पिरायेच्या काळांत पीटीएफई उच्च तापमानाच्या कापडांतल्या संरचनात्मक बदलांची तपासणी केल्या. चार आंग: पीटीएफई लेप सूक्ष्मरचणूक — रेणू साखळी विच्छेदन आनी ऑक्सिडीभवन (कार्बोनिल/कार्बोक्झील गट तयार जावप), स्फटिकीपणांत बदल (पयलीं वयर सरप मागीर कोसळप), सूक्ष्म फटीं आनी पिनहोल तयार जावप, पृश्ठभागाचेर पिठो करप; कंवचेच्या तंतूचो थर आनी संवाद — आकारमान/जोडणी एजंट विघटन जावन बंधाचें लुकसाण, अंतरपटीय विच्छेदन आनी विच्छेदन (फोड, धवे वाठार), कंवचेच्या तंतू जाळयेचें कटाव आनी भंगुरपण, क्षार धातू ऑक्सायडाचें अवक्षेपण जावन ताण गंज; स्थूलदर्शक रचणूक आनी दिसप — रंग बदल (धवो→बेज→तपकिरी→काळो), संकोचन विकृती आनी कर्लिंग, पृश्ठभाग खरखरीत जावप आनी चमक ना जावप, स्पर्श केल्यार पिठो जावप, लवचीकपण पुरायपणान ना जावप. पिरायेच्या वाडपाचो सार: 'लेप क्षय → संवाद अपयशी → थर क्षय.' ची प्रगतीशील प्रक्रिया.
आनिकूय वाचात
2026-07-15 ह्या दिसा
ह्या लेखांत उच्च तापमानांतल्या पिरायेच्या वाडट्या उपरांत पीटीएफई उच्च तापमानाच्या टेप चिकटवपी थराच्या एकवटीत बळग्यांत जावपी बदलाचें वर्णन केलां. तीन टप्प्यांचो नमुनो: क्युरींग उपरांत वाडपी अवस्था (सुरवेक २००-२६० सॅ. स्थिर समतोल अवस्था (क्रॉसलिंकिंग पुराय जावपाक लागीं पावता, एकचार चड काळ स्थिर उरता); क्षय आनी उणावाची अवस्था (अधिक वेळ/तापमानाक लागून मुखेल साखळीची क्षय जाता, एकचार उणो जाता, चिकटवपी पदार्थ मोव जाता आनी चिकट जाता). एकवटीत अपयशीपण (अंतर्गत फाडून अवशेश सोडून) आनी निचोड-भायर (मॅड्यूलस उणो जाल्ल्यान कांठांवयल्यान थंड प्रवाह) हांचीं मुळावीं कारणां विश्लेशण करतात.
आनिकूय वाचात
2026-07-14 ह्या दिसा
ह्या लेखांत सौर उर्जा उद्देगांत टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कापडाच्या उपेगाचो तपशील दिला. मॉड्यूल लेमिनेशनांत मुळावो उपेग: पीव्ही मॉड्यूलांचेर/सकयल दवरिल्लें रिलीज कापड वितळिल्लें ईव्हीए (140-150° से.) तापवपी प्लेटन वा रबर प्लेटाक चिकटून उरपाक आडायता, उपकरणांची राखण करता आनी मॉड्यूल पृश्ठांचो गुळगुळीत सुनिश्चीत करता; स्वयंचलीत लोडिंग/अनलोडिंग खातीर लॅमिनेटर वाहक पट्टे; रबर प्लेटन संरक्षक कापड सेवा आयुश्य वाडोवप. कोशिका स्ट्रिंगर सोल्डरिंग: तापवपाच्या वाठारांतल्यान कोशिका आनी फिती व्हरपी वाहक पट्टे, जातूंत नॉन-स्टिक पृश्ठभागाचेर प्रवाह आनी सोल्डर शिंपडपाक प्रतिकार करतात; सोल्डरिंग वर्कस्टेशनांखातीर तापवणी प्लॅटफॉर्म कुशन. उच्च तापमानांतलें इन्सुलेशन: तापवपी नळयो, उश्णताययुग्म, लॅमिनेटर आनी क्युरींग ओव्हनांतले केबल हांचेखातीर आवरण; उपकरणां उश्णताय इन्सुलेशन पडदे आनी ढाल.
आनिकूय वाचात
2026-07-14 ह्या दिसा
ह्या लेखांत पीटीएफई पायस संसेचन करचे पयलीं फायबरग्लास कापडाक लागपी पूर्वप्रक्रिया पांवड्याचो आस्पाव केला. पांवडो 1: तंतूच्या पृश्ठावयल्यान पॅराफिन मेण आनी तेल पुरायपणान काडून उडोवपाखातीर 300-450 सॅ. केएच-५६०, ए-१७४) हें तंतूच्या पृश्ठाचेर रसायनीक बंधन फिल्म तयार करपाखातीर अकार्बनी कंवचेच्या तंतू आनी कार्बनी पीटीएफई हांचेमदीं आणवीय पूल करपाक मेळटा; वेपारी नदरेन उपलब्ध आशिल्ल्या पूर्व-उपचार केल्ल्या कापडांनी हें पावल वगडावंक शकता पूण तें सत्यापीत करचें पडटलें. पांवडो ३: सुकवप आनी पूर्वतापप — ८०-१२० सॅ.
आनिकूय वाचात
2026-07-14 ह्या दिसा
ह्या लेखांत उच्च धरपी टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या टेपाची क्रीप प्रतिकार आनी दीर्घकाळ धरपाची स्थिरताय सुदारपाच्यो पद्दती सादर केल्यात. रणनितींत अशे आसात: आणवीय जाळयेचें टोपोलॉजी ऑप्टिमायझेशन — उच्च एमक्यू सिलिकॉन राळ/गम प्रमाण (1.2:1-2:1) कडक कठीण-फेज डोमेन तयार करता; फिनायल गट (२०-३० मोल%) आस्पावल्यार साखळी गतींत आडमेळीं येतात; क्रॉसलिंक रेणूभार ५,०००-१५,००० ग्रॅम/मोल इतल्या प्रमाणांत नियंत्रीत केल्लें; ग्रेडियेंट मॉड्यूलस बहुस्तरीय चिकटवपी संरचना — सिलेन जोडणी एजंट आशिल्लो प्राइमर-अँकरिंग थर (1-3μm), कटाव प्रतिरोधक स्कॅलेटन म्हणून उच्च मॉड्यूलस एकवटीत थर (30-50μm), पृश्ठभागाचेर ओलसाण करपाखातीर चिकट लवचीक कार्यात्मक थर (3-8μm); नॅनोफिलर — पृश्ठभागांत बदल करून धुंवरीत सिलिका (१०-२५ वजन%) उलटपासारकें भौतिक क्रॉसलिंकिंग तयार करता.
आनिकूय वाचात
2026-07-13 ह्या दिसा
ह्या लेखांत पीटीएफई लेप टेफ्लॉन उच्च तापमानाच्या कपड्यांत फायबरग्लास कापडाच्या सबस्ट्रेटाक कशें बंधन जाता तें स्पश्ट केलां. पीटीएफईच्या अतिउण्या पृश्ठभागीय उर्जेक लागून प्रत्यक्ष रसायनीक बंधन अशक्य आसा. बंधन अशा माध्यमांतल्यान मेळटा: यांत्रिक इंटरलॉकिंग (भौतिक बंधन) — पीटीएफई पायस तंतूच्या अंतरांत भितर सरता आनी सिंटर केल्या उपरांत तंतूच्या गुठल्यांक धरता; सिलेन जोडणी द्रव्य पूर्वप्रक्रिया — अकार्बनी कंवचेच्या तंतू आनी कार्बनी प्राइमर हांचेमदीं रेणू पूल तयार करता; रसायनीक प्राइमर संक्रमण थर — पीटीएफई मायक्रोपाउडर आशिल्ले पीएआय, पीपीएस, पीईएस वा पीईईके रेझीन वापरून, जोडणी उपचारा उपरांत लायून घटमूट संक्रमण थर तयार करतात; गरम-वितळिल्ल्या चिकटपटलाचें लेमिनेशन — एफईपी वा पीएफए फिल्म (वितळबिंदू २६०-३१० सॅ.) पूर्वनिर्मित पीटीएफई फिल्मांक कापडाकडेन जोडटात; एका परस चड संसेचन आनी सिंटरिंग चक्रांवरवीं ग्रेडियेंट संरचना — बाइंडर/जोडणी एजंटान पातळ पयलो पास तंतूंत खोल भितर सरता, उपरांत शुध्द पीटीएफई संसेचन करून फायबरग्लासासावन शुध्द पीटीएफईमेरेन संरचनात्मक ग्रेडियेंट तयार जाता.
आनिकूय वाचात